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der euv-lithographieprozess kann verbessert werden. es heißt, samsung teste gcb-geräte, die zu einem kostensenkenden werkzeug für fortgeschrittene prozesse werden könnten.

2024-09-03

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„kechuangban daily“ nachrichten vom 3. september nach angaben der koreanischen medien theelec testet samsung gas-cluster-beam-geräte (gcb) von tokyo electronics (tel), um seinen lithographieprozess im extremen ultraviolett (euv) zu verbessern. tokyo electronics bestätigte, dass das unternehmen mit kunden zusammenarbeitet, um die leistung der geräte zu bewerten und zu entscheiden, ob sie in wafer-foundries eingesetzt werden sollen.

öffentliche informationen zeigen, dass tokyo electronics ein bedeutender anbieter von halbleiterfertigungsanlagen ist, der sich hauptsächlich mit dem ätzen, abscheiden und reinigen von halbleitern beschäftigt. zu seinen kunden zählen hersteller von fortschrittlichen logik- und speicherchips wie tsmc, intel, samsung usw.

die in den test und die bewertung einbezogene ausrüstung heißt acrevia und wurde im juli dieses jahres auf den markt gebracht. sie nutzt einen gerichteten gasclusterstrahl, um den optimalen wafer-neigungswinkel zu ätzen und so eine präzise anpassung der kritischen größe und form von euv-lithographiemustern zu erreichen .

dies verbessert nicht nur die genauigkeit von fotolithographiemustern, sondern verringert auch das risiko einer beschädigung der waferoberfläche erheblich. tokyo electronics sagte, dass das gerät als musterformungswerkzeug die rauheit der musterkanten verbessern und zufällige photolithographiedefekte reduzieren und so die ausbeute verbessern kann.

samsung erwartet dasder einsatz von gcb-geräten wird dazu beitragen, die kosten für fortschrittliche knoten zu senken. tatsächlich kann eine gcb-ausrüstung, sobald sie die waferausbeute verbessert, die anzahl der unzulässigen verwendungen von lithographiegeräten reduzieren und so dazu beitragen, die lebensdauer der ausrüstung zu verlängern. samsung betonte außerdem, dass dadurch zufällige fehler im musterverarbeitungsprozess der euv-lithographietechnologie reduziert werden. weniger fehler bedeuten geringere kosten.

mit der kontinuierlichen weiterentwicklung der prozesstechnologie sind euv-lithographiegeräte in den letzten jahren zu einem muss für alle wafer-foundries geworden, was auch mit hohen kostenbelastungen einhergeht. im mai dieses jahres beklagte sich zhang xiaoqiang, senior vice president von tsmc, auf einem technischen seminar über asmls neueste lithografiemaschine für extremes ultraviolett mit hoher numerischer apertur: „der preis ist zu hoch.“

erschwerend kommt hinzu, dass chiphersteller, um die chipdesigns weiter zu verkleinern, häufig die multi-pattern-lithographie-technologie verwenden, bei der ein komplexes einzelschichtmuster in mehrere einfache muster aufgeteilt und mehrere belichtungen auf verschiedenen masken durchgeführt werden, um das endgültige ergebnis zu erzielen gewünschtes muster.

obwohl die großflächige anwendung der mehrfachmusterung das design verkleinert, birgt sie auch das risiko technischer mängel wie ausrichtungsprobleme und stapelfehler. darüber hinaus erfordert die mehrfachmusterung mehrere belichtungs- und ätzzyklen, was die kosten erheblich verringert herstellungsprozess, und jede weitere belichtung erfordert zusätzliche masken und mehr lithographiewerkzeuge. kurzgesagt,die ausbeute und die produktionskapazität von chips werden immer geringer und die kosten steigen weiter

vor diesem hintergrund haben verschiedene hersteller von halbleitergeräten eine welle der kostensenkung und effizienzsteigerung ausgelöst. zusätzlich zu den acrevia gcb-geräten hat applied materials im februar letzten jahres das centura sculpta-system mit ähnlichen funktionen auf den markt gebracht und an die intel corporation geliefert . .

den damaligen berichten zufolge kann das system den chipherstellern folgende kosten ersparen: 1) es kann etwa 250 millionen us-dollar an kapitalkosten einsparen, wenn 100.000 wafer pro monat hergestellt werden. 2) es kann 50 us-dollar an herstellungskosten pro wafer einsparen. jeder wafer spart mehr als 15 kilowattstunden energie.

darüber hinaus brachte applied materials im februar dieses jahres auch ein neues elektronenstrahlmessgerät auf den markt, das speziell für die genaue messung der kritischen abmessungen von halbleiterbauelementen mithilfe von euv und der neuen high-na-euv-lithographietechnologie entwickelt wurde.

bezüglich des beginns der testbewertung der gcb-ausrüstung von tokyo electronics kommentierten koreanische medien: „der markt für euv-strukturierung wird von applied materials dominiert, und die neue ausrüstung von tokyo electronics stellt eine herausforderung dar.“

(zhang zhen, science and technology innovation board daily)
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