समाचारं

한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina

अस्य लेखस्य स्रोतः : टाइम्स् वित्त लेखकः वाङ्ग ज़िया

अमेरिकी-शेयर-उपार्जन-ऋतुस्य पराकाष्ठायाः पूर्वसंध्यायां अर्धचालक-विपण्यस्य दिग्गजानां मध्ये अन्यतमस्य माइक्रोन्-इत्यस्य विरुद्धं मुकदमाः कृतः ।

अद्यैव याङ्ग्त्ज़े मेमोरी इत्यनेन माइक्रोन् (MU.O) इत्यनेन ११ पेटन्ट् इत्यस्य उल्लङ्घनस्य आरोपः कृतः, येषु माइक्रोन् इत्यस्य विविधाः मेमोरी चिप् उत्पादाः सन्ति । एषः द्वयोः कम्पनीयोः प्रथमः विवादः नास्ति । गतवर्षे याङ्गत्से मेमोरी इत्यनेन अष्टानां पेटन्ट्-उल्लङ्घनस्य कारणेन माइक्रोन्-विरुद्धं मुकदमा दाखिलः, यत्र न्यायालयेन माइक्रोन्-संस्थायाः संयुक्तराज्ये सम्बन्धित-उत्पादानाम् विक्रयणं वा तस्मै पेटन्ट-अनुज्ञापत्र-शुल्कं दातुं वा निषिद्धं कर्तव्यम् इति उक्तम्

१९७८ तमे वर्षे अमेरिकादेशस्य इडाहो-नगरे माइक्रोन्-संस्थायाः स्थापना अभवत् । अर्धचालकविपण्ये प्रायः कम्पनीयाः जीवितकालस्य अर्थः प्रौद्योगिक्याः, उत्पादानाम्, ग्राहकानाम्, धनस्य च सञ्चयः भवति । यदि "विलम्बेन आगच्छन्तः" घेरणं भग्नुं इच्छन्ति तर्हि तेषां प्रौद्योगिकी, पूंजी, स्केल इत्यादीनां बहुविधं सीमां पारं कर्तव्यम् ।

याङ्गत्से स्मृतिः माइक्रोन् इत्यस्य आव्हानं कर्तुं किमर्थं साहसं करोति ?

विलम्बेन आगच्छन्तानाम् सफलतायाः सम्भावना

वाईएमटीसी इत्यनेन गतवर्षे अस्मिन् वर्षे च माइक्रोन् इत्यस्य विरुद्धं पेटन्ट्-मुकदमद्वयं आरब्धम्, येषु कुलम् १९ पेटन्ट्-मुकदमानि सन्ति । याङ्गत्ज़े मेमोरी इत्यस्य मतं यत् माइक्रोन् इत्यस्य ९६-स्तरीयाः, १२८-स्तरीयाः, १७६-स्तरीयाः, २३२-स्तरीयाः च स्मृतिचिप्स् तथा च केचन DDR5 DRAM चिप्स् (Y2BM श्रृङ्खला) उल्लङ्घनस्य शङ्काः सन्ति

मुकदमद्वये याङ्गत्से मेमोरी इत्यस्य अपीलं मूलतः समानम् आसीत्, अर्थात् न्यायालयेन अनुरोधः कृतः यत् माइक्रोन इत्यनेन संयुक्तराज्ये सम्बद्धानां उत्पादानाम् विक्रयणं निषिद्धं भवतु, उल्लङ्घनहानिः च क्षतिपूर्तिः करणीयः यदि न्यायालयः स्थायी निषेधस्य आवेदनं कर्तुं न अस्वीकृतवान् तर्हि माइक्रोन् इत्ययं करिष्यति तस्मै सततं रॉयल्टी दातव्या भवति .

द्विवारं मुकदमा कृतः, विजयस्य सम्भावनाः काः सन्ति ?

"सार्वजनिकसूचनायाः आधारेण एते मूलपेटन्टाः सन्ति येषां बाईपासः 3D NAND उत्पादानाम् कृते सुलभः नास्ति, तथा च कृत्रिमबुद्धिमान् एनएलपीकम्पनीनां पूर्वमुख्यवैज्ञानिकः चेन् वेइ च कथयति टाइम्स् फाइनेन्स् इति संवाददातारः यत् सः मन्यते यत् याङ्गत्ज़े मेमोरी इत्यनेन वर्षाणां 3D NAND पेटन्टविन्यासस्य अनन्तरं कतिपयानि पेटन्टबाधाः निर्मिताः।

सम्बद्धेषु पेटन्टेषु मुख्यतया प्रमुखमूलभूतपेटन्टाः सन्ति यथा 3D NAND storage array device structure and process technology, Xtacking (Yangtze River Memory patented technology) process technology, and NAND memory programming methods चेन् वेइ इत्यस्य मतं यत् "माइक्रोन् एतयोः प्रकरणयोः निपटनं प्राप्तुं बहु सम्भाव्यते" इति ।

मुकदमेन प्रासंगिकपरिस्थितेः प्रतिक्रियारूपेण टाइम्स् फाइनेन्स-सञ्चारकर्तृभिः याङ्गत्से-स्मृति-माइक्रोन्-समूहेन सह अधिकं सम्पर्कः कृतः, परन्तु याङ्गत्से-मेमोरी-इत्यनेन उक्तं यत् अद्यापि तस्य विशिष्टा प्रतिक्रिया नास्ति, तथा च माइक्रोन्-समूहेन प्रेससमयपर्यन्तं विशिष्टप्रश्नानां प्रतिक्रिया न दत्ता इति

मेमोरी चिप् (अर्धचालकस्मृतिः इति अपि ज्ञायते) एकः स्मृतिः अस्ति या अर्धचालकपरिपथानाम् उपयोगं भण्डारणमाध्यमरूपेण करोति ।

स्मृतिचिप्स् द्वयोः प्रकारयोः विभक्ताः सन्ति : फ्लैशस्मृतिः स्मृतिः च । Flash memory मुख्यतया NAND Flash तथा NOR Flash अन्तर्भवति, यदा तु मेमोरी मुख्यतया DRAM भवति ।

मेमोरी चिप्स् क्षेत्रे सैमसंग, माइक्रोन्, एसके हाइनिक्स च "बृहत् त्रयः" इति नाम्ना प्रसिद्धाः सन्ति । नैण्ड् फ्लैश इत्यस्य क्षेत्रे २०२३ तमे वर्षे चीनव्यापारउद्योगसंशोधनसंस्थायाः आँकडानां ज्ञायते यत् तेषां विपण्यभागः क्रमशः ३२.७%, १८.४%, १०.८% च अभवत्

फ्लैश मेमोरी चिप्स् इत्यस्य निर्माणप्रक्रियायां यथा यथा चिप्स् 2D विमाने लघु आकारं प्रति विकसिताः भवन्ति तथा तथा क्रमेण तकनीकी अटङ्काः उद्भवन्ति यदा आकारः अत्यल्पः भवति तदा प्रत्येकस्य मेमोरी यूनिट् इत्यस्य मध्ये परस्परं प्रभावः वर्धते, येन सहजतया चार्ज हस्तक्षेपः, डाटा हानिः च भवति . एतस्याः समस्यायाः समाधानार्थं निर्मातारः 3D NAND प्रौद्योगिकीम् अङ्गीकृतवन्तः, यत् स्मृतिकोशिकानां ऊर्ध्वाधरदिशि स्तम्भयित्वा स्मृतिचिप् विस्तारं सक्षमं करोति ।

२०१६ तमे वर्षे स्थापितं याङ्गत्ज़े मेमोरी चीनदेशस्य बृहत्तमं 3D NAND Flash निर्माता (flash chip manufacturing) अस्ति । मिन्शेङ्ग् सिक्योरिटीज रिसर्च रिपोर्ट् इत्यनेन सूचितं यत् २०२० तमस्य वर्षस्य अन्ते याङ्गत्से मेमोरी वैश्विकबाजारभागस्य १% समीपे प्राप्तवती, षट् प्रमुखानां अन्तर्राष्ट्रीयमूलनिर्मातृणां बहिः बृहत्तमबाजारभागेन सह NAND वेफरमूलनिर्माता अभवत्

आक्रमणे विलम्बेन आगतः

किमर्थं क्रीडायां विलम्बेन प्रवेशकः याङ्गत्से मेमोरी विशालकाय माइक्रोन् इत्यस्य उपरि उल्लङ्घनस्य आरोपं कर्तुं शक्नोति स्म? इदं Yangtze Storage - Xtacking प्रौद्योगिक्याः मूलशस्त्रात् अविभाज्यम् अस्ति ।

Xtacking इत्यस्य प्रक्षेपणात् पूर्वं मार्केट् इत्यत्र 3D NAND मुख्यतया पारम्परिकसमानान्तरवास्तुकला तथा CuA (CMOS under Array) आर्किटेक्चर इत्यत्र विभक्तम् आसीत् । पूर्ववास्तुकलायां तुलने Xtacking पृथक् पृथक् वेफरद्वये परिधीयपरिपथान् स्मृति-एककान् च संसाधितुं शक्नोति, ततः वेफरद्वयस्य समाप्तेः अनन्तरं एकस्मिन् विलीनीकरणं कर्तुं शक्नोति Yangtze Storage इत्यस्य आधिकारिकवक्तव्यस्य अनुसारं एषा प्रौद्योगिक्याः उत्पादविकाससमयं त्रयः मासाः न्यूनीकर्तुं शक्नोति तथा च उत्पादनचक्रं २०% लघु कर्तुं शक्नोति ।

नवम्बर् २०२२ तमे वर्षे अमेरिकन-अर्धचालकसूचनाजालस्थले TechInsights इत्यनेन याङ्गत्से-स्मृतेः २३२-स्तरीय-फ्लैश-स्मृति-कणानां सामूहिक-उत्पादनस्य वर्णनार्थं "आश्चर्यजनक" इत्यादीनां शब्दानां उपयोगेन लेखः प्रकाशितः TechInsights इत्यनेन उक्तं यत् एतत् प्रथमं 3D NAND खुदरा समाधानं यस्य वैश्विकबाजारे 200 तः अधिकाः स्तराः सन्ति, यत् Samsung तथा Micron इत्येतयोः अपेक्षया पूर्वं भवति।

पृष्ठतः आगतः याङ्गत्से नदी भण्डारः कः अस्ति ?

२०१६ तमस्य वर्षस्य जुलैमासे वुहान-जिन्क्सिन्-इत्यस्य आधारेण याङ्गत्से-स्मृतिः आधिकारिकतया स्थापिता ।

तदनन्तरं वर्षे याङ्गत्से मेमोरी इत्यनेन चीनदेशस्य प्रथमं 3D NAND Flash चिप् डिजाइनं कृत्वा निर्मितं, यत् ३२ स्तरं भग्नं कृत्वा प्रथमं टेप-आउट् प्राप्तवान् । २०१८ तमे वर्षे प्रथमपीढीयाः 3D NAND फ्लैशस्मृतिः सामूहिकरूपेण उत्पादनं कृतवती, द्वितीयपीढीयाः 3D NAND फ्लैशस्मृतिः प्रथमं टेप-आउट् प्राप्तवती, तस्मिन् वर्षे Xtacking आर्किटेक्चर अपि प्रदर्शिता तस्मिन् एव वर्षे याङ्गत्से स्टोरेज कार्पोरेशनस्य कुलनिवेशः २४ अरब अमेरिकीडॉलर् यावत् अभवत् ।

२०१९ तमे वर्षे याङ्गत्ज़े मेमोरी इत्यनेन Xtacking आर्किटेक्चर इत्यस्य आधारेण ६४-स्तरस्य २५६ Gb TLC 3D NAND फ्लैश मेमोरी इत्यस्य सामूहिकरूपेण उत्पादनं कृतम्, यत् चीनस्य प्रथमा ६४-स्तरस्य 3D NAND फ्लैश मेमोरी अस्ति । तृतीयपीढीयाः TLC 3D NAND (X2-9060) इत्यस्य डिजाइनं सम्पन्नं कृत्वा प्रथमवारं टेप-आउट् प्राप्तम् ।

२०२० तमे वर्षे याङ्गत्ज़े मेमोरी इत्यनेन तृतीय-पीढीयाः QLC 3D NAND (X2-6070) इत्यस्य सफलतापूर्वकं विकासः कृतः, यत्र स्टैक्-स्तरस्य संख्या १२८ यावत् अभवत् ।तस्मिन् एव वर्षे कम्पनीद्वारा विकसितं उपभोक्तृ-श्रेणी-SSD-इत्येतत् विपण्यां प्रारब्धम्, तथा च... eMMC/UFS एम्बेडेड् भण्डारणं सफलतया सत्यापनम् उत्तीर्णं कृतवान् ।

२०२१ तमे वर्षे याङ्गत्ज़े मेमोरी द्वारा विकसितं निर्मितं च तृतीयपीढीयाः TLC/QLC NAND (X2-9060/X2-6070) पूर्णतया सामूहिकरूपेण उत्पादितं निर्यातितं च भविष्यति, प्रथमचरणस्य कारखाना च पूर्णं उत्पादनं प्राप्स्यति

२०२२ तमे वर्षे २३२-स्तरीय-फ्लैश-स्मृति-कणानां सामूहिक-उत्पादनस्य अतिरिक्तं, कम्पनी तृतीय-पीढीयाः NAND-आधारित-प्रणाली-समाधानं प्रारभ्यते, आधिकारिकतया Xtacking3.0-तकनीकी-आर्किटेक्चरं च विमोचयिष्यति

Yangtze Memory तथा Micron इत्येतयोः मध्ये वर्तमानं पेटन्टमुकदमेषु Xtacking प्रक्रियाप्रौद्योगिक्याः सम्बद्धाः पेटन्टाः अपि सन्ति ।

उन्नत बन्दपरीक्षणं नूतनं मेलबिन्दुः भवति

Xtacking आर्किटेक्चरस्य अतिरिक्तं याङ्गत्ज़े मेमोरी यत् नूतनं प्रतियोगिताबिन्दुं लक्ष्यं करोति तत् उन्नतपैकेजिंग् प्रौद्योगिकी अस्ति ।

अद्यैव चीनस्य अर्धचालक-उद्योग-सङ्घस्य अध्यक्षः याङ्गत्से-स्मृति-भण्डारणस्य अध्यक्षः च चेन् नान्क्सियाङ्गः चीन-केन्द्रीय-रेडियो-दूरदर्शन-स्थानकस्य CGTN-इत्यनेन सह अनन्य-साक्षात्कारे अवदत् यत् अधुना (चीन-अमेरिका च) चिप्-अर्धचालक-उद्योगेन स्पष्टतया " मूर्-नियमः" यत् पूर्वं प्रभावी आसीत् । सर्वाधिकं महत्त्वपूर्णं वस्तु - "सहमतिः" ।

“यतोहि अधुना एकः युगः अस्ति यत्र अनुप्रयोगः राजा अस्ति तदतिरिक्तं सर्वे वेफरनिर्माणप्रौद्योगिक्याः विषये एव ध्यानं ददति स्म, परन्तु अधुना अस्माकं नवीनतमपैकेजिंगप्रौद्योगिक्याः समर्थनस्य अपि आवश्यकता वर्तते उदाहरणार्थं वर्तमानस्य उष्ण एआइ चिप्स् कृते अत्यन्तं उन्नतवेफरनिर्माणस्य आवश्यकता वर्तते .

औद्योगिकशृङ्खलायाः दृष्ट्या वेफर-फाउण्ड्री-उद्योगशृङ्खलायाः उपरिभागः आईसी-डिजाइनः, मध्यप्रवाहः वेफर-निर्माणं, अधःप्रवाहः च पैकेजिंग्-परीक्षणं च अस्ति

पूर्वं वेफरनिर्माण-उद्योगः तुल्यकालिकरूपेण बृहत् विपण्यभागं धारयति स्म । डेबोन् सिक्योरिटीज रिसर्च रिपोर्ट् इत्यनेन सूचितं यत् वेफर-निर्माण-लिङ्कः सम्पूर्णस्य अर्धचालक-उद्योग-शृङ्खलायाः मूल्यस्य प्रायः १९% भागं धारयति

परन्तु यथा यथा एकीकृतपरिपथनिर्माणप्रौद्योगिक्याः स्तरः अर्धचालकयन्त्राणां सामान्यसञ्चालनस्य आकारसीमायाः समीपं गतः । प्रायः षड्दशकानि यावत् स्थापितः मूर्-नियमः क्रमेण मन्दं भवति ।

चेन् वेइ अवदत् यत्, “देशे विदेशे च द्वौ देशौ उन्नतपैकेजिंग्, एकीकरणप्रौद्योगिक्याः माध्यमेन चिप्स् इत्यस्य कम्प्यूटिंग् शक्तिं वा भण्डारणक्षमतां वा अधिकं वर्धयितुं प्रयत्नं कर्तुं आरभन्ते।

YOLE इत्यस्य नवीनतमाः आँकडा: दर्शयन्ति यत् वैश्विक उन्नतपैकेजिंगबाजारस्य विस्तारः २०२३ तः २०२९ पर्यन्तं १२.९% चक्रवृद्धिवार्षिकवृद्धिदरेण (CAGR) निरन्तरं भविष्यति, तथा च बाजारस्य आकारः २०२३ तः ३९.२ अरब अमेरिकीडॉलर् तः... २०२९ तमे वर्षे ८१.१ अब्ज अमेरिकीडॉलर् ।

एतेन चीनीयकम्पनीनां कृते अवसराः प्राप्ताः येषां उन्नतपैकेजिंग-उद्योगे पूर्वमेव केचन लाभाः सन्ति ।

"यांग्त्से मेमोरी इत्यस्य एक्सटैकिंग् प्रौद्योगिक्याः कारणात् उत्पादविकासप्रक्रियायां त्वरितता अभवत् तथा च समग्रव्ययस्य न्यूनीकरणं जातम्। कम्पनी वस्तुतः उन्नतपैकेजिंग् तथा एकीकरणप्रौद्योगिक्याः लाभं प्राप्तवती अस्ति।

तदतिरिक्तं याङ्गत्से मेमोरी इत्यनेन पैकेजिंग्, परीक्षणक्षेत्रे अपि योजनाः कृताः सन्ति । उदाहरणार्थं, Yangtze Memory Holdings 50.94% Hongmao Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd. विविध अर्धचालक चिप पैकेजिंग तथा परीक्षण समाधानं प्रदाति, यत्र उत्पादाः 3D NAND (Raw NAND, eMMC, UFS, eMCP), 2D NAND, NOR, DRAM, SRAM स्मृति-उत्पादानाम् पैकेजिंग् परीक्षणं च ।

एसडीआईसी सिक्योरिटीज इत्यस्य मतं यत् भण्डारण-उद्योगे "अमेरिका-जापान-दक्षिणकोरिया" इत्यत्र परिवर्तनं जातम् अस्ति तथा च आगामिदशवर्षं चीनस्य भण्डारणस्य कृते सुवर्णदशकं भविष्यति।

चेन् वेइ इत्यस्य अपि एतादृशं मतम् अस्ति । "स्मृति-उद्योगः "राजधानी + उत्पादन + प्रौद्योगिकी" गहनः अस्ति। वर्तमान समये केवलं चीन, जापान, दक्षिणकोरिया च केवलं समीचीनाः उत्पादप्रतिभाः तकनीकीप्रतिभाः च प्रदातुं शक्नुवन्ति तथा च उत्तमाः सम्भावनाः सन्ति औद्योगिकग्राहकानाम् आवश्यकताः औद्योगिकसहकार्यस्य लाभाः च।