nachricht

it house berichtete am 6. oktober, dass das jiufengshan laboratory nach angaben des hubei jiufengshan laboratory im september 2024 die in den siliziumbasierten chip integrierte laserlichtquelle erfolgreich zum leuchten gebracht hat.dies ist auch das erste mal, dass diese technologie in china erfolgreich implementiert wurde.dem jiufengshan laboratory gelang erneut ein meilenstein auf dem gebiet der silizium-photonik-integration.

diese leistung nutzt die selbst entwickelte heterogene integrationstechnologie des jiufengshan laboratory. nach einem komplexen prozess wurde die prozessintegration des indiumphosphidlasers in den 8-zoll-soi-wafer abgeschlossen.

das jiufengshan-labor stellte vor:

diese technologie ist in der branche bekannt als„chip glänzt“, das optische signale mit besserer übertragungsleistung verwendet, um elektrische signale für die übertragung zu ersetzen. es ist ein wichtiges mittel, um die signaldatenübertragung zwischen chips zu untergraben. der hauptzweck besteht darin, das problem zu lösen, dass die aktuellen elektrischen signale zwischen chips nahe an der physikalischen grenze liegen . es wird eine innovative rolle bei der förderung von rechenzentren, rechenleistungszentren, cpu/gpu-chips, ki-chips und anderen bereichen spielen.

▲ video der lichtleistung des on-chip-lichtquellenchips unter einem mikroskop

die optische on-chip-verbindung auf basis der siliziumbasierten optoelektronischen integration gilt als ideale lösung, um die engpässe wie stromverbrauch, bandbreite und verzögerung zu überwinden, mit denen die entwicklung der integrierten schaltkreistechnologie in der post-moore-ära konfrontiert war.. die derzeit größte herausforderung der branche bei der entwicklung vollständig integrierter silizium-photonik-plattformen liegt in der entwicklung und integration von lichtquellen auf siliziumsubstraten, die licht mit hoher effizienz emittieren können, dem „herz“ von silizium-photonik-chips. diese technologie ist international einer der wenigen verbleibenden leeren links auf dem gebiet der optoelektronik meines landes.

das siliziumphotonik-prozessteam des jiufengshan laboratory arbeitet mit partnern zusammen, um wichtige probleme anzugehen.heterobonding epitaktischer iii-v-lasermaterialkörner auf einem photonischen 8-zoll-siliziumwafer und anschließende durchführung eines cmos-kompatiblen on-chip-geräteherstellungsprozesses.es hat die schwierigkeiten des iii-v-materialstrukturdesigns und -wachstums, der geringen bindungsausbeute von materialien und wafern sowie der strukturierung und ätzkontrolle heterogener integrierter wafer auf dem wafer erfolgreich gelöst.nach fast zehn jahren der suche und forschung ist es uns endlich gelungen, den on-chip-laser zum leuchten zu bringen und eine „chip-lichtemission“ zu erreichen.。

▲ der 8-zoll-lichtquellen-chipwafer des jiufengshan laboratory auf siliziumsubstrat

im vergleich zu herkömmlichen diskret verpackten externen lichtquellen und fc-mikromontage-lichtquellen kann die on-chip-lichtquellentechnologie des jiufengshan laboratory die prozessprobleme herkömmlicher photonischer siliziumchips mit unzureichender kopplungseffizienz, langer ausrichtungsanpassungszeit und unzureichender ausrichtungsgenauigkeit effektiv lösen. es überwindet engpässe in der massenproduktion wie hohe produktionskosten, große größe und schwierigkeiten bei der integration in großem maßstab.

▲ der 8-zoll-lichtquellen-chipwafer des jiufengshan laboratory auf siliziumsubstrat

it house erkundigte sich nach öffentlichen informationen und erfuhr, dass das hubei jiufengshan laboratory, das sich auf forschung und entwicklung sowie innovation im bereich verbindungshalbleiter konzentriert, im märz 2023 offiziell in betrieb genommen wurde. nach einem betriebsjahr hat das jiufengshan laboratory die 8-zoll-pilotlinie in betrieb genommen, die erste charge von wafern (hochpräzise gitter) lief erfolgreich vom band und das weltweit erste 8-zoll-photonische dünnschicht-lithiumniobat aus silizium ein optoelektronischer integrierter wafer rollte vom band.