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Auf der globalen Speicherveranstaltung FMS 2024 hielt Deyiwei eine Grundsatzrede zur Verbesserung der 3D-NAND-Zuverlässigkeit

2024-08-05

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Vic Ye 叶明


das Redethema:

Dynamische Lesewiederholungsmethode – Erreichen von nahezu null Lesewiederholungsversuchen für 3D-NAND-Flash-Speicher

Forum SSDT-103-1:

Technologie zur Verbesserung der SSD-Haltbarkeit und -Zuverlässigkeit

Amerikanische Zeit:

6. August, 15:40-16:45 Uhr

Ort:

Santa Clara Convention Center, Kalifornien, USA

Ballsaal F

Einführung in die Deyiwei-Rede

Direktor der Deyiwei-Abteilung für Speicheranalyse: Dr. Ye Min wird auf der globalen Speicherveranstaltung FMS 2024 eine Grundsatzrede zum Thema „Dynamic Read Retry Method – Achieving Near-Zero Read Retry for 3D NAND Flash Memory“ halten.

Die Zuverlässigkeit von Flash-Speichergeräten nimmt nach mehreren P/E-Zyklen ab, was dazu führt, dass mehr Lesewiederholungen zur Fehlerkorrektur erforderlich sind, was zu einer erheblichen Verschlechterung der Leseleistung führt. Daher ist die Optimierung der Lesewiederholungsmethode für die Flash-Leseleistung von entscheidender Bedeutung. Die Rede von Dr. Ye Min wird uns dazu führen, die innovative dynamische Read Retry-Methode eingehend zu untersuchen, zu diskutieren und zu analysieren, wie die Zuverlässigkeit von 3D NAND verbessert und fast 0 Read Retry von 3D NAND erreicht werden kann, wodurch die Leseleistung des Speichercontrollers erheblich verbessert wird und eine bessere Leistungskontrolle und ein verschleißfestes Management verbessern effektiv die Lebensdauer und Leistung von Speicherchips.

FMS 2024


Deyiwei-Standnummer: #750

Zeit: 6.–8. August 2024

Ort: Santa Clara Convention Center, Kalifornien, USA

Deyiwei wird eine umfassende Palette der neuesten Produkte und Speicherlösungen, einschließlich Speichersteuerungschips und Speicher, vorstellen und die neuesten Speichertechnologien und Anwendungsergebnisse vorstellen. Globale Industriepartner sind herzlich eingeladen, den Stand zu besuchen und sich auszutauschen.