2024-09-12
한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina
कुआइ प्रौद्योगिकी समाचार on september 12, 2019सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स इत्यनेन आधिकारिकतया घोषितं यत् सः नवमपीढीयाः qlc v-nand फ्लैश मेमोरी इत्यस्य सामूहिकं उत्पादनं आरब्धवान्, यस्य एकक्षमता 1tb (128gb) अस्ति ।
अस्मिन् वर्षे एप्रिलमासे एव सैमसंग-संस्थायाः नवम-पीढीयाः tlc v-nand-फ्लैश-स्मृतेः सामूहिक-उत्पादनं आरब्धम्, केवलं ४ मासानां अन्तरं भवति ।
सैमसंगस्य नवमपीढीयाः qlc nand फ्लैशस्मृतौ अनेकानि नवीनतानि समाविष्टानि सन्ति:
एकंvia hole eching(चैनल होल एचिंग)。
द्वय-स्टैक-आर्किटेक्चरस्य आधारेण उद्योगे सर्वाधिकं संख्यायां यूनिट्-स्टैकिंग्-स्तराः प्राप्ताः (विवरणं न प्रकटितम्) । तस्मिन् एव काले स्मृति-एककक्षेत्रं परिधीय-परिपथं च अनुकूलितं भवति,पूर्वजन्मस्य अपेक्षया बिट् घनत्वं प्रायः ८६% अधिकं भवति ।
द्वितीयः इतिपूर्वनिर्धारित ढाल(डिजाइन मोल्ड)。
स्मृतिकोशिकानां शब्दरेखाान्तरं समायोजितुं नियन्त्रितुं च शक्यते यत् एकस्मिन् एव एककस्तरस्य अन्तः एककस्तरयोः मध्ये च स्मृतिकोशिकानां लक्षणं उत्तमं परिणामं प्राप्तुं सुसंगतं तिष्ठति इति सुनिश्चितं कर्तुं शक्यतेआँकडाधारणप्रदर्शने प्रायः २०% सुधारः अभवत् ।, वर्धिता विश्वसनीयता।
तृतीया इतिपूर्वानुमान कार्यक्रम(भविष्यवाणी कार्यक्रम)。
यथासम्भवं अनावश्यकसञ्चालनानि न्यूनीकर्तुं भण्डारण-एककानां अवस्थापरिवर्तनस्य पूर्वानुमानं नियन्त्रयितुं च क्षमता,लेखनप्रदर्शनं दुगुणं भवति तथा च दत्तांशनिवेश/निर्गमवेगः ६०% वर्धितः भवति ।
चतुर्थःकम विद्युत् खपत डिजाइन(कम-शक्ति-निर्माण)。
nand स्मृतिकोशिकानां चालनार्थं आवश्यकः वोल्टेजः न्यूनीकरोति तथा च केवलं आवश्यकाः बिट् रेखाः (bit line) एव संवेदिताः भवन्ति ।आँकडा पठनशक्ति-उपभोगः क्रमशः प्रायः ३०%, ५०% च न्यूनीकरोति ।
सैमसंगस्य नवमपीढीयाः qlc v-nand फ्लैशस्मृतिः प्रथमं उपभोक्तृविद्युत्पदार्थेषु उपयुज्यते, ततः क्रमेण ufs, pc, सर्वरक्षेत्रेषु च प्रसारिता भविष्यति
नवीनतमवार्तासूचनाः संग्रह्य व्यवस्थित्य सर्वेषां कृते निःशुल्कं पश्यन्तु।
