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notícias de tecnologia kuai em 12 de setembro,a samsung electronics anunciou oficialmente que iniciou a produção em massa da memória flash qlc v-nand de nona geração, com capacidade única de 1 tb (128 gb).

apenas em abril deste ano, a samsung iniciou a produção em massa da memória flash tlc v-nand de nona geração, com apenas 4 meses de intervalo.

a memória flash qlc nand de nona geração da samsung incorpora uma série de inovações:

um éatravés de gravação de furo(gravação de furo de canal)。

com base na arquitetura dual-stack, foi alcançado o maior número de camadas de empilhamento de unidades da indústria (os detalhes não são divulgados). ao mesmo tempo, a área da unidade de memória e os circuitos periféricos são otimizados,a densidade de bits é aproximadamente 86% maior que a geração anterior.

o segundo émolde padrão(molde projetado)。

o espaçamento entre linhas de palavras das células de memória pode ser ajustado e controlado para garantir que as características das células de memória dentro da mesma camada de unidade e entre camadas de unidade permaneçam consistentes para alcançar os melhores resultados.o desempenho da retenção de dados melhorou em aproximadamente 20%, confiabilidade aprimorada.

o terceiro éprograma de previsão(programa preditivo)。

capacidade de prever e controlar mudanças de estado das unidades de armazenamento para reduzir ao máximo operações desnecessárias,o desempenho de gravação é duplicado e a velocidade de entrada/saída de dados é aumentada em 60%.

o quarto édesign de baixo consumo de energia(design de baixo consumo de energia)。

a tensão necessária para acionar as células de memória nand é reduzida e apenas as linhas de bits necessárias (bit line) são detectadas.o consumo de energia de leitura de dados é reduzido em cerca de 30% e 50%, respectivamente.

a memória flash qlc v-nand de nona geração da samsung será usada primeiro em produtos eletrônicos de consumo e, em seguida, será gradualmente implementada em ufs, pc e servidores.