berita

한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina

artikel ini disintesis oleh keserbagunaan industri semikonduktor (id: i cvi ews)

sk hynix mengumumkan bahwa mereka telah memulai produksi massal chip hbm3e 12h, mencapai kapasitas 36gb terbesar di antara produk hbm yang ada.

hari ini, sk hynix dari korea selatan mengumumkan bahwa mereka telah memulai produksi massal produk hbm3e 12 lapis pertama di dunia dengan kapasitas 36gb, yang merupakan kapasitas terbesar dari hbm yang ada sejauh ini.

sk hynix mengklaim produk hbm3e 12 lapis telah mencapai standar global tertinggi dalam hal kecepatan, kapasitas, dan stabilitas. perusahaan berencana menawarkan produk produksi massal kepada pelanggan dalam tahun ini.

dipengaruhi kabar tersebut, harga saham sk hynix melonjak tajam di pasar saham korea pada kamis.

sk hynix memimpin dalam mencapai produksi massal hbm 12 lapis

pada bulan maret tahun ini, sk hynix mengirimkan produk hbm3e 8 lapis kepada pelanggan, menjadikannya yang pertama di industri. enam bulan kemudian, sk hynix sekali lagi menjadi yang pertama di industri yang mencapai produksi massal chip hbm3e 12 lapis, sekali lagi membuktikan keunggulan teknologinya.

sk hynix merupakan satu-satunya perusahaan yang mengembangkan dan memasok seluruh seri hbm dari generasi pertama (hbm1) hingga generasi kelima (hbm3e) sejak meluncurkan hbm pertama di dunia pada tahun 2013.

kini, setelah mencapai produksi massal hbm3e 12 lapis yang pertama di industri, sk hynix akan memenuhi kebutuhan perusahaan kecerdasan buatan yang terus meningkat dan terus mempertahankan posisi terdepannya di pasar memori kecerdasan buatan.

justin kim, presiden sk hynix, mengatakan: "sk hynix sekali lagi berhasil menembus keterbatasan teknis di bidang memori ai dan menunjukkan kepemimpinan industri kami di bidang memori ai... untuk mengatasi tantangan memori buatan era intelijen, kami akan terus mempersiapkan produk memori generasi berikutnya, dan terus mempertahankan posisi nomor satu di dunia.”

kecepatan, kapasitas, dan stabilitas semuanya memenuhi standar tertinggi

menurut perusahaan, produk hbm3e 12 lapis memenuhi standar tertinggi dunia di semua bidang yang diperlukan untuk memori kecerdasan buatan seperti kecepatan, kapasitas, dan stabilitas.

sk hynix telah meningkatkan kecepatan pengoperasian memori menjadi 9,6 gbps, yang merupakan kecepatan memori tertinggi yang tersedia saat ini. jika model bahasa besar llama 3 70b digerakkan oleh satu gpu yang dilengkapi dengan 4 produk hbm3e, total 70 miliar parameter dapat dibaca 35 kali per detik.

dibandingkan dengan produk 8 lapis sebelumnya dengan ketebalan yang sama, produk 12 lapis sk hynix memiliki peningkatan kapasitas sebesar 50%. untuk mencapai hal ini, perusahaan membuat setiap chip dram 40% lebih tipis dari sebelumnya dan menumpuknya secara vertikal menggunakan teknologi tsv.

perusahaan juga telah memecahkan masalah struktural yang timbul dari penumpukan chip yang lebih tipis lebih tinggi dengan menerapkan teknologi intinya, proses advanced mr-muf. hal ini membuat kinerja pembuangan panas produk generasi baru 10% lebih tinggi dibandingkan produk generasi sebelumnya, dan memastikan stabilitas dan keandalan produk melalui kontrol lengkungan yang ditingkatkan.

bagaimana kemajuan samsung?

hbm (memori bandwidth tinggi) adalah komponen kunci gpu yang membantu menangani data dalam jumlah besar yang dihasilkan oleh aplikasi kompleks, dan teknologi penumpukan vertikal chip dapat menghemat ruang sekaligus mengurangi konsumsi daya.

saat ini, hanya ada tiga produsen besar hbm - sk hynix, micron technology, dan samsung electronics. diantaranya, samsung electronics meluncurkan hbm3e 12h pertama kali pada februari tahun ini.

samsung hbm3e 12h mendukung bandwidth maksimum segala cuaca hingga 1280gb/s, dan kapasitas produknya juga mencapai 36gb. dibandingkan dengan hbm3 8h tumpuk 8 lapis samsung, hbm3e 12h telah meningkatkan bandwidth dan kapasitas secara signifikan hingga lebih dari 50%.

“penyedia layanan intelijen buatan di industri saat ini semakin membutuhkan hbm berkapasitas lebih tinggi, dan produk baru kami hbm3e 12h dirancang untuk memenuhi permintaan ini,” kata yongcheol bae, wakil presiden eksekutif tim perencanaan produk memori di samsung electronics, “ini baru solusi penyimpanan ini merupakan bagian dari upaya kami untuk mengembangkan teknologi inti hbm bertumpuk multi-lapis dan memberikan kepemimpinan teknologi untuk pasar hbm berkapasitas tinggi di era kecerdasan buatan."

hbm3e 12h menggunakan teknologi film non-konduktif hot-pressed (tc ncf) yang canggih untuk menjaga ketinggian produk tumpukan 12 lapis dan 8 lapis tetap konsisten untuk memenuhi persyaratan pengemasan hbm saat ini. teknologi ini akan memberikan lebih banyak manfaat pada tumpukan yang lebih tinggi karena industri berupaya mengurangi masalah pembengkokan chip yang disebabkan oleh wafer. samsung telah berupaya mengurangi ketebalan bahan film non-konduktif (ncf) dan meminimalkan jarak antar chip hingga 7 mikrometer (µm) sekaligus menghilangkan celah antar lapisan. upaya ini telah meningkatkan kepadatan vertikal produk hbm3e 12h lebih dari 20% dibandingkan produk hbm3 8h.

teknologi film non-konduktif yang ditekan secara termal (tc ncf) canggih dari samsung juga meningkatkan kinerja termal hbm dengan memungkinkan penggunaan tonjolan dengan ukuran berbeda antar chip. selama proses pengikatan chip, tonjolan yang lebih kecil digunakan di area transmisi sinyal, sedangkan tonjolan yang lebih besar ditempatkan di area yang memerlukan pembuangan panas. pendekatan ini membantu meningkatkan hasil produk.

dengan pertumbuhan aplikasi kecerdasan buatan yang eksponensial, hbm3e 12h diharapkan menjadi solusi pilihan bagi sistem masa depan guna memenuhi permintaan sistem akan penyimpanan yang lebih besar. dengan kinerja ultra-tinggi dan kapasitas ultra-besar, hbm3e 12h akan membantu pelanggan mengelola sumber daya dengan lebih fleksibel sekaligus mengurangi total biaya kepemilikan (tco) pusat data. dibandingkan dengan hbm3 8h, hbm3e 12h dilengkapi dengan aplikasi kecerdasan buatan. diharapkan kecepatan rata-rata pelatihan kecerdasan buatan dapat meningkat sebesar 34%, dan jumlah pengguna layanan inferensi juga dapat meningkat lebih dari 11,5 kali lipat.

terkait progres produksi massal, samsung menyatakan sudah mulai memberikan sampel hbm3e 12h kepada pelanggan dan diperkirakan akan mulai produksi massal pada paruh kedua tahun ini.