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la prima produzione di massa al mondo di memoria flash qlc di nona generazione da parte di samsung: 1 tb per unità, miglioramento della scrittura del 100%

2024-09-12

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notizie sulla tecnologia kuai a settembre 12,samsung electronics ha annunciato ufficialmente di aver avviato la produzione in serie della memoria flash qlc v-nand di nona generazione, con una capacità singola di 1 tb (128 gb).

proprio nell’aprile di quest’anno, samsung ha iniziato la produzione di massa della memoria flash tlc v-nand di nona generazione, a soli 4 mesi di distanza.

la memoria flash nand qlc di nona generazione di samsung incorpora una serie di innovazioni:

uno lo ètramite incisione del foro(incisione del foro del canale)

basandosi sull'architettura dual-stack, è stato raggiunto il numero più alto di strati di impilamento delle unità nel settore (i dettagli non sono stati divulgati). allo stesso tempo, l'area dell'unità di memoria e i circuiti periferici vengono ottimizzati,la densità di bit è superiore di circa l'86% rispetto alla generazione precedente.

il secondo èstampo predefinito(stampo progettato)

la spaziatura delle linee di parola delle celle di memoria può essere regolata e controllata per garantire che le caratteristiche delle celle di memoria all'interno dello stesso strato unitario e tra strati unitari rimangano coerenti per ottenere i migliori risultati.le prestazioni di conservazione dei dati sono migliorate di circa il 20%, maggiore affidabilità.

il terzo èprogramma di previsione(programma predittivo)

capacità di prevedere e controllare i cambiamenti di stato delle unità di stoccaggio per ridurre il più possibile le operazioni non necessarie,le prestazioni di scrittura sono raddoppiate e la velocità di input/output dei dati è aumentata del 60%.

il quarto èdesign a basso consumo energetico(progettazione a basso consumo energetico)

la tensione richiesta per pilotare le celle di memoria nand viene ridotta e vengono rilevate solo le bit line necessarie (bit line).il consumo energetico per la lettura dei dati è ridotto rispettivamente di circa il 30% e il 50%.

la memoria flash qlc v-nand di nona generazione di samsung verrà utilizzata inizialmente nei prodotti di elettronica di consumo, per poi essere gradualmente implementata nei campi ufs, pc e server.