समाचारं

한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina

अति-द्रुत फ्लैश एकीकृत प्रक्रिया तथा सांख्यिकीय प्रदर्शन

कृत्रिमबुद्धेः तीव्रविकासाय उच्चगति-अवाष्पशील-भण्डारण-प्रौद्योगिक्याः तत्काल आवश्यकता वर्तते । मुख्यधारा-अवाष्पशील-फ्लैश-स्मृतेः वर्तमान-प्रोग्रामिंग-वेगः सामान्यतया शतशः माइक्रोसेकेण्ड्-मध्ये भवति, यत् अनुप्रयोग-आवश्यकतानां समर्थनं कर्तुं न शक्नोति फुडान विश्वविद्यालयस्य झोउ पेङ्ग-लिउ चुनसेन् दलस्य प्रारम्भिकसंशोधनेन ज्ञातं यत् द्वि-आयामी अर्धचालकसंरचना स्वस्य गतिं सहस्रगुणाधिकं वर्धयितुं शक्नोति, येन विघटनकारी नैनोसेकेण्ड्-स्तरस्य अति-द्रुत-भण्डारण-फ्लैश-स्मृति-प्रौद्योगिकी प्राप्ता भवति परन्तु बृहत्-स्तरीयं एकीकरणं कथं प्राप्तुं वास्तविकव्यावहारिक-अनुप्रयोगानाम् प्रति गन्तुं च अद्यापि अतीव चुनौतीपूर्णम् अस्ति ।

अन्तरफलक-इञ्जिनीयरिङ्गतः आरभ्य, एतत् दलं विश्वे प्रथमवारं 1Kb नैनोसेकेण्ड् अति-द्रुत-फ्लैश-स्मृति-सरण्याः बृहत्तमं एकीकृतं सत्यापनम् अवाप्तवान्, तथा च सिद्धं कृतवान् यत् तस्य अति-द्रुत-लक्षणं उप-10 नैनोमीटर् यावत् विस्तारयितुं शक्यते बीजिंगसमये अगस्तमासस्य १२ दिनाङ्के अपराह्णे "द्विआयामी अल्ट्राफास्ट् फ्लैशस्मृतेः स्केल इन्टीग्रेशन प्रक्रिया" इति शीर्षकेण नेचर इलेक्ट्रॉनिक्स इत्यत्र प्रासंगिकपरिणामाः प्रकाशिताः

दलेन सुपर-इण्टरफेस्-इञ्जिनीयरिङ्ग-प्रौद्योगिकी विकसिता, बृहत्-परिमाणे द्वि-आयामी-फ्लैश-स्मृतौ परमाणु-स्तरस्य समतलतायाः सह विषम-अन्तरफलकस्य साक्षात्कारः कृतः उच्च-सटीक-लक्षण-प्रौद्योगिक्या सह मिलित्वा, एतत् दर्शयति यत् एकीकरण-प्रक्रिया अन्तर्राष्ट्रीय-स्तरात् महत्त्वपूर्णतया उत्तमम् अस्ति सख्त डीसी भण्डारणविण्डो तथा एसी पल्स भण्डारण कार्यप्रदर्शनपरीक्षाणां माध्यमेन पुष्टिः अभवत् यत् 1Kb भण्डारणपरिमाणे नूतनस्य द्वि-आयामी तन्त्रस्य फ्लैशस्मृतेः नैनोसेकेण्ड् गैर-वाष्पशीलप्रोग्रामिंगवेगेन 98% पर्यन्तं उपजदरः भवति, यत् अधिकम् अस्ति that of International Semiconductor प्रौद्योगिकीमार्गचित्रे फ्लैशस्मृतिनिर्माणार्थं ८९.५% उपजदरस्य आवश्यकता भवति ।

तस्मिन् एव काले शोधदलेन एकां स्व-संरेखणं प्रक्रिया विकसिता या उन्नत-प्रकाश-शिलालेख-उपकरणानाम् उपरि न अवलम्बते, मूल-अभिनव-अति-द्रुत-भण्डारण-ढेर-विद्युत्-क्षेत्र-निर्माण-सिद्धान्तेन सह मिलित्वा, तथा च, सह अति-द्रुत-फ्लैश-स्मृति-यन्त्रं सफलतया साकारं कृतवान् ८ नैनोमीटर् इत्यस्य चैनलदीर्घता, यत् सम्प्रति विश्वे सर्वाधिकं लघुः अस्ति तथा च सिलिकॉन्-आधारितस्य फ्लैशस्मृतेः भौतिक-आकार-सीमाम् (प्रायः १५ नैनोमीटर्) भङ्गं कृतवान् परमाणुरूपेण पतले चैनलैः समर्थितस्य अस्मिन् अतिलघु आकारस्य यन्त्रे २० नैनोसेकेण्ड् अति-द्रुत-प्रोग्रामिंग्, १०-वर्षीयं अस्थिरता, १,००,००० चक्रजीवनं, बहु-राज्य-भण्डारण-प्रदर्शनं च अस्ति एतत् कार्यं अतिद्रुतविघटनकारी फ्लैशस्मृतिप्रौद्योगिक्याः औद्योगिकप्रयोगं प्रवर्धयिष्यति।

एकीकृतचिप्स् एण्ड् सिस्टम्स् इत्यस्य राष्ट्रियमुख्यप्रयोगशालायाः तथा फुडानविश्वविद्यालयस्य चिप्स् एण्ड् सिस्टम् फ्रंटियर टेक्नोलॉजीसंस्थायाः शोधकर्तारः लियू चुन्सेन् तथा च माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्सविद्यालयस्य प्रोफेसरः झोउ पेङ्गः शोधपत्रस्य तत्सम्बद्धाः लेखकाः सन्ति तथा काओ झेन्युआन् पत्रस्य प्रथमलेखकाः सन्ति । शोधकार्यस्य वित्तपोषणं विज्ञान-प्रौद्योगिकीमन्त्रालयस्य प्रमुख-अनुसन्धान-विकास-कार्यक्रमेण, चीनस्य राष्ट्रिय-प्रतिष्ठानस्य महत्त्वपूर्ण-अग्रणी-प्रतिभा-कार्यक्रमेण, शङ्घाई-मूल-संशोधन-क्षेत्र-कार्यक्रमेण, शङ्घाई-वीनस-आदि-परियोजनाभिः, तथैव च शिक्षामन्त्रालयस्य नवीनतामञ्चः इति ।

लेखकः:

पाठः जियांग पेङ्ग चित्राणि : साक्षात्कारिभिः प्रदत्तानि छायाचित्राणि सम्पादकः गु जुनः मुख्यसम्पादकः : फैन लिपिङ्ग्

अस्य लेखस्य पुनर्मुद्रणकाले स्रोतः सूचयन्तु ।