новости

한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina

эта статья подготовлена ​​компанией semiconductor industry versatility (id: i cvi ews).

sk hynix объявила о начале массового производства чипа 12h hbm3e, достигнув самой большой емкости 36 гб среди существующих продуктов hbm.

сегодня южнокорейская компания sk hynix объявила о начале массового производства первого в мире 12-слойного продукта hbm3e емкостью 36 гб, что на данный момент является самой большой емкостью среди существующих hbm.

sk hynix утверждает, что 12-слойный продукт hbm3e соответствует самым высоким мировым стандартам с точки зрения скорости, емкости и стабильности. в течение года компания планирует предложить клиентам продукцию массового производства.

под влиянием этой новости цена акций sk hynix на корейском фондовом рынке в четверг резко выросла.

sk hynix лидирует в массовом производстве 12-слойного hbm

в марте этого года sk hynix поставила клиентам 8-слойный продукт hbm3e, став первым в отрасли. шесть месяцев спустя sk hynix в очередной раз стала первой в отрасли, кто добился массового производства 12-слойных чипов hbm3e, еще раз доказав свои технологические преимущества.

sk hynix — единственная компания, которая разработала и поставила всю серию hbm от первого поколения (hbm1) до пятого поколения (hbm3e) с момента запуска первого в мире hbm в 2013 году.

теперь, осуществив первое в отрасли массовое производство 12-слойной памяти hbm3e, sk hynix сможет удовлетворить растущие потребности компаний, занимающихся искусственным интеллектом, и продолжит сохранять лидирующие позиции на рынке памяти для искусственного интеллекта.

джастин ким, президент sk hynix, сказал: «sk hynix в очередной раз преодолела технические ограничения в области памяти ии и продемонстрировала наше отраслевое лидерство в области памяти ии... чтобы преодолеть проблемы искусственной памяти эпохи разведки, мы будем неуклонно готовиться к следующему поколению продуктов памяти и продолжать сохранять свою позицию номер один в мире».

скорость, мощность и стабильность соответствуют самым высоким стандартам.

по заявлению компании, 12-слойный продукт hbm3e соответствует самым высоким мировым стандартам во всех областях, необходимых для памяти искусственного интеллекта, таких как скорость, емкость и стабильность.

sk hynix увеличила скорость работы памяти до 9,6 гбит/с, что является самой высокой скоростью памяти, доступной на данный момент. если большая языковая модель llama 3 70b управляется одним графическим процессором, оснащенным четырьмя продуктами hbm3e, в общей сложности 70 миллиардов параметров можно считывать 35 раз в секунду.

по сравнению с предыдущим 8-слойным продуктом той же толщины, 12-слойный продукт sk hynix имеет увеличение производительности на 50%. чтобы добиться этого, компания сделала каждый чип dram на 40% тоньше, чем раньше, и расположила его вертикально, используя технологию tsv.

компания также решила структурные проблемы, возникающие из-за установки более тонких чипов выше, применив свою основную технологию — процесс advanced mr-muf. это делает эффективность рассеивания тепла продукта нового поколения на 10% выше, чем у продукта предыдущего поколения, а также обеспечивает стабильность и надежность продукта за счет улучшенного контроля коробления.

как продвигается компания samsung?

hbm (high bandwidth memory) — это ключевой компонент графического процессора, который помогает обрабатывать большие объемы данных, генерируемых сложными приложениями, а технология вертикального стека чипов позволяет экономить место при одновременном снижении энергопотребления.

в настоящее время существует всего три крупных производителя hbm — sk hynix, micron technology и samsung electronics. среди них samsung electronics впервые выпустила hbm3e 12h в феврале этого года.

samsung hbm3e 12h поддерживает всепогодную максимальную пропускную способность до 1280 гб/с, а емкость продукта также достигает 36 гб. по сравнению с 8-слойным hbm3 8h от samsung, hbm3e 12h значительно увеличил пропускную способность и емкость более чем на 50%.

«поставщикам услуг искусственного интеллекта в современной отрасли все чаще требуются hbm большей емкости, и наш новый продукт hbm3e 12h предназначен для удовлетворения этого спроса», — сказал ёнчхоль бэ, исполнительный вице-президент группы планирования продуктов памяти в samsung electronics. решение для хранения данных является частью наших усилий по разработке многослойной базовой технологии hbm и обеспечению технологического лидерства на рынке hbm высокой емкости в эпоху искусственного интеллекта».

в hbm3e 12h используется передовая технология непроводящей пленки горячего прессования (tc ncf), позволяющая поддерживать одинаковую высоту 12- и 8-слойных стопок продуктов в соответствии с текущими требованиями к упаковке hbm. эта технология принесет еще больше преимуществ при более высоких стеках, поскольку отрасль стремится облегчить проблемы изгиба чипов, вызванные пластинами. samsung работает над уменьшением толщины своего непроводящего пленочного материала (ncf) и минимизацией зазора между чипами до 7 микрометров (мкм), одновременно устраняя зазоры между слоями. эти усилия позволили увеличить вертикальную плотность продукта hbm3e 12h более чем на 20% по сравнению с продуктом hbm3 8h.

усовершенствованная технология термопрессованной непроводящей пленки (tc ncf) от samsung также улучшает тепловые характеристики hbm, позволяя использовать выступы разного размера между чипами. в процессе склеивания чипов выступы меньшего размера используются в областях передачи сигнала, а выступы большего размера размещаются в областях, требующих отвода тепла. такой подход помогает повысить выход продукта.

ожидается, что в связи с экспоненциальным ростом приложений искусственного интеллекта hbm3e 12h станет предпочтительным решением для будущих систем, способным удовлетворить потребности системы в более крупных хранилищах. благодаря сверхвысокой производительности и сверхбольшой емкости hbm3e 12h поможет клиентам более гибко управлять ресурсами, одновременно снижая совокупную стоимость владения (tco) центра обработки данных. по сравнению с hbm3 8h, hbm3e 12h оснащен приложениями искусственного интеллекта. ожидается, что средняя скорость обучения искусственному интеллекту может быть увеличена на 34%, а количество пользователей службы вывода также может увеличиться более чем в 11,5 раз.

что касается прогресса в массовом производстве, samsung заявила, что начала предоставлять клиентам образцы hbm3e 12h и, как ожидается, начнет массовое производство во второй половине этого года.