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este artigo é sintetizado pela versatilidade da indústria de semicondutores (id: i cvi ews)

a sk hynix anunciou que iniciou a produção em massa do chip 12h hbm3e, alcançando a maior capacidade de 36 gb entre os produtos hbm existentes.

hoje, a sk hynix da coreia do sul anunciou que iniciou a produção em massa do primeiro produto hbm3e de 12 camadas do mundo com capacidade de 36 gb, que é a maior capacidade do hbm existente até agora.

a sk hynix afirma que o produto hbm3e de 12 camadas atingiu os mais altos padrões globais em termos de velocidade, capacidade e estabilidade. a empresa planeja oferecer produtos de produção em massa aos clientes ainda este ano.

afetado por esta notícia, o preço das ações da sk hynix subiu acentuadamente no mercado de ações coreano na quinta-feira.

sk hynix assume a liderança na produção em massa de hbm de 12 camadas

em março deste ano, a sk hynix entregou o produto hbm3e de 8 camadas aos clientes, estabelecendo uma inovação no setor. seis meses depois, a sk hynix tornou-se mais uma vez a primeira na indústria a atingir a produção em massa de chips hbm3e de 12 camadas, provando mais uma vez suas vantagens tecnológicas.

a sk hynix é a única empresa que desenvolveu e forneceu toda a série hbm desde a primeira geração (hbm1) até a quinta geração (hbm3e) desde o lançamento do primeiro hbm do mundo em 2013.

agora, tendo alcançado a primeira produção em massa de hbm3e de 12 camadas do setor, a sk hynix atenderá às necessidades crescentes das empresas de inteligência artificial e continuará a manter sua posição de liderança no mercado de memória de inteligência artificial.

justin kim, presidente da sk hynix, disse: "a sk hynix mais uma vez rompeu as limitações técnicas no campo da memória de ia e demonstrou nossa liderança na indústria no campo de memória de ia... para superar os desafios da memória artificial era da inteligência, nos prepararemos constantemente para a próxima geração de produtos de memória e continuaremos a manter sua posição de número um no mundo.”

velocidade, capacidade e estabilidade atendem aos mais altos padrões

segundo a empresa, o produto hbm3e de 12 camadas atende aos mais altos padrões mundiais em todas as áreas necessárias para memória de inteligência artificial, como velocidade, capacidade e estabilidade.

sk hynix aumentou a velocidade operacional da memória para 9,6 gbps, que é a velocidade de memória mais alta disponível atualmente. se o modelo de linguagem grande llama 3 70b for alimentado por uma única gpu equipada com 4 produtos hbm3e, um total de 70 bilhões de parâmetros poderão ser lidos 35 vezes por segundo.

comparado com o produto anterior de 8 camadas da mesma espessura, o produto de 12 camadas da sk hynix tem um aumento de capacidade de 50%. para conseguir isso, a empresa tornou cada chip dram 40% mais fino do que antes e empilhou-o verticalmente usando a tecnologia tsv.

a empresa também resolveu problemas estruturais que surgem do empilhamento mais alto de chips mais finos, aplicando sua tecnologia principal, o processo advanced mr-muf. isto torna o desempenho de dissipação de calor do produto de nova geração 10% superior ao do produto da geração anterior e garante a estabilidade e confiabilidade do produto através de um controle aprimorado de empenamento.

como a samsung está progredindo?

hbm (high bandwidth memory) é um componente chave da gpu que ajuda a lidar com grandes quantidades de dados gerados por aplicativos complexos, e a tecnologia de empilhamento vertical de chips pode economizar espaço e reduzir o consumo de energia.

atualmente, existem apenas três grandes fabricantes da hbm - sk hynix, micron technology e samsung electronics. entre eles, a samsung electronics lançou o hbm3e 12h pela primeira vez em fevereiro deste ano.

samsung hbm3e 12h suporta largura de banda máxima para qualquer clima de até 1280 gb/s, e a capacidade do produto também atinge 36 gb. comparado com o hbm3 8h empilhado de 8 camadas da samsung, o hbm3e 12h aumentou significativamente a largura de banda e a capacidade em mais de 50%.

“os provedores de serviços de inteligência artificial na indústria atual exigem cada vez mais hbms de maior capacidade, e nosso novo produto hbm3e 12h foi projetado para atender a essa demanda”, disse yongcheol bae, vice-presidente executivo da equipe de planejamento de produtos de memória da samsung electronics. a solução de armazenamento faz parte de nossos esforços para desenvolver a tecnologia central hbm empilhada em múltiplas camadas e fornecer liderança tecnológica para o mercado hbm de alta capacidade na era da inteligência artificial."

o hbm3e 12h usa tecnologia avançada de filme não condutor prensado a quente (tc ncf) para manter a altura dos produtos empilhados de 12 e 8 camadas consistente para atender aos requisitos atuais de embalagem da hbm. essa tecnologia trará ainda mais benefícios em pilhas mais altas, à medida que a indústria busca aliviar os problemas de curvatura de chips causados ​​por wafers. a samsung tem trabalhado para reduzir a espessura do seu material de filme não condutor (ncf) e minimizar o espaço entre os chips para 7 micrômetros (µm), ao mesmo tempo que elimina os espaços entre as camadas. esses esforços aumentaram a densidade vertical do seu produto hbm3e 12h em mais de 20% em comparação com o seu produto hbm3 8h.

a avançada tecnologia de filme não condutor prensado termicamente (tc ncf) da samsung também melhora o desempenho térmico da hbm, permitindo o uso de saliências de diferentes tamanhos entre os chips. durante o processo de ligação do chip, saliências menores são usadas em áreas de transmissão de sinal, enquanto saliências maiores são colocadas em áreas que requerem dissipação de calor. essa abordagem ajuda a melhorar o rendimento do produto.

com o crescimento exponencial das aplicações de inteligência artificial, espera-se que o hbm3e 12h se torne a solução preferida para sistemas futuros para atender à demanda do sistema por maior armazenamento. com desempenho ultra-alto e capacidade ultragrande, o hbm3e 12h ajudará os clientes a gerenciar recursos com mais flexibilidade, ao mesmo tempo que reduz o custo total de propriedade (tco) do data center. comparado com o hbm3 8h, o hbm3e 12h está equipado com aplicativos de inteligência artificial. espera-se que a velocidade média do treinamento de inteligência artificial possa aumentar em 34%, e o número de usuários do serviço de inferência também possa aumentar em mais de 11,5 vezes.

em relação ao progresso da produção em massa, a samsung disse que começou a fornecer amostras hbm3e 12h aos clientes e deverá iniciar a produção em massa no segundo semestre deste ano.