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kuai technology news am 12. septembersamsung electronics gab offiziell bekannt, dass es mit der massenproduktion von qlc v-nand-flash-speicher der neunten generation mit einer einzelkapazität von 1 tb (128 gb) begonnen hat.

erst im april dieses jahres begann samsung im abstand von nur vier monaten mit der massenproduktion des tlc v-nand-flash-speichers der neunten generation.

der qlc nand-flash-speicher der neunten generation von samsung verfügt über eine reihe von innovationen:

einer istdurch lochätzen(kanallochätzen)。

basierend auf der dual-stack-architektur wurde die branchenweit höchste anzahl an unit-stacking-layern erreicht (details werden nicht bekannt gegeben). gleichzeitig werden die speichereinheitsfläche und die peripherieschaltkreise optimiert.die bitdichte ist etwa 86 % höher als bei der vorgängergeneration.

das zweite iststandardform(entworfene form)。

der wortleitungsabstand von speicherzellen kann angepasst und gesteuert werden, um sicherzustellen, dass die eigenschaften von speicherzellen innerhalb derselben einheitsschicht und zwischen einheitsschichten konsistent bleiben, um die besten ergebnisse zu erzielen.die datenaufbewahrungsleistung verbesserte sich um etwa 20 %., erhöhte zuverlässigkeit.

der dritte istprognoseprogramm(vorhersageprogramm)。

fähigkeit, zustandsänderungen von speichereinheiten vorherzusagen und zu steuern, um unnötige vorgänge so weit wie möglich zu reduzieren,die schreibleistung wird verdoppelt und die datenein-/ausgabegeschwindigkeit um 60 % erhöht.

der vierte istdesign mit geringem stromverbrauch(energiesparendes design).

die zum ansteuern von nand-speicherzellen erforderliche spannung wird reduziert und nur die erforderlichen bitleitungen (bitleitung) werden erfasst.der stromverbrauch beim datenlesen wird um etwa 30 % bzw. 50 % reduziert.

der qlc v-nand-flash-speicher der neunten generation von samsung wird zunächst in produkten der unterhaltungselektronik eingesetzt und dann schrittweise in den bereichen ufs, pc und server eingeführt.