समाचारं

한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina

विगतदिनद्वये उद्योगसूचनाप्रौद्योगिकीमन्त्रालयेन प्रकटितस्य नूतनस्य घरेलु-आर्गन-फ्लोराइड-लिथोग्राफी-यन्त्रस्य विषये बहवः नेटिजनाः किञ्चित्कालं यावत् घरेलु-लिथोग्राफी-यन्त्रस्य सफलतायाः विषये सर्वविध-टिप्पण्याः उड्डीयन्ते स्म the sky.केचन जनाः "set of lithography machine" इति अपि दृष्टवन्तः engraving ≤ 8nm" इति चिन्तनं हास्यास्पदं यत् एतत् 8nm लिथोग्राफी यन्त्रम् अस्ति।

वस्तुतः २० जून दिनाङ्के एव उद्योगसूचनाप्रौद्योगिकीमन्त्रालयेन "एकीकृतपरिपथनिर्माणसाधनानाम् स्तम्भे प्रथमस्य (समूहस्य) प्रचारार्थं अनुप्रयोगाय च मार्गदर्शनसूची" इति प्रकाशितम् , एकं क्रिप्टोन् फ्लोराइड् लिथोग्राफी यन्त्रं, आर्गन फ्लोराइड् लिथोग्राफी यन्त्रं च घोषितम् । ततः ९ सितम्बर् दिनाङ्के उद्योगसूचनाप्रौद्योगिकीमन्त्रालयेन पुनः सूचना जारीकृता यत् -

क्रिप्टन फ्लोराइड लिथोग्राफी यन्त्रं वस्तुतः २४८nm प्रकाशस्रोतयुक्तं पुरातनं krf लिथोग्राफी यन्त्रं भवति, यस्य रिजोल्यूशनं ≤110nm भवति तथा च ओवरले सटीकता ≤25nm भवति; duv lithography machine इति अपि ज्ञायते), परन्तु प्रकटितं अद्यापि शुष्कं duv lithography machine अस्ति, न तु अधिकं उन्नतं विसर्जन duv lithography machine (arfi lithography machine इति अपि ज्ञायते)

आधिकारिकतया प्रकटितमापदण्डेभ्यः न्याय्यं चेत्, duv लिथोग्राफी मशीनस्य रिजोल्यूशनं ≤65nm अस्ति तथा च ओवरले सटीकता ≤8nm अस्ति । यद्यपि smic इत्यस्य पूर्वस्य ssa600 लिथोग्राफी यन्त्रस्य तुलने अस्य उन्नतिः अभवत् (रिजोल्यूशन 90nm अस्ति), तथापि 8nm तथा 7nm चिप्स् इत्यस्य निर्माणस्य विस्तारं किमपि न, 28nm चिप्स् उत्पादयितुं शक्नोति इति परिमाणं न अस्ति अनेकाः नेटिजनाः प्रत्यक्षतया आच्छादनसटीकतां प्रकाशशिलालेखनिर्माणप्रक्रियानोड्स्तरेन सह भ्रमयन्ति ।

प्रकाशशिलालेखनस्य सटीकता मुख्यतया प्रकाशशिलालेखनयन्त्रस्य रिजोल्यूशनस्य उपरि निर्भरं भवति यदि रिजोल्यूशनं 65nm भवति तर्हि एकस्मिन् एक्सपोजरमध्ये यः प्रक्रियानोड् प्राप्तुं शक्यते सः सम्भवतः 65nm इत्यस्य परितः भवति

ओवरले सटीकता प्रत्येकस्य प्रकाशशिलालेखस्तरस्य मध्ये संरेखणसटीकतां निर्दिशति । यथा वयं सर्वे जानीमः, चिप् निर्माणप्रक्रियायां वस्तुतः एकैकं प्रकाशशिलाचित्रप्रतिमानानाम् अनेकस्तरानाम् स्तम्भनं भवति । एकस्य स्तरस्य प्रतिरूपस्य प्रकाशशिलालेखनस्य समाप्तेः अनन्तरं प्रतिरूपस्य अग्रिमस्तरस्य प्रकाशशिलालेखनं उपरि निरन्तरं कर्तुं आवश्यकं भवति, तथा च द्वयोः स्तरयोः समीचीनतया संरेखणं करणीयम् अस्य संरेखणस्य सटीकता आच्छादनस्य सटीकता अस्ति, न च निर्दिशति चिप् प्रति यत् निर्मातुं शक्यते।

अतः, एतेन 65nm प्रकाशशिलालेखनसंकल्पेन ≤8nm इत्यस्य ओवरले सटीकता च कति नैनोमीटर् प्रक्रियाः प्राप्तुं शक्यन्ते? वर्तमान asml इत्यस्य समतुल्यः शिलालेखनयन्त्रस्य कियत् स्तरः अस्ति ? asml लिथोग्राफी यन्त्रस्य मापदण्डानां तुलनां कर्तुं शक्नुवन्ति अधः :

२०१५ तमस्य वर्षस्य द्वितीयत्रिमासे asml द्वारा निर्यातितस्य twinscan xt: 1460k इत्यस्य प्रकाशशिलालेखनस्य रिजोल्यूशनं ≤65nm अस्ति, परन्तु ओवरले सटीकता अधिका (<5nm) अस्ति । यद्यपि अस्य घरेलु-duv-लिथोग्राफी-यन्त्रस्य रिजोल्यूशनम् अपि ≤65nm अस्ति, तथा च एतत् 65nm प्रक्रियां वा अधिकं उन्नतं चिप्स् कर्तुं शक्नोति, तथापि अस्य घरेलु-लिथोग्राफी-यन्त्रस्य ओवरले-सटीकता-दोषः अधिका अस्ति, यत् तस्य उपज-स्तरः अपि तुल्यकालिकरूपेण न्यूनः भविष्यति न्यूनतरं भविष्यति।

अन्येषु शब्देषु, अस्य घरेलु duv लिथोग्राफी यन्त्रस्य कार्यक्षमता नववर्षपूर्वं asml इत्यनेन निर्यातितस्य xt:1460k लिथोग्राफी यन्त्रस्य अपेक्षया अपि न्यूना अस्ति । यदि भवान् पश्चात् पश्यति तर्हि वस्तुतः २००६ तमे वर्षे asml द्वारा प्रक्षेपितस्य शुष्कस्य duv लिथोग्राफीयन्त्रस्य xt:1450 इत्यस्य रिजोल्यूशनं ५७nm यावत् अभवत्, तथा च ओवरले सटीकता ७nm अस्ति अस्य घरेलु-duv-लिथोग्राफी-यन्त्रस्य asml-इत्यस्य च कार्यक्षमतायाः मध्ये वास्तविकं तकनीकी-अन्तरं १८ वर्षाणाम् अधिकम् अस्ति ।

यद्यपि 65nm लिथोग्राफी रिजोल्यूशनं बहुविधं एक्सपोजरं उपयुज्यते तथापि अधिक उन्नतप्रक्रियानोड्स् प्राप्तुं शक्यते, परन्तु ओवरले सटीकतायाः कारणेन त्रुटिसुपरपोजिशनप्रवर्धनेन सीमितं भविष्यति

एकस्य प्रमुखस्य शिलालेखनिर्मातृणां आन्तरिकविशेषज्ञस्य मते ६५nm रिजोल्यूशनयुक्तं arf लिथोग्राफीयन्त्रं, उत्तमं opc (ऑप्टिकल निकटता प्रभाव सुधारण) एल्गोरिदम् इत्यनेन सह मिलित्वा ५५nm प्रक्रियां प्रति उन्नतुं शक्यते

"एकस्य एक्सपोजरस्य कृते आच्छादनस्य (ओवरले सटीकता) नियन्त्रणविण्डो रेखाविस्तारस्य १/४ तः १/५ पर्यन्तं भवति, अतः ५५nm रेखाविस्तारयुक्तस्य चिप् इत्यस्य निर्माणार्थं न्यूनातिन्यूनं ११nm आच्छादनस्य आवश्यकता भवति । यद्यपि ओवरले सटीकता लिथोग्राफी-यन्त्रं ≤8nm अस्ति, परन्तु एतत् केवलं कारखाना-मानकम् अस्ति falls within उत्पादः प्रायः ११-१२nm भवितुं शक्नोति, अतः एकः संसर्गः केवलं ५५-६५nm स्तरं प्राप्तुं शक्नोति” इति ।

"यदि बहुविध-एक्सपोजर-प्रयोगः भवति, यथा द्विगुण-एक्सपोजरः, तर्हि आवश्यकं आच्छादनं आर्धेन कटितम् भविष्यति। अतः विद्यमानः एक-एक्सपोजर-स्तरः ५५nm, यदि द्विगुण-एक्सपोजरः कर्तव्यः अस्ति, तर्हि न्यूनातिन्यूनं ५५÷५÷२ आच्छादनम् =5.5nm आवश्यकम् अस्ति ।

अतः सारांशेन यदि भवान् बहुविधं एक्सपोजरं कर्तुम् इच्छति तर्हि ओवरले-सटीकता पर्याप्तं उच्चा भवितुम् अर्हति अन्येषु शब्देषु ओवरले-दोषः पर्याप्तं लघुः भवितुम् अर्हति ।

उदाहरणार्थं, उद्योगस्य प्रारम्भिकं 28nm प्रक्रियायाः सामूहिकं उत्पादनं मूलतः उन्नत asml nxt: 1970 (immersion duv) इत्यस्य उपयोगेन कृतम् आसीत् प्रकाशशिलालेखनयन्त्रस्य रिजोल्यूशनं अधिकं ≤38nm यावत् प्राप्तवान्, तथा च ओवरले सटीकता अपि <3.5nm यावत् अभवत्

यतो हि घरेलु 28nm प्रक्रियायाः सामूहिकं उत्पादनं तुल्यकालिकरूपेण विलम्बितम् अस्ति, तथापि अधिक उन्नत asml nxt:1980 इत्यस्य उपयोगः 28nm इत्यस्य सामूहिक उत्पादनार्थं कृतः यद्यपि रिजोल्यूशनम् अद्यापि ≤38nm अस्ति तथापि ओवरले सटीकता अधिकं <2.5nm यावत् प्राप्ता अस्ति, यत् this अपि अस्ति वेफरनिर्मातृभ्यः अस्य मॉडलस्य माध्यमेन बहुविधं एक्सपोजरं कर्तुं अनुमतिं ददाति, येन 7nm प्रक्रियायाः निर्माणं सक्षमं भवति । यथा, tsmc इत्यस्य प्रथमपीढीयाः 7nm प्रक्रिया बहुविध-एक्सपोजर-माध्यमेन asml nxt:1980 इत्यस्य उपयोगेन निर्मितवती । अवश्यं बहुविध-उद्घाटनेन व्ययस्य महती वृद्धिः भविष्यति ।

अत एव अमेरिका-देशः नेदरलैण्ड्-देशः च प्रारम्भे चीनदेशं प्रति लिथोग्राफी-यन्त्राणां निर्यातं nxt:1980 अपि च ततः परं प्रतिबन्धितवन्तौ, अनन्तरं nxt:1970 तथा nxt:1980 इति लिथोग्राफी-यन्त्राणां द्वौ मॉडलौ प्रवर्तितवन्तौ, येषु उन्नतप्रक्रियाक्षमतां प्राप्तुं बहुविध-प्रकाशनस्य उपयोगः भवति , मुख्यभूमिं प्रति उन्नतप्रक्रियाक्षमतायुक्तानां वेफर-फैबानां निर्यातः प्रतिबन्धितः अस्ति ।

सारांशेन, अस्मिन् समये उजागरितं 65nm रिजोल्यूशनं घरेलु duv लिथोग्राफी यन्त्रं केवलं पूर्वस्य 90nm रिजोल्यूशनस्य घरेलु लिथोग्राफी यन्त्रस्य उन्नतसंस्करणं भवितुमर्हति यत् केवलं 55-65nm इत्यस्य परिपक्वप्रक्रियाचिपनिर्माणस्य आवश्यकतायाः कृते एव उपयोक्तुं शक्यते it is also 28nm प्रक्रियाचिप्स् निर्मातुं आवश्यकताः पूरयितुं दूरम् यत् सर्वे अपेक्षन्ते। अवश्यं, पूर्वस्य अत्यन्तं उन्नतस्य ९०nm रिजोल्यूशनस्य घरेलुशिलालेखनयन्त्रस्य तुलने नूतनस्य ६५nm रिजोल्यूशनस्य घरेलुशिलालेखनयन्त्रस्य न्यूनातिन्यूनं किञ्चित् प्रगतिः अभवत् परन्तु अस्माकं विदेशीय-उन्नत-स्तरयोः च अन्तरस्य विषये अद्यापि स्पष्टतया अवगताः भवितुम् आवश्यकाः, अन्धरूपेण आशावादीः भवितुम् न शक्नुमः |

घरेलुशिलालेखनयन्त्रनिर्मातृणां कृते अद्यापि बहवः तान्त्रिकसमस्याः सन्ति येषां समाधानं शुष्कडीयूवीतः विसर्जनडीयूवीपर्यन्तं परिवर्तनस्य प्रक्रियायां करणीयम् भवन्तः अवश्यं जानन्ति यत् २०१० तमे दशके asml इत्यनेन तत्कालीनलिथोग्राफीयन्त्राणां दिग्गजानां canon तथा nikon इत्येतयोः पराजयार्थं विसर्जन duv लिथोग्राफी यन्त्रेषु (प्रथमं सामूहिकरूपेण उत्पादितं विसर्जन duv लिथोग्राफी यन्त्रं xt: 1700i इति यन्त्रं २००६ तमे वर्षे प्रक्षेपितम्) अवलम्बितम् आसीत् स्वस्य आधिपत्यं स्थापितवान् ।

सम्बन्धित पठन : १.