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la primera producción en masa del mundo de memoria flash qlc de novena generación de samsung: 1 tb por unidad, mejora de escritura del 100 %

2024-09-12

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noticias de tecnología de kuai el 12 de septiembre desamsung electronics anunció oficialmente que ha comenzado la producción en masa de la memoria flash qlc v-nand de novena generación, con una capacidad única de 1tb (128gb).

apenas en abril de este año, samsung comenzó la producción en masa de la memoria flash tlc v-nand de novena generación, con solo 4 meses de diferencia.

la memoria flash qlc nand de novena generación de samsung incorpora una serie de innovaciones:

uno esmediante grabado de agujeros(grabado de orificio de canal).

basado en la arquitectura de doble pila, se ha logrado el mayor número de capas de apilamiento de unidades en la industria (los detalles no se revelan). al mismo tiempo, se optimizan el área de la unidad de memoria y los circuitos periféricos,la densidad de bits es aproximadamente un 86% mayor que la de la generación anterior.

el segundo esmolde predeterminado(molde diseñado)。

el espacio entre líneas de palabras de las celdas de memoria se puede ajustar y controlar para garantizar que las características de las celdas de memoria dentro de la misma capa de unidad y entre capas de unidad permanezcan consistentes para lograr los mejores resultados.el rendimiento de la retención de datos mejoró aproximadamente un 20 %, confiabilidad mejorada.

el tercero esprograma de previsión(programa predictivo).

capacidad de predecir y controlar cambios de estado de las unidades de almacenamiento para reducir al máximo las operaciones innecesarias.el rendimiento de escritura se duplica y la velocidad de entrada/salida de datos aumenta en un 60%.

el cuarto esdiseño de bajo consumo de energía(diseño de bajo consumo)。

el voltaje requerido para controlar las celdas de memoria nand se reduce y solo se detectan las líneas de bits necesarias (bit line).el consumo de energía de lectura de datos se reduce aproximadamente un 30% y un 50% respectivamente.

la memoria flash qlc v-nand de novena generación de samsung se utilizará primero en productos de electrónica de consumo y luego se implementará gradualmente en los campos de ufs, pc y servidores.