nachricht

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dieser artikel wurde von semiconductor industry versatility (id: i cvi ews) zusammengestellt.

sk hynix gab bekannt, dass es mit der massenproduktion des 12h-hbm3e-chips begonnen hat und damit die größte 36-gb-kapazität unter den bestehenden hbm-produkten erreicht hat.

das südkoreanische unternehmen sk hynix gab heute bekannt, dass es mit der massenproduktion des weltweit ersten 12-schicht-hbm3e-produkts mit einer kapazität von 36 gb begonnen hat, was die bislang größte kapazität bestehender hbm darstellt.

sk hynix behauptet, dass das 12-lagige hbm3e-produkt die höchsten globalen standards in bezug auf geschwindigkeit, kapazität und stabilität erreicht hat. das unternehmen plant, den kunden noch im laufe des jahres massenproduktionsprodukte anzubieten.

betroffen von dieser nachricht stieg der aktienkurs von sk hynix am donnerstag am koreanischen aktienmarkt stark an.

sk hynix übernimmt die führung bei der massenproduktion von 12-schicht-hbm

im märz dieses jahres lieferte sk hynix das 8-schichtige hbm3e-produkt an kunden aus und stellte damit ein novum in der branche dar. sechs monate später war sk hynix erneut der erste hersteller der branche, der die massenproduktion von 12-lagigen hbm3e-chips erreichte und damit erneut seine technologischen vorteile unter beweis stellte.

sk hynix ist das einzige unternehmen, das seit der markteinführung des weltweit ersten hbm im jahr 2013 die gesamte hbm-serie von der ersten generation (hbm1) bis zur fünften generation (hbm3e) entwickelt und geliefert hat.

nachdem sk hynix nun die branchenweit erste massenproduktion von 12-lagigem hbm3e erreicht hat, wird es den wachsenden anforderungen von unternehmen im bereich der künstlichen intelligenz gerecht und kann weiterhin seine führende position auf dem speichermarkt für künstliche intelligenz behaupten.

justin kim, präsident von sk hynix, sagte: „sk hynix hat erneut die technischen beschränkungen im bereich des ki-speichers durchbrochen und unsere branchenführerschaft im bereich des ki-speichers unter beweis gestellt … um die herausforderungen des künstlichen zu meistern.“ im geheimdienstzeitalter werden wir uns kontinuierlich auf die nächste generation von speicherprodukten vorbereiten und weiterhin seine weltweit führende position behaupten.“

geschwindigkeit, kapazität und stabilität entsprechen höchsten ansprüchen

nach angaben des unternehmens erfüllt das 12-schichtige hbm3e-produkt die weltweit höchsten standards in allen bereichen, die für speicher mit künstlicher intelligenz erforderlich sind, wie geschwindigkeit, kapazität und stabilität.

sk hynix hat die speicherbetriebsgeschwindigkeit auf 9,6 gbit/s erhöht, was die höchste derzeit verfügbare speichergeschwindigkeit darstellt. wenn das große sprachmodell llama 3 70b von einer einzelnen gpu angetrieben wird, die mit 4 hbm3e-produkten ausgestattet ist, können insgesamt 70 milliarden parameter 35 mal pro sekunde gelesen werden.

im vergleich zum vorherigen 8-lagen-produkt gleicher dicke weist das 12-lagen-produkt von sk hynix eine kapazitätssteigerung von 50 % auf. um dies zu erreichen, hat das unternehmen jeden dram-chip 40 % dünner als zuvor gemacht und ihn mithilfe der tsv-technologie vertikal gestapelt.

durch den einsatz seiner kerntechnologie, dem advanced mr-muf-prozess, hat das unternehmen auch strukturelle probleme gelöst, die sich aus der höheren stapelung dünnerer chips ergeben. dadurch ist die wärmeableitungsleistung des produkts der neuen generation um 10 % höher als die des produkts der vorherigen generation und gewährleistet produktstabilität und zuverlässigkeit durch eine verbesserte verformungskontrolle.

wie geht es samsung voran?

hbm (high bandwidth memory) ist eine schlüsselkomponente der gpu, die bei der bewältigung der großen datenmengen hilft, die durch komplexe anwendungen generiert werden, und die vertikale chip-stacking-technologie kann platz sparen und gleichzeitig den stromverbrauch senken.

derzeit gibt es nur drei große hersteller von hbm – sk hynix, micron technology und samsung electronics. unter anderem brachte samsung electronics im februar dieses jahres zum ersten mal den hbm3e 12h auf den markt.

samsung hbm3e 12h unterstützt bei jedem wetter eine maximale bandbreite von bis zu 1280 gb/s und die produktkapazität erreicht auch 36 gb. im vergleich zum 8-schichtigen gestapelten hbm3 8h von samsung hat der hbm3e 12h die bandbreite und kapazität deutlich um mehr als 50 % erhöht.

„anbieter künstlicher intelligenz in der aktuellen branche benötigen zunehmend hbms mit höherer kapazität, und unser neues produkt hbm3e 12h ist darauf ausgelegt, diesen bedarf zu decken“, sagte yongcheol bae, executive vice president des memory product planning teams bei samsung electronics. „dieses neue produkt.“ die speicherlösung ist teil unserer bemühungen, mehrschichtige gestapelte hbm-kerntechnologie zu entwickeln und im zeitalter der künstlichen intelligenz eine technologieführerschaft für den hbm-markt mit hoher kapazität sicherzustellen.“

hbm3e 12h nutzt die fortschrittliche heißgepresste nichtleitende filmtechnologie (tc ncf), um die höhe von 12-lagigen und 8-lagigen stapelprodukten konstant zu halten und den aktuellen hbm-verpackungsanforderungen zu entsprechen. diese technologie wird bei höheren stapeln noch mehr vorteile bringen, da die industrie versucht, die durch wafer verursachten chip-biegeprobleme zu lindern. samsung hat daran gearbeitet, die dicke seines nichtleitenden filmmaterials (ncf) zu reduzieren und den abstand zwischen den chips auf 7 mikrometer (µm) zu minimieren, während gleichzeitig lücken zwischen den schichten beseitigt werden. diese bemühungen haben die vertikale dichte seines hbm3e 12h-produkts im vergleich zu seinem hbm3 8h-produkt um mehr als 20 % erhöht.

die fortschrittliche technologie des thermisch gepressten nichtleitenden films (tc ncf) von samsung verbessert auch die thermische leistung von hbm, indem sie die verwendung von bumps unterschiedlicher größe zwischen den chips ermöglicht. während des chip-bonding-prozesses werden kleinere bumps in signalübertragungsbereichen verwendet, während größere bumps in bereichen platziert werden, die eine wärmeableitung erfordern. dieser ansatz trägt zur verbesserung der produktausbeute bei.

angesichts des exponentiellen wachstums von anwendungen der künstlichen intelligenz wird hbm3e 12h voraussichtlich zur bevorzugten lösung für zukünftige systeme werden, um den bedarf des systems an größerem speicher zu decken. mit ultrahoher leistung und extrem großer kapazität hilft hbm3e 12h kunden dabei, ressourcen flexibler zu verwalten und gleichzeitig die gesamtbetriebskosten (tco) des rechenzentrums zu senken. im vergleich zu hbm3 8h ist hbm3e 12h mit anwendungen für künstliche intelligenz ausgestattet. es wird erwartet, dass die durchschnittliche geschwindigkeit des trainings mit künstlicher intelligenz um 34 % gesteigert werden kann und die anzahl der benutzer von inferenzdiensten um mehr als das 11,5-fache steigen kann.

was den fortschritt der massenproduktion anbelangt, sagte samsung, dass man mit der lieferung von hbm3e 12h-mustern an kunden begonnen habe und voraussichtlich in der zweiten hälfte dieses jahres mit der massenproduktion beginnen werde.