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Vic Ye

o tema do discurso:

Método de repetição de leitura dinâmica —— Obtendo repetição de leitura quase zero para memória flash NAND 3D

Fórum SSDT-103-1:

Tecnologia para melhorar a durabilidade e confiabilidade do SSD

Horário americano:

6 de agosto, 15h40-16h45

Lugar:

Centro de Convenções de Santa Clara, Califórnia, EUA

Salão de baile F

Introdução ao discurso Deyiwei

Diretor do Departamento de Análise de Memória de Deyiwei: Dr. Ye Min fará um discurso de abertura sobre "Método de repetição de leitura dinâmica - Alcançando novas tentativas de leitura quase zero para memória flash NAND 3D" no evento de armazenamento global FMS 2024.

A confiabilidade dos dispositivos de armazenamento de memória flash diminuirá após vários ciclos P/E, resultando na necessidade de mais tentativas de leitura para correção de erros, resultando em uma séria diminuição no desempenho de leitura. Portanto, a otimização do método Read Retry é crítica para o desempenho da leitura flash. O discurso do Dr. Ye Min nos levará a explorar profundamente o inovador método dinâmico de repetição de leitura, discutir e analisar como melhorar a confiabilidade do 3D NAND e alcançar quase 0 repetição de leitura do 3D NAND, melhorando significativamente o desempenho de leitura do controlador de armazenamento e alcançar melhor desempenho O controle de desempenho e o gerenciamento resistente ao desgaste melhoram efetivamente a vida útil e o desempenho dos chips de memória.

FMS 2024

Número do estande Deyiwei: #750

Horário: 6 a 8 de agosto de 2024

Local: Centro de Convenções de Santa Clara, Califórnia, EUA

Deyiwei exibirá de forma abrangente uma gama completa dos mais recentes produtos e soluções de armazenamento, incluindo chips de controle de armazenamento e memórias, e compartilhará a mais recente tecnologia de armazenamento e resultados de aplicações. Os parceiros da indústria global são bem-vindos para visitar o estande para visitar e trocar.