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Fuente: Diario de Ciencia y Tecnología

El día 15, los periodistas se enteraron por parte del Instituto de Investigación de Metales de la Academia de Ciencias de China que los investigadores del instituto Liu Chi y Sun Dongming colaboraron con un equipo de investigación dirigido por Cheng Huiming, un académico de la Academia de Ciencias de China.Inventó un transistor de "emisor térmico" compuesto de materiales de dimensiones mixtas como grafeno y germanio, y propuso un nuevo mecanismo de generación de portadores calientes de "emisión estimulada".Los resultados de la investigación relevante se publicaron en la revista académica "Nature" el día 15.

El efecto de la emisión estimulada de portadores. Fuente de la imagen: Instituto de Investigación de Metales, Academia de Ciencias de China

Según los informes, este nuevo transistor consta de dos uniones Schottky "grafeno/germanio" acopladas. Los portadores se inyectan desde la base de grafeno, luego se difunden hacia el emisor y excitan los portadores calentados por el campo eléctrico, lo que resulta en un fuerte aumento de la corriente.Este diseño permite que el cambio de voltaje requerido sea inferior a 1 milivoltio por cada cambio de orden de magnitud en la corriente del transistor, superando el límite de Boltzmann de los transistores tradicionales.Además, el transistor también exhibe una resistencia diferencial negativa con una relación de corriente pico-valle superior a 100 a temperatura ambiente, lo que demuestra su potencial de aplicación en computación lógica de valores múltiples.

Los investigadores dijeron que este estudio aumenta la densidad de corriente mediante la modulación controlable de portadores calientes, abre un nuevo campo de investigación de dispositivos de transistores y agrega un nuevo miembro a la familia de transistores de portadores calientes.

Hao Xiaoming, reportero del Diario de Ciencia y Tecnología