berita

한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina

berita teknologi kuai pada 12 september,samsung electronics secara resmi mengumumkan bahwa mereka telah memulai produksi massal memori flash qlc v-nand generasi kesembilan, dengan kapasitas tunggal 1tb (128gb).

baru pada bulan april tahun ini, samsung memulai produksi massal memori flash tlc v-nand generasi kesembilan, hanya berjarak 4 bulan.

memori flash qlc nand generasi kesembilan dari samsung menggabungkan sejumlah inovasi:

salah satunya adalahmelalui lubang etsa(etsa lubang saluran)

berdasarkan arsitektur dual-stack, jumlah lapisan unit susun tertinggi di industri telah tercapai (detailnya tidak diungkapkan). pada saat yang sama, area unit memori dan sirkuit periferal dioptimalkan,kepadatan bitnya sekitar 86% lebih tinggi dibandingkan generasi sebelumnya.

yang kedua adalahcetakan bawaan(cetakan yang dirancang)。

jarak baris kata sel memori dapat disesuaikan dan dikontrol untuk memastikan bahwa karakteristik sel memori dalam lapisan unit yang sama dan antar lapisan unit tetap konsisten untuk mencapai hasil terbaik.kinerja retensi data meningkat sekitar 20%, peningkatan keandalan.

yang ketiga adalahprogram peramalan(program prediktif)

kemampuan untuk memprediksi dan mengontrol perubahan status unit penyimpanan untuk mengurangi operasi yang tidak perlu sebanyak mungkin,performa penulisan menjadi dua kali lipat dan kecepatan input/output data meningkat sebesar 60%.

yang keempat adalahdesain konsumsi daya rendah(desain daya rendah)。

tegangan yang diperlukan untuk menggerakkan sel memori nand berkurang dan hanya jalur bit yang diperlukan (bit line) yang terdeteksi.konsumsi daya pembacaan data masing-masing berkurang sekitar 30% dan 50%.

memori flash qlc v-nand generasi kesembilan dari samsung pertama-tama akan digunakan pada produk elektronik konsumen, dan kemudian secara bertahap diluncurkan di bidang ufs, pc, dan server.