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pour la première fois en chine, le laboratoire de jiufengshan a réalisé une avancée majeure dans le domaine de l'intégration de puces photoniques au silicium.

2024-10-06

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it house a rapporté le 6 octobre que, selon le laboratoire hubei jiufengshan, en septembre 2024, le laboratoire jiufengshan a réussi à éclairer la source de lumière laser intégrée dans la puce à base de silicium.c’est également la première fois que cette technologie est mise en œuvre avec succès en chine., le laboratoire de jiufengshan a une fois de plus réalisé une avancée majeure dans le domaine de l'intégration de la photonique sur silicium.

cette réalisation utilise la technologie d'intégration hétérogène développée par le laboratoire de jiufengshan. après un processus complexe, l'intégration du laser au phosphure d'indium a été achevée à l'intérieur de la plaquette soi de 8 pouces.

le laboratoire de jiufengshan a présenté :

cette technologie est connue dans l'industrie sous le nom de"la puce brille", qui utilise des signaux optiques avec de meilleures performances de transmission pour remplacer les signaux électriques pour la transmission. il s'agit d'un moyen important pour renverser la transmission des données du signal entre les puces. l'objectif principal est de résoudre le problème selon lequel les signaux électriques actuels entre les puces sont proches de la limite physique. . il jouera un rôle innovant dans la promotion des centres de données, des centres de puissance de calcul, des puces cpu/gpu, des puces ia et d'autres domaines.

▲ vidéo de la puissance lumineuse de la puce source de lumière intégrée au microscope

l'interconnexion optique sur puce basée sur l'intégration optoélectronique à base de silicium est considérée comme une solution idéale pour éliminer les goulots d'étranglement tels que la consommation d'énergie, la bande passante et les retards rencontrés par le développement de la technologie des circuits intégrés dans l'ère post-moore.. le défi actuel le plus difficile de l'industrie dans le développement de plates-formes photoniques sur silicium entièrement intégrées réside dans le développement et l'intégration de sources lumineuses sur des substrats de silicium capables d'émettre de la lumière avec un rendement élevé, le « cœur » des puces photoniques sur silicium. cette technologie est l'un des rares maillons vierges restants dans le domaine optoélectronique chinois à l'échelle internationale.

l'équipe des processus photoniques sur silicium du laboratoire de jiufengshan collabore avec des partenaires pour résoudre les problèmes clés.hétéro-liaison de grains épitaxiaux de matériau laser iii-v sur une plaquette photonique de silicium de 8 pouces, puis réalisation d'un processus de fabrication de dispositif sur puce compatible cmos.il a résolu avec succès les difficultés liées à la conception et à la croissance de la structure des matériaux iii-v, au faible rendement de liaison des matériaux et des tranches, ainsi qu'au contrôle de la structuration et de la gravure sur tranche de tranches intégrées hétérogènes.après près de dix ans de poursuite et de recherche, nous avons finalement réussi à allumer le laser sur puce et à réaliser une « émission de lumière sur puce ».

▲ plaquette de source lumineuse de 8 pouces du laboratoire jiufengshan sur substrat de silicium

par rapport aux sources de lumière externes traditionnelles discrètes et aux sources de lumière à micro-assemblage fc, la technologie de source de lumière sur puce du laboratoire jiufengshan peut résoudre efficacement les problèmes de processus des puces photoniques au silicium traditionnelles avec une efficacité de couplage insuffisante, un long temps de réglage de l'alignement et une précision d'alignement insuffisante. il élimine les goulots d'étranglement de la production de masse tels que les coûts de production élevés, la grande taille et la difficulté d'intégration à grande échelle.

▲ plaquette de source lumineuse de 8 pouces du laboratoire jiufengshan sur substrat de silicium

it house s'est enquis des informations publiques et a appris qu'en mars 2023, le laboratoire hubei jiufengshan, qui se concentre sur la r&d et l'innovation dans le domaine des semi-conducteurs composés, a été officiellement mis en service. après un an d'exploitation, le laboratoire de jiufengshan a mis en service la ligne pilote de 8 pouces, le premier lot de tranches (réseaux de haute précision) est sorti avec succès de la chaîne de production et le premier niobate de lithium à couche mince photonique de silicium de 8 pouces au monde plaquette optoélectronique intégrée sortie de la chaîne de production.