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sk hynix kündigt die massenproduktion eines 12-schicht-hbm3e-chips an, der eine maximale kapazität von 36 gb erreicht

2024-09-26

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it house berichtete am 26. september, dass sk hynix heute bekannt gab, dass das unternehmen als erstes unternehmen der welt mit der massenproduktion des 12-schicht-hbm3e-chips begonnen hat und damit die größte kapazität von 36 gb unter den bestehenden hbm-produkten erreicht hat innerhalb des jahres.

betroffen von den ersten nachrichten stieg der aktienkurs von sk hynix in südkorea um mehr als 8 % auf einen marktwert von mehr als 120,34 billionen won (anmerkung des it-hauses: derzeit etwa 635,155 milliarden yuan).

berichten zufolge hat sk hynix außerdem 12 3-gb-dram-chips gestapelt, um die gleiche dicke wie das bestehende 8-schicht-produkt zu erreichen und gleichzeitig die kapazität um 50 % zu erhöhen. zu diesem zweck fertigte das unternehmen einzelne dram-chips um 40 % dünner als zuvor und stapelte sie mithilfe der through silicon via (tsv)-technologie vertikal.

darüber hinaus hat sk hynix auch die strukturellen probleme gelöst, die beim stärkeren stapeln dünnerer späne auftreten. das unternehmen hat seine kerntechnologie, den fortschrittlichen mr-muf-prozess, auf dieses produkt angewendet, das die wärmeableitungsleistung im vergleich zur vorgängergeneration um 10 % verbessert und die kontrolle von verzugsproblemen verbessert, um stabilität und zuverlässigkeit zu gewährleisten.

seit der weltweit ersten markteinführung der ersten bis fünften generation von hbm (hbm3e) im jahr 2013 ist das unternehmen das einzige unternehmen, das eine vollständige palette von hbm-produkten entwickelt und auf den markt gebracht hat. das unternehmen ist das erste unternehmen der branche, das erfolgreich 12-schichtige stapelprodukte in massenproduktion herstellt, was nicht nur den wachsenden anforderungen von unternehmen im bereich der künstlichen intelligenz gerecht wird, sondern auch die führungsposition von sk hynix im ki-orientierten speichermarkt weiter festigt.

sk hynix gab an, dass der 12-schicht-hbm3e in allen aspekten wie geschwindigkeit, kapazität und stabilität, die für ki-orientierten speicher erforderlich sind, das weltweit höchste niveau erreicht hat. der 12-schicht-hbm3e läuft mit einer geschwindigkeit von 9,6 gbit/s und kann 70 milliarden gesamtparameter 35 mal pro sekunde lesen, wenn das große sprachmodell „llama 3 70b“ auf einer gpu mit vier hbms ausgeführt wird.