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[tsmcs 2-nm-prozess wird weiter im preis steigen: jeder wafer übersteigt 30.000 us-dollar, doppelt so viel wie 4/5 nm] financial associated press, 5. oktober, wird berichtet, dass tsmc einen großen durchbruch im 2-nm-prozessknoten erzielt hat und ihn einführen wird erstmals gate-all-around-fets (gaafet)-transistortechnologie. der n2-prozess beinhaltet auch die nanoflex-technologie und bietet chipdesignern eine beispiellose flexibilität bei standardkomponenten. im vergleich zum aktuellen n3e-prozess wird erwartet, dass der n2-prozess bei gleicher leistung eine leistungssteigerung von 10 bis 15 % oder bei gleicher frequenz eine reduzierung des stromverbrauchs um 25 bis 30 % erreichen wird. noch beeindruckender ist, dass die transistordichte um 15 % steigen wird, was einen weiteren sprung für tsmc im bereich der halbleitertechnologie darstellt. berichten zufolge könnte der preis von tsmc für jeden 300-mm-2-nm-wafer 30.000 us-dollar überschreiten und damit über den zuvor erwarteten 25.000 us-dollar liegen. im vergleich dazu liegt der aktuelle preis für 3-nm-wafer bei etwa 18.500 bis 20.000 us-dollar, während der preis für 4/5-nm-wafer zwischen 15.000 und 16.000 us-dollar liegt.