समाचारं

한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina

अगस्तमासस्य ६ दिनाङ्के समाचारानुसारं सद्यःकाले इन्टेल्-उपार्जन-सम्मेलन-कॉल-मध्ये इन्टेल्-सङ्घस्य मुख्याधिकारी पैट् गेल्सिङ्गर्-इत्यनेन प्रकटितं यत् विश्वस्य द्वितीयं High NA (high numerical aperture) EUV-लिथोग्राफी-यन्त्रं शीघ्रमेव लेगोन्-राज्यस्य आस्ट्रिया-नगरे Intel-इत्यस्य सुविधायां प्रविशति .

एएसएमएल इत्यनेन द्वितीयत्रिमासिकवित्तीयप्रतिवेदनसभायां अपि उक्तं यत् कम्पनी ग्राहकेभ्यः स्वस्य द्वितीयं High NA EUV लिथोग्राफीयन्त्रं प्रेषयितुं आरब्धा, परन्तु कस्य ग्राहकस्य परिचयं न कृतवान्। अधुना, अयं ग्राहकः इन्टेल् अस्ति ।

आँकडा दर्शयति यत् ASML इत्यस्य प्रथम-पीढीयाः High NA EUV (EXE:5000) इत्यस्य रिजोल्यूशनं 8nm अस्ति, यत् विद्यमानानाम् EUV लिथोग्राफी-यन्त्राणां अपेक्षया 1.7 गुणानि लघु भौतिक-विशेषतानि प्राप्तुं शक्नोति, येन एकस्मिन् एक्सपोजर-मध्ये ट्रांजिस्टर-घनत्वं २.९ गुणा वर्धते , यत् कर्तुं शक्नोति चिप् निर्मातृभ्यः स्वस्य निर्माणप्रक्रियासु सुव्यवस्थितीकरणाय सक्षमं कुर्वन्ति । अपि च, EXE:5000 प्रतिघण्टां 185 वेफरात् अधिकं एच् कर्तुं शक्नोति, यत् उच्च-मात्रायां निर्माणे पूर्वमेव प्रयुक्तानां NXE-प्रणालीनां अपेक्षया वृद्धिः अस्ति । एएसएमएल इत्यनेन २०२५ तमवर्षपर्यन्तं द्वितीयपीढीयाः उच्चएनए ईयूवी लिथोग्राफीयन्त्रस्य उत्पादनक्षमता २२० वेफरप्रतिघण्टां यावत् वर्धयितुं मार्गचित्रमपि विकसितम् अस्ति, येन सुनिश्चितं भवति यत् उच्चएनए ईयूवी लिथोग्राफीयन्त्राणां चिपकारखानेषु एकीकरणेन चिपनिर्मातृभ्यः महत् लाभः भवति आर्थिकदृष्ट्या महत्त्वपूर्णम्। पूर्वसूचनानुसारं High NA EUV इत्यस्य मूल्यं प्रति यूनिट् ३५ कोटि यूरो यावत् अधिकम् अस्ति ।

यथा वयं सर्वे जानीमः, Intel इत्यनेन ASML इत्यनेन सह दशकैः सह कार्यं कृत्वा 193nm इमर्सन लिथोग्राफीतः EUV यावत् लिथोग्राफी प्रौद्योगिक्याः विकासं प्रवर्तयितुं शक्यते, परन्तु मूल्यविचारस्य कारणात् Intel इत्यनेन स्वस्य 10nm प्रक्रियायां (TSMC 6nm इत्यस्य बराबरम्) एतस्य प्रौद्योगिक्याः उपयोगं न कर्तुं चयनं कृतम् तस्य स्थाने इन्टेल् इत्यनेन क्वाड् पैटर्निङ्ग् इत्यस्य कृते मानकं गहनं पराबैंगनी (DUV) लिथोग्राफी यन्त्रं उपयोक्तुं विकल्पितम्, यत् EUV इत्यस्य उपयोगेन एकस्य एक्सपोजरस्य अपेक्षया एकस्य चिप् स्तरस्य चत्वारि DUV एक्सपोजरस्य आवश्यकता भवति फलतः इन्टेल्-संस्थायाः उपज-कठिनता अभवत् येन तस्य १०nm-प्रक्रियायां पञ्चवर्षेभ्यः विलम्बः जातः । एतेन इन्टेल् इत्येतत् TSMC, Samsung इत्यादिभिः निर्मातृभिः अपि निरन्तरं अतिक्रान्तं कर्तुं शक्यते ये प्रथमतया EUV लिथोग्राफी यन्त्राणां उपयोगं कृतवन्तः ।

अतः इन्टेल्-सीईओ किसिन्जर-संस्थायाः "IDM 2.0"-रणनीत्याः प्रस्तावस्य अनन्तरं इन्टेल्-संस्थायाः शीघ्रमेव अत्याधुनिक-प्रक्रिया-प्रौद्योगिक्याः सुधारणे पुनः ध्यानं दत्तम्, चतुर्वर्षेषु पञ्च-प्रक्रिया-नोड्-इत्यस्य योजना प्रस्ताविता, २०२५ तमे वर्षे इन्टेल्-१८ए-इत्यनेन सह TSMC-इत्यस्य वर्चस्वं प्राप्तुं आशास्ति ।अतः परम् 2nm प्रक्रिया इति । तस्मिन् एव काले इन्टेल् अपि उच्च NA EUV लिथोग्राफी यन्त्राणां स्वीकरणे अग्रणीः भूत्वा TSMC इत्यादिषु प्रतियोगिषु निरन्तरं नेतृत्वं प्राप्तुं आशास्ति अन्ततः इन्टेल्-संस्थायाः फाउण्ड्री-व्यापारः २०३० तमे वर्षे ब्रेक-इवेन्-सञ्चालन-लाभ-मार्जिनं प्राप्स्यति, विश्वस्य द्वितीयं बृहत्तमं वेफर-फाउण्ड्री-कार्यालयं च भविष्यति ।

अस्य कृते इन्टेल् इत्यनेन २०२३ तमस्य वर्षस्य डिसेम्बर्-मासे विश्वस्य प्रथमं High NA EUV लिथोग्राफी-यन्त्रं अधिग्रहणं कृत्वा इन्टेल्-संस्थायाः Oregon wafer fab इत्यत्र संस्थापनं आरब्धम् उच्च एनए ईयूवी लिथोग्राफी प्रणाल्याः आकारः द्विस्तरीयबसस्य बराबरः भवति, तस्य भारः १५० टनपर्यन्तं भवति, यत् एयरबस् ए३२० यात्रीविमानद्वयस्य समकक्षं भवति, सम्पूर्णप्रणाल्याः कृते ४३ मालवाहकपात्रेषु २५० मालपेटिकाः आवश्यकाः भवन्ति the system अनुमानं भवति यत् अस्य स्थापनां पूर्णं कर्तुं २५० अभियांत्रिकीकर्मचारिणः ६ मासाः च आवश्यकाः भविष्यन्ति, यत् न केवलं महत् अपितु अत्यन्तं समयग्राही अपि अस्ति

अस्मिन् वर्षे एप्रिल-मासस्य १८ दिनाङ्के इन्टेल् इत्यनेन आधिकारिकतया घोषितं यत् सः ओरेगन-देशस्य हिल्सबोरो-नगरे स्वस्य अनुसंधान-विकास-आधारे उन्नत-अर्धचालक-निर्माण-क्षेत्रे महत्त्वपूर्णं माइलस्टोन् प्राप्तवान्, उद्योगस्य प्रथमस्य वाणिज्यिकस्य उच्च-एनए-ईयूवी-लिथोग्राफी-यन्त्रस्य संयोजनं च सम्पन्नवान्

इन्टेल् इत्यस्य योजनानुसारं उच्च NA EUV लिथोग्राफी यन्त्रस्य उपयोगः प्रथमं Intel 18A-सम्बद्धपरीक्षणार्थं प्रासंगिकानुभवसञ्चयार्थं भविष्यति, अन्ते च Intel 14A इत्यस्य सामूहिकनिर्माणार्थं उपयुज्यते

पूर्वप्रतिवेदनानि दर्शयन्ति यत् ASML इत्यनेन एकदर्जनाधिकानां High NA EUV लिथोग्राफीयन्त्राणां आदेशः प्राप्तः, यत्र TSMC, Samsung, Intel, Micron, SK Hynix इत्यादयः ग्राहकाः सन्ति ASML CEO Christophe Fouquet इत्यनेन सूचितं यत् DRAM चिप् निर्मातारः 2025 अथवा 2026 तमे वर्षे High NA EUV उपकरणस्य उपयोगं आरभुं शक्नुवन्ति।

सम्पादक: कोर बुद्धि - रुरौनी तलवार