Моя контактная информация
Почта[email protected]
2024-08-13
한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina
Сверхбыстрая интегрированная технология Flash и статистическая производительность
Быстрое развитие искусственного интеллекта остро требует высокоскоростных технологий энергонезависимого хранения данных. Текущая скорость программирования основной энергонезависимой флэш-памяти обычно составляет сотни микросекунд, что не соответствует требованиям приложений. Предварительные исследования, проведенные командой Чжоу Пэн-Лю Чунсена из Фуданьского университета, показали, что двумерная полупроводниковая структура может увеличить свою скорость более чем в тысячу раз, обеспечивая революционную технологию сверхбыстрой флэш-памяти наносекундного уровня. Однако как добиться крупномасштабной интеграции и перейти к реальным практическим приложениям, по-прежнему остается очень сложной задачей.
Начав с разработки интерфейса, команда впервые в мире провела крупнейшую комплексную проверку массива сверхбыстрой флэш-памяти емкостью 1 КБ наносекунд и доказала, что ее сверхбыстрые характеристики могут быть расширены до размеров менее 10 нанометров. Днем 12 августа по пекинскому времени соответствующие результаты были опубликованы в журнале Nature Electronics под заголовком «Процесс масштабной интеграции двумерной сверхбыстрой флэш-памяти».
Команда разработала технологию разработки суперинтерфейсов и реализовала гетерогенный интерфейс с плоскостностью на атомном уровне в крупномасштабной двумерной флэш-памяти. В сочетании с технологией высокоточной характеристики это показывает, что процесс интеграции значительно лучше, чем на международном уровне. Посредством строгих испытаний производительности хранилища постоянного тока и импульсов переменного тока было подтверждено, что новый двумерный механизм флэш-памяти в масштабе хранения 1 КБ имеет процент выхода до 98% при наносекундной энергонезависимой скорости программирования, что выше, чем что и у International Semiconductor. Технологическая дорожная карта требует, чтобы уровень выхода продукции при производстве флэш-памяти составлял 89,5%.
В то же время исследовательская группа разработала процесс самовыравнивания, который не требует передового фотолитографического оборудования, в сочетании с оригинальной и инновационной теорией проектирования электрического поля сверхбыстрого стека накопителей и успешно реализовала сверхбыстрое устройство флэш-памяти с длина канала 8 нанометров, что на данный момент является самым коротким в мире устройством траншейной флэш-памяти и преодолело физический предел размера кремниевой флэш-памяти (около 15 нанометров). Это сверхкомпактное устройство, поддерживаемое атомарно тонкими каналами, имеет сверхбыстрое программирование за 20 наносекунд, 10-летнюю энергонезависимость, срок службы 100 000 циклов и многоуровневую память. Эта работа будет способствовать промышленному применению технологии сверхбыстрой революционной флэш-памяти.
Исследователь Лю Чунсен из Национальной ключевой лаборатории интегрированных микросхем и систем и Института передовых технологий микросхем и систем Фуданьского университета и профессор Чжоу Пэн из Школы микроэлектроники являются соответствующими авторами статьи. Исследователь Лю Чуньсен и докторанты Цзян Юнбо. и Цао Чжэньюань — первые авторы статьи. Исследовательская работа финансировалась за счет Ключевой программы исследований и разработок Министерства науки и технологий, Программы важных ведущих талантов Национального фонда Китая, Программы Шанхайской зоны фундаментальных исследований, Шанхайской Венеры и других проектов, а также при поддержке Инновационная платформа Министерства образования.
автор:
Текст: Цзян Пэн Фотографии: Фотографии предоставлены собеседниками Редактор: Гу Цзюнь Главный редактор: Фань Липин
Пожалуйста, указывайте источник при перепечатке статьи.