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Fonte: Scienza e tecnologia quotidiana

Il 15 i giornalisti hanno appreso dall'Istituto di ricerca sui metalli dell'Accademia cinese delle scienze che i ricercatori dell'istituto Liu Chi e Sun Dongming hanno collaborato con un gruppo di ricerca guidato da Cheng Huiming, accademico dell'Accademia cinese delle scienze.Ha inventato un transistor "emettitore termico" composto da materiali a dimensione mista come grafene e germanio e ha proposto un nuovo meccanismo di generazione di portatori caldi a "emissione stimolata".I principali risultati della ricerca sono stati pubblicati il ​​15 sulla rivista accademica "Nature".

L'effetto dell'emissione stimolata di portatori. Fonte immagine: Istituto di ricerca sui metalli, Accademia cinese delle scienze

Secondo i rapporti, questo nuovo transistor è costituito da due giunzioni Schottky "grafene/germanio" accoppiate. I portatori vengono iniettati dalla base di grafene, quindi diffondono nell'emettitore ed eccitano i portatori riscaldati dal campo elettrico, determinando un forte aumento della corrente.Questo design consente alla variazione di tensione richiesta di essere inferiore a 1 millivolt per ogni variazione di ordine di grandezza nella corrente del transistor, superando il limite di Boltzmann dei transistor tradizionali.Inoltre, il transistor presenta anche una resistenza differenziale negativa con un rapporto corrente picco-valle superiore a 100 a temperatura ambiente, dimostrando il suo potenziale applicativo nel calcolo logico multivalore.

I ricercatori hanno affermato che questo studio aumenta la densità di corrente attraverso la modulazione controllabile dei portatori caldi, apre un nuovo campo di ricerca sui dispositivi a transistor e aggiunge un nuovo membro alla famiglia dei transistor a portanti caldi.

Il giornalista del quotidiano Scienza e Tecnologia Hao Xiaoming