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Vic Ye 叶明

l'argomento del discorso:

Metodo di ripetizione della lettura dinamica — Ottenere una ripetizione della lettura prossima allo zero per la memoria flash NAND 3D

Forum SSDT-103-1:

Tecnologia per migliorare la durata e l'affidabilità dell'SSD

Ora americana:

6 agosto, 15:40-16:45

Posto:

Centro congressi di Santa Clara, California, Stati Uniti

Sala da ballo F

Introduzione al discorso Deyiwei

Direttore del dipartimento di analisi della memoria di Deyiwei: il dottor Ye Min terrà un discorso programmatico sul "Metodo di tentativi di lettura dinamici - Ottenere tentativi di lettura quasi zero per la memoria flash NAND 3D" all'evento di archiviazione globale FMS 2024.

L'affidabilità dei dispositivi di archiviazione della memoria flash diminuirà dopo aver sperimentato più cicli P/E, con conseguente necessità di più tentativi di lettura per la correzione degli errori, con conseguente grave diminuzione delle prestazioni di lettura. Pertanto, l'ottimizzazione del metodo Read Retry è fondamentale per le prestazioni di lettura flash. Il discorso del Dr. Ye Min ci porterà a esplorare in profondità l'innovativo metodo dinamico Read Retry, discutere e analizzare come migliorare l'affidabilità della NAND 3D e raggiungere quasi 0 tentativi di lettura della NAND 3D, migliorando così notevolmente le prestazioni di lettura del controller di archiviazione e il raggiungimento di prestazioni migliori Il controllo delle prestazioni e la gestione della resistenza all'usura migliorano efficacemente la durata e le prestazioni dei chip di memoria.

FMS 2024

Numero dello stand Deyiwei: #750

Tempo: 6-8 agosto 2024

Luogo: Centro congressi di Santa Clara, California, Stati Uniti

Deyiwei esporrà in modo completo una gamma completa dei più recenti prodotti e soluzioni di storage, inclusi chip di controllo dello storage e memorie, e condividerà le ultime tecnologie di storage e i risultati applicativi. I partner del settore globale sono invitati a visitare lo stand per visitarlo e scambiarsi informazioni.