समाचारं

[tsmc इत्यस्य 2nm प्रक्रियायाः मूल्ये वृद्धिः निरन्तरं भविष्यति: प्रत्येकं वेफरं us$30,000 अधिकं भवति, 4/5nm इत्यस्य द्विगुणं] financial associated press, october 5, इति सूचना अस्ति यत् tsmc इत्यनेन 2nm प्रक्रिया नोड् इत्यस्मिन् प्रमुखं सफलतां प्राप्तवती अस्ति तथा च तस्य परिचयं करिष्यति प्रथमवारं gate-all-around fets (gaafet) इति ट्रांजिस्टरप्रौद्योगिकी। एन 2 प्रक्रियायां नैनोफ्लेक्स् प्रौद्योगिकी अपि समाविष्टा अस्ति, यत् चिप् डिजाइनरः मानकघटकेषु अभूतपूर्वं लचीलतां प्रदाति । वर्तमान n3e प्रक्रियायाः तुलने n2 प्रक्रियायाः समानशक्तिः 10% तः 15% यावत् कार्यक्षमतासुधारः, अथवा समानावृत्तौ विद्युत्-उपभोगे 25% तः 30% यावत् न्यूनता अपेक्षिता अस्ति अतः अपि अधिकं प्रभावशाली अस्ति यत् ट्रांजिस्टरस्य घनत्वं १५% वर्धते, यत् अर्धचालकप्रौद्योगिक्याः क्षेत्रे tsmc इत्यस्य कृते अन्यत् कूर्दनं चिह्नयति । समाचारानुसारं प्रत्येकस्य ३०० मि.मी.२ एनएम वेफरस्य tsmc इत्यस्य मूल्यं ३०,००० अमेरिकीडॉलर् अधिकं भवितुम् अर्हति, यत् पूर्वं अपेक्षितस्य २५,००० अमेरिकीडॉलर् इत्यस्मात् अधिकम् अस्ति । तदनुपातेन ३nm वेफरस्य वर्तमानमूल्यं प्रायः १८,५०० तः २०,००० अमेरिकीडॉलर् यावत् अस्ति, यदा तु ४/५nm वेफरस्य मूल्यं १५,००० तः १६,००० अमेरिकीडॉलर् यावत् अस्ति ।