2024-10-06
한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina
आईटी हाउस् इत्यनेन ६ अक्टोबर् दिनाङ्के ज्ञापितं यत् हुबेई जिउफेङ्गशान् प्रयोगशालायाः अनुसारं २०२४ तमस्य वर्षस्य सितम्बरमासे जिउफेङ्गशान् प्रयोगशालायाः सिलिकॉन्-आधारित-चिप्-मध्ये एकीकृतं लेजर-प्रकाश-स्रोतं सफलतया प्रकाशितम्चीनदेशे अपि एतत् प्रथमवारं सफलतया कार्यान्वितम् अस्ति ।, जिउफेङ्गशान् प्रयोगशालायाः पुनः सिलिकॉन-फोटॉनिक्स-एकीकरणस्य क्षेत्रे एकं मीलपत्थरं सफलतां प्राप्तवती ।
एषा उपलब्धिः जिउफेङ्गशान् प्रयोगशालायाः स्वविकसितविषमसमायोजनप्रौद्योगिक्याः उपयोगं करोति जटिलप्रक्रियायाः अनन्तरं ८-इञ्च्-एसओआइ-वेफरस्य अन्तः इण्डियम-फॉस्फाइड्-लेजरस्य प्रक्रिया-एकीकरणं सम्पन्नम्
जिउफेङ्गशान प्रयोगशाला परिचय: १.
इयं प्रौद्योगिकी उद्योगे इति नाम्ना प्रसिद्धा अस्ति"चिप् प्रकाशते"।, जो संचरण के लिए विद्युत संकेतों के प्रतिस्थापित करने के लिए ऑप्टिकल सिग्नल का उपयोग करता है। . एतत् डाटा सेण्टर्, कम्प्यूटिङ्ग् पावर सेण्टर्, सीपीयू/जीपीयू चिप्स्, एआइ चिप्स् इत्यादीनां क्षेत्राणां प्रचारार्थं अभिनवभूमिकां निर्वहति ।
▲ सूक्ष्मदर्शिकायाः अन्तर्गतं ऑन-चिप् प्रकाशस्रोतचिपस्य प्रकाशनिर्गमस्य विडियो
सिलिकॉन-आधारित-आप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स-एकीकरणे आधारितं ऑन-चिप्-ऑप्टिकल-अन्तर-संयोजनं मूर्-उत्तरयुगे एकीकृत-सर्किट-प्रौद्योगिक्याः विकासेन विद्युत्-उपभोगः, बैण्डविड्थः, विलम्बः च इत्यादीनां अटङ्कानां भङ्गाय आदर्शसमाधानं मन्यते. पूर्णतया एकीकृतसिलिकॉन-फोटोनिक-मञ्चानां विकासे उद्योगस्य वर्तमानस्य सर्वाधिकं कठिन-चुनौत्यं सिलिकॉन-उपस्तरानाम् उपरि प्रकाशस्रोतानां विकासे एकीकरणे च अस्ति, ये उच्चदक्षतया प्रकाशं उत्सर्जयितुं शक्नुवन्ति, सिलिकॉन-फोटोनिक-चिप्सस्य "हृदयम्" अन्तर्राष्ट्रीयरूपेण मम देशस्य प्रकाशविद्युत्क्षेत्रे कतिपयेषु अवशिष्टेषु रिक्तलिङ्केषु एषा प्रौद्योगिकी अन्यतमः अस्ति ।
जिउफेङ्गशान् प्रयोगशालायाः सिलिकॉन् फोटोनिक्स प्रक्रियादलः प्रमुखसमस्यानां निवारणाय भागिनैः सह सहकार्यं करोति ।8-इञ्च् सिलिकॉन-फोटोनिक-वेफरस्य उपरि iii-v लेजर-सामग्री-एपिटैक्सियल-कणानां विषम-बन्धनं, ततः cmos-सङ्गतं ऑन-चिप्-यन्त्र-निर्माण-प्रक्रियाम् अकुर्वन्एतेन iii-v सामग्रीसंरचनानिर्माणस्य विकासस्य च कठिनतानां समाधानं कृतम्, सामग्रीनां वेफरानाञ्च न्यूनबन्धन-उपजः, विषम-एकीकृत-वेफरस्य च ऑन-वेफर-प्रतिरूपणं एचिंग्-नियन्त्रणं च सफलतया कृतम् अस्तिप्रायः दशवर्षेभ्यः अनुसन्धानस्य अनुसन्धानस्य च अनन्तरं अन्ततः वयं चिप्-लेजरं प्रकाशयितुं "चिप् प्रकाश-उत्सर्जनं" प्राप्तुं सफलाः अभवम ।。
▲ सिलिकॉन् सब्सट्रेटस्य उपरि जिउफेङ्गशान् प्रयोगशालायाः ८ इञ्च् प्रकाशस्रोतस्य चिप् वेफरः
पारम्परिक-असतत-पैक्ड्-बाह्य-प्रकाश-स्रोतानां तथा एफसी-सूक्ष्म-सङ्घटन-प्रकाश-स्रोतानां तुलने, जिउफेङ्गशान-प्रयोगशालायाः ऑन-चिप्-प्रकाश-स्रोत-प्रौद्योगिकी अपर्याप्त-युग्मन-दक्षतायाः, दीर्घ-संरेखण-समायोजनसमयस्य, अपर्याप्त-संरेखण-सटीकतायाः च सह पारम्परिक-सिलिकॉन-फोटोनिक-चिप्स-प्रक्रिया-समस्यानां प्रभावीरूपेण समाधानं कर्तुं शक्नोति उच्चोत्पादनव्ययः, बृहत् आकारः, बृहत्-परिमाणे एकीकरणे कठिनता च इत्यादीन् सामूहिक-उत्पादनस्य अटङ्कान् भङ्गयति ।
▲ सिलिकॉन् सब्सट्रेटस्य उपरि जिउफेङ्गशान् प्रयोगशालायाः ८ इञ्च् प्रकाशस्रोतस्य चिप् वेफरः
आईटी हाउस् इत्यनेन सार्वजनिकसूचनायाः विषये पृष्टं कृत्वा ज्ञातं यत् मार्च २०२३ तमे वर्षे चक्रवृद्धि-अर्धचालक-अनुसन्धान-विकास-नवाचारयोः केन्द्रितं हुबेई-जिउफेङ्गशान्-प्रयोगशाला आधिकारिकतया कार्यं कर्तुं प्रवृत्ता एकवर्षस्य परिचालनस्य अनन्तरं जिउफेङ्गशान् प्रयोगशालायाः ८ इञ्च् पायलट् रेखा कार्यानुष्ठानं कृतम्, वेफर्स् (उच्च-सटीकता-जालम्) इत्यस्य प्रथमः समूहः उत्पादनपङ्क्तौ सफलतया लुठितः, विश्वस्य प्रथमः ८-इञ्च् सिलिकॉन-फोटोनिक-पतली-पतली-पतली-पटल-लिथियम-नियोबेट्-इत्येतत् च ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक एकीकृत वेफर उत्पादनरेखातः लुठितम्।