समाचारं

한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina

रूसस्य उद्योगव्यापारमन्त्रालयेन तथा च istc miet इत्यनेन २०३० तमवर्षपर्यन्तं इलेक्ट्रॉनिकउत्पादनिर्माणसाधनानाम् आयातप्रतिस्थापनस्य बृहत्परिमाणेन योजना विकसिता अस्ति

नूतनयोजनया २०३० तमे वर्षे साकारं कर्तुं घरेलु ६५-नैनोमीटर्-प्रौद्योगिकी निर्धारिता अस्ति ।

चित्रस्य स्रोतः : smee

cnews इत्यस्य अनुसारं रूसदेशेन २०३० तमे वर्षे विदेशीयचिपनिर्माणसाधनानाम् स्थाने बृहत्परियोजनायाः समर्थनार्थं २४० अरबरूबल-अधिकं (२.५४ अरब-डॉलर्) विनियोजितम् अस्ति

योजनायां आयातित-फैब-उपकरणानाम् उपरि निर्भरतां न्यूनीकर्तुं, अन्ततः चिप्स्-निर्माणार्थं २८-नैनोमीटर्-प्रक्रिया-प्रौद्योगिकीम् अङ्गीकुर्वितुं ११० अनुसन्धान-विकास-परियोजनानां प्रारम्भः अन्तर्भवति २.५४ अरब डॉलरस्य आकङ्क्षां एकत्र स्थापयित्वा २०२५ तमे वर्षे युक्रेनदेशेन सह युद्धे देशः रक्षायाः व्ययस्य अपेक्षया ५७ गुणाधिकं न्यूनम् अस्ति ।

चिपनिर्माणस्य स्थानीयकरणस्य विस्तृतयोजना

रूसीचिपनिर्मातारः - एङ्गस्ट्रेम्, मिक्रोन् इत्यादयः - ६५nm, ९०nm च सहितं विविधपरिपक्वनोड्स् इत्यत्र चिप्स् उत्पादयितुं शक्नुवन्ति ।रूसदेशे चिप्स् कृते प्रयुक्तेषु ४०० उपकरणेषु वर्तमानकाले केवलं १२% एव स्थानीयरूपेण निर्मातुं शक्यते ।प्रतिबन्धाः स्थितिं अधिकं जटिलं कुर्वन्ति, महत्त्वपूर्णसाधनानाम् मूल्यं ४०%-५०% यावत् वर्धते यतः तेषां तस्करी देशे अवश्यमेव करणीयम् । व्ययस्य न्यूनीकरणाय विदेशीयसाधनानाम् उपरि निर्भरतां न्यूनीकर्तुं रूसीउद्योगव्यापारमन्त्रालयेन (minpromtorg) तथा व्यापारमन्त्रालयेन miet (सरकारनियन्त्रितकम्पनी) च आवश्यकानां उपकरणानां प्रायः ७०% विकासे केन्द्रीकृता योजना विकसिता अस्ति सूक्ष्मविद्युत्निर्माणार्थं तथा कच्चामालस्य घरेलुविकल्पाः।

कार्यक्रमे चिप् निर्माणस्य सर्वेऽपि पक्षाः समाविष्टाः सन्ति, यत्र वास्तविकसाधनाः, कच्चामालः, इलेक्ट्रॉनिकडिजाइनस्वचालनस्य (eda) उपकरणानि च सन्ति । परियोजनायां "२० भिन्नाः प्रौद्योगिकीमार्गाः" यथा सूक्ष्मविद्युत्, सूक्ष्मतरङ्गविद्युत्, प्रकाशविज्ञानं, शक्तिविद्युत्शास्त्रं च १८०nm तः २८nm पर्यन्तं विकसितं भविष्यति विकसितानां केषाञ्चन प्रौद्योगिकीनां उपयोगः प्रकाशमास्कनिर्माणे इलेक्ट्रॉनिकमॉड्यूलसंयोजने च भविष्यति।

लक्ष्यम् अतीव अस्पष्टम् अस्ति

यद्यपि योजनायाः सामरिकलक्ष्याणि स्पष्टानि प्रतीयन्ते (२०३० तमवर्षपर्यन्तं चिपनिर्माणसाधनानाम् कच्चामालस्य च ७०% भागं २.५४ अरब डॉलरं प्रति स्थानीयकरणं), तथापि विवरणं न्यूनतया वक्तुं किञ्चित् धुन्धलं दृश्यते

२०२६ तमस्य वर्षस्य अन्ते रूसदेशे प्राप्तुं अपेक्षितेषु महत्त्वपूर्णेषु माइलस्टोन्षु एकः ३५०nm तथा १३०nm प्रक्रियाप्रौद्योगिकीनां कृते (एतत् महत् अन्तरम् अस्ति, यतः ३५०nm तः १३०nm नोड्स् मध्ये अनेकाः नोड्स् सन्ति) तथा च १५०nm इलेक्ट्रॉन् कृते लिथोग्राफी उपकरणानां विकासः अस्ति उत्पादन नोड् इत्यत्र बीम लिथोग्राफी उपकरणम्।तदतिरिक्तं रूसदेशः कतिपयवर्षेभ्यः अन्तः रासायनिकवाष्पनिक्षेपणएपिटैक्सी-उपकरणानाम् विकासं कर्तुं योजनां करोति । तदतिरिक्तं २०२६ तमस्य वर्षस्य अन्ते रूसस्य उद्योगव्यापारमन्त्रालयः आशास्ति यत् घरेलु अर्धचालक-उद्योगः सिलिकॉन्-इन्गोट्-उत्पादनं कृत्वा वेफर-रूपेण कटयितुं समर्थः भविष्यति

२०३० तमे वर्षे रूसदेशस्य लक्ष्यं ६५nm अथवा ९०nm प्रक्रियाप्रौद्योगिकीषु वेफरं प्रसंस्करणं कर्तुं समर्थाः घरेलुशिलालेखनप्रणाल्याः उत्पादनं भवति । एतेन देशस्य सूक्ष्मविद्युत्-उत्पादनस्य क्षमता महती वर्धते, परन्तु तदपि उद्योगात् २५-२८ वर्षाणि पश्चात्तापः भविष्यति ।

इयं नूतना योजना एकवर्षपूर्वं प्रकाशितस्य योजनायाः अपेक्षया निर्णायकरूपेण न्यूना महत्त्वाकांक्षी अस्ति, यत्र २०२७ तमस्य वर्षस्य कृते २८nm तथा २०३० तमस्य वर्षस्य कृते १४nm निर्माणप्रक्रियाः लक्ष्यन्ते स्म (यत् उन्नतप्रौद्योगिक्याः उपयोगेन प्राप्तुं शक्यते यत् रूससर्वकारेण विश्वासः आसीत् यत् सः गतवर्षे वैश्विकनेतृभ्यः प्राप्तुं शक्नोति)। एतत् तथ्यं व्याख्यातव्यम्)। परन्तु आगामिषु कतिपयेषु वर्षेषु विकसितुं योजनाकृतानां साधनानां संख्यायाः आधारेण (आयतन-उत्पादनस्य विषये कोऽपि शब्दः नास्ति) योजना पर्याप्तं महत्त्वाकांक्षी अस्ति ।

कार्यक्रमे विभिन्नप्रकारस्य उपकरणानां विकासस्य परिकल्पना अस्ति, यत्र १५ प्रकाराः नियन्त्रणमापनसाधनाः, १३ प्रकाराः प्लाज्मा रसायनशास्त्रयन्त्राणि, १० प्रकाराः प्रकाशशिलालेखनप्रणाली, ९ प्रकाराः चिप्पैकेजिंगसाधनाः, ८ प्रकाराः प्रकाशमास्कनिर्माणसाधनाः, ७ प्रकाराः... वेफर उत्पादनसाधनं प्रतीक्षन्ते।