समाचारं

६ सितम्बर दिनाङ्के शङ्घाईनगरे "2024 hjt heterojunction & laminated industry summit" इत्यस्य आरम्भः अभवत् स्केल विकास।

solarzoom इत्यस्य अपूर्ण-आँकडानां अनुसारं सितम्बर-मासस्य आरम्भपर्यन्तं २०२४ तमे वर्षे कुलम् १०.३३gw एच्जेटी-हेटरोजन्क्शन्-उत्पादानाम् निविदा कृता अस्ति, तथा च २०२३ तमस्य वर्षस्य तुलने निविदा-मात्रायां प्रायः एकक्रमेण वृद्धिः अभवत् २०२४ तमस्य वर्षस्य अन्ते एच् जे टी हेटरोजन्क्शन् इत्यस्य वास्तविकं प्रेषणं ३०जीडब्ल्यू यावत् भवितुं शक्नोति, यत् बृहत्-परिमाणस्य विकासस्य नूतन-पदे प्रवेशं करोति ।

आपूर्तिपक्षे, topcon कोशिकानां तीव्रविस्तारस्य विपरीतम्, प्रकाशविद्युत्कम्पनयः एच्जेटी हेटरोजन्क्शनकोशिकानां विस्तारस्य विषये बहु अधिकं रूढिवादीः सावधानाः च सन्ति जून २०२४ तमस्य वर्षस्य अन्ते solarzoom new energy think tank इत्यस्य आँकडानि दर्शयन्ति यत् प्रभावी उत्पादनक्षमता of hjt heterojunction cells is only 42.3gw , यस्य निर्माणाधीनक्षमता 55.5gw अस्ति । तेषु बृहत्तमः हुआशेङ्ग् न्यू एनर्जी इत्यस्य २०gw इत्यस्मात् अधिकस्य उत्पादनक्षमतायाः विन्यासः अस्ति ।

तस्मिन् एव काले एच् जे टी हेटरोजन्क्शन् मार्गः कदा लाभप्रदः भविष्यति इति उद्योगे सर्वदा सर्वाधिकं चिन्ताजनकः विषयः अभवत् ।

solarzoom इत्यस्य उपाध्यक्षः मा यिवेइ इत्यनेन सभायां व्याख्यातं यत् प्रचुरस्य उत्पादनक्षमतायाः सन्दर्भे एच् जे टी प्रौद्योगिक्याः पूर्णलाभप्रदतां प्राप्तुं केवलं द्वौ उपायौ स्तः - व्ययस्य न्यूनीकरणं निरन्तरं कर्तुं दक्षतां च वर्धयितुं। सः दर्शितवान् यत् एच् जे टी बैटरीणां उन्नतनिर्माणक्षमता वर्तमानकाले २५.६% अधिकं औसतसामूहिकउत्पादनरूपान्तरणदक्षतां प्राप्तवती अस्ति, तथा च मध्यमस्य उच्चस्य च अधः प्रति डब्ल्यू (अथवा विद्युत्स्थानकस्य प्रभावीविद्युत्निर्माणघण्टानां संख्या) विद्युत् उत्पादनं प्राप्तवती अस्ति तापमानं तथा मध्यमं उच्चं च भूमौ परावर्तनशीलता परिदृश्यं मुख्यधारा बैटरी प्रौद्योगिक्याः अपेक्षया 3% अधिकं भवति . यदि उत्पादनव्ययस्य आधारेण मूल्यं निर्धारितं भवति, तर्हि वर्तमान एच् जे टी बैटरी मुख्यधारा प्रौद्योगिकीमार्गस्य (समानपरिमाणे) च मूल्यान्तरं ०.०४-०.०५ युआन्/डब्ल्यू यावत् संकुचितं भवति इति दृष्ट्वा विश्वस्य अधिकांशस्थानेषु एच् जे टी बैटरी इत्यस्य एलसीओई अस्ति वर्तमानस्य मुख्यधारामार्गात् पूर्वमेव न्यूनः । २०२५ तमे वर्षे प्रवेशं कृत्वा एच् जे टी बैटरीणां रूपान्तरणदक्षतायां अद्यापि ०.५% तः न्यूनं न सुधारस्य स्थानं वर्तते, तथा च सामूहिक-उत्पादनस्य औसत-मॉड्यूल-शिपमेण्ट्-शक्तिः ७४०w+ यावत् भवितुं शक्नोति इति अपेक्षा अस्ति 0bb प्रौद्योगिकी, स्केल इफेक्ट्स्, तथा च वस्तुमूल्यवृद्धिः तथा च मुख्यधाराप्रौद्योगिकीमार्गं व्यापकरूपेण अतिक्रम्य एचजेटी उत्पादानाम् उत्पादनव्ययस्य दृष्ट्या गणितं एलसीओई अधिकं न्यूनीकरिष्यते। "उत्पादनव्ययः मुख्यधाराप्रौद्योगिक्याः अपेक्षया न्यूनः भवति + विद्युत्-विद्युत्-उत्पादनस्य संचयीलाभः ५% यावत् भवति = निर्विवादः यत् एतत् मुख्यधारा-बैटरी-प्रौद्योगिकी-मार्गं पूर्णतया अतिक्रम्य विध्वंसनं पुनरावृत्तिं च त्वरयति तावत्पर्यन्तं, भवान् एच्.जे.टी heterojunction and future hjt& lamination प्रौद्योगिक्याः व्यापकलाभप्रदतायाः भव्यः अवसरः।

मा यिवेई इत्यस्य दृष्टौ उपकरणव्ययस्य न्यूनीकरणं सम्पूर्णस्य एच् जे टी हेटरोजन्क्शनस्य कृते पूर्णलाभप्रदतां प्राप्तुं प्रक्रियायां अत्यन्तं महत्त्वपूर्णं महत्त्वपूर्णं च कडिम् अस्ति एच् जे टी उपकरणेषु अग्रणीः मैवेई कम्पनी लिमिटेड् इत्यस्य अध्यक्षः झोउ जियानः स्थले एव मैवेई इत्यस्य नवीनतमं एच् जे टी ४.० उत्पादनपङ्क्तिं परिचयितवान् । reaching 1.2gw for the entire line, but also covers an area of ​​equipment क्षेत्रस्य रक्षणं 34%+ भवति, स्थले स्थितानां कर्मचारिणां 25%+ न्यूनता भवति, उपकरणानां विद्युत्-उपभोगः 20%+ न्यूनः भवति , सुविधानां विद्युत्-उपभोगः 30%+ न्यूनीकरोति, कारखाना-सुविधासु निवेशः 30%+ न्यूनीकरोति, लक्ष्य-उपभोगः च 1.5mg/w न्यूनीकृतः भवति बहुविध-उपायानां संयुक्त-प्रभावस्य अन्तर्गतं 4.0-उत्पादन-रेखा गैर-सिलिकॉन-व्ययस्य न्यूनीकरणं २.५-३ सेण्ट्/डब्ल्यू. तस्मिन् एव काले झोउ जियान् इत्यनेन २०२४ तमे वर्षे एच् जे टी हेटरोजन्क्शन् इत्यस्य विकासाय अद्यतनदृष्टिः अग्रे स्थापिता: ४ मासाभ्यः न्यूनेन समये एच् जे टी कोशिकानां सामूहिक उत्पादनदक्षता पूर्णतया २६% इत्यस्य सङ्गतिं करिष्यति, तथा च २१०/६६ संस्करणं हेटरोजंक्शन् इत्येतत् करिष्यति be जंक्शन घटकानां विनिर्देशाः 750w इत्यस्य समीपे भवितुं प्रयतन्ते, सिलिकॉन वेफरस्य मोटाई 100μm तः न्यूना भवति, स्लरी मात्रा 12mg/w तः न्यूना भवति, रजतस्य मात्रा 30% इत्यस्य समीपे भवति, इण्डियमस्य मात्रा 1mg/ तः न्यूना भवति। w, तथा च इण्डियमं विना विषमसंयोगकोशिका अपि सन्ति पेरोव्स्काइट् स्तम्भितकोशिकानां कार्यक्षमता पूर्णाकारे ३०% अधिका भवति ।

सर्वेषु व्ययनिवृत्तियोजनासु लक्ष्यसामग्री एव बहुधा उल्लिखिता भवति । ओले इत्यस्य न्यू मटेरियल्स् एण्ड् थिन फिल्म सेण्टर इत्यस्य निदेशकः डॉ. लु कुआन्कुआन् इत्यनेन प्रतिभागिभ्यः इण्डियम-रहित-लक्ष्यस्य प्रगतेः परिचयः कृतः यत् सः अवदत् यत् ओले इत्यस्य इण्डियम-रहित-उत्पादानाम् वर्तमान-पीढी उच्च-आच्छादनेन १६.७६% व्यय-कमीकरणं प्राप्तुं शक्नोति -दक्षता लक्ष्यं करोति, परन्तु तत् केवलं विषमसंयोजनकोशिकानां कारणं भविष्यति दक्षता 0.03-0.05% न्यूनीकृता अस्ति यत् द्वितीय-पीढीयाः उत्पादाः सत्यापिताः सन्ति, तेषां मूल्यस्य अधिकं न्यूनीकरणं, 33.52% पर्यन्तं, बैटरी-दक्षता-कमीकरणं च अपेक्षितम् अस्ति ०.०५% तः न्यूनम् अपि भविष्यति । तदतिरिक्तं उच्च-दक्षता-लक्ष्य-सुपरपोजिशन-अनुकूलित-रजत-पेस्ट-संपर्कः, यस्य सत्यापनम् अपि क्रियते, सः 16.76% पर्यन्तं व्ययस्य न्यूनीकरणं कर्तुं शक्नोति तथा च भविष्ये पीईडी-लक्ष्येषु उच्च-दक्षता-लक्ष्याणां उपरि आरोपणं कर्तुं शक्नोति पूर्वोत्पादानाम् सर्वेषां लाभानाम् संयोजनं करिष्यति तथा च 33.52% व्यय-कमीकरणं प्राप्स्यति , बैटरी-दक्षता 0.1+% वर्धिता, यत् नूतन-उत्पादकता hjt heterojunction इत्यस्य भविष्ये उत्सुकतासु अन्यतमम् अस्ति।

व्ययस्य न्यूनीकरणस्य कार्यक्षमतासुधारस्य च चर्चायां सिलिकॉनवेफरलिङ्कः परिहर्तुं न शक्यते । हुआशेङ्ग न्यू एनर्जी इत्यस्य उपाध्यक्षः सिलिकॉन् वेफरव्यापार-एककस्य महाप्रबन्धकः च वाङ्ग जिन् हेटरोजन्क्शन्-विशिष्टस्य सिलिकॉन् वेफरस्य दिशायाः विषये स्वविचारं साझां कृतवान् सः दर्शितवान् यत् सिलिकॉन् वेफरस्य कृते विषमसंयोगकोशिकानां गहन-आवश्यकता प्रति-वाट्-व्ययः न्यूनः, अधिक-स्थिर-दक्षता-निर्गमः, सूक्ष्मतर-आकारः च इत्यस्मात् अधिकं किमपि नास्ति एतासां आवश्यकतानां निवारणाय, प्रौद्योगिक्याः दृष्ट्या, अस्माभिः व्यापकरूपेण fbr+ccz, se ingot, अति-पतले अर्ध-कटित-उच्च-सटीक-सिलिकॉन-वेफर्स्, तथा च सटीक-gettering इत्यस्य मूल्यस्य दृष्ट्या विचारणीयम्, अस्माभिः प्रत्येकं चरणात् आरभ्यत इति सिलिकॉन सामग्री, स्फटिक खींचना, स्लाइसिंग्, तथा च गेटरिंग् व्यापकं व्ययनिवृत्तिः यथा सिलिकॉन् वेफरस्य गुणवत्तायाः विषये, व्यापकव्ययस्य न्यूनीकरणं प्राप्तुं प्रभावीरूपेण सुधारं कर्तुं फास्फोरसस्य एंटीमोनस्य सह-डोपिंग, सीसीजेड, ग्रेडेड् गेटरिंग् तथा पॉलिशिंग् इत्येतयोः आरम्भः आवश्यकः अस्ति ingot उपयोग।

वाङ्ग जिनस्य मतं यत् बहुकोणात् आयामात् च बहुविधप्रौद्योगिकीनां संयुक्तक्रिया एचजेटी विषमसंयोजनानां कृते सशक्ततरं आर्थिकशक्तिं प्रदातुं शक्नोति।

हेटरोजंक्शन् सेल कम्पनीनां प्रतिनिधिरूपेण टोङ्ग्वेई फोटोवोल्टिक टेक्नोलॉजी विभागस्य फोटोवोल्टिक रिसर्च इन्स्टिट्यूट् इत्यस्य निदेशकः जियांग् फाङ्गडान् टोङ्ग्वेई हेटरोजंक्शन् सेल्स् इत्यस्य प्रगतेः विषये प्रतिवेदनं दत्तवान् जियाङ्ग फाङ्गडान् इत्यनेन उक्तं यत् टोङ्ग्वेई इत्यस्य १जीडब्ल्यू एच्जेटी हेटरोजन्क्शन् पायलट् लाइन् मुख्यतया ताम्रपरस्परसंयोजनं, ०बीबी तथा द्विपक्षीयसूक्ष्मस्फटिकप्रौद्योगिकीषु केन्द्रीभूता अस्ति: बैटरीणां दृष्ट्या वर्तमानस्य एच्जेटी सामूहिकनिर्माणप्रौद्योगिक्याः आधारेण स्लरी-उपभोगस्य च औसतसाप्ताहिकबैटरीदक्षता अधिका भवति 25.25%, तथा च औसतसाप्ताहिकः ए-ग्रेड-दरः 99% यावत् भवति अन्यप्रक्रियाणां प्रौद्योगिकीनां च परिचयस्य माध्यमेन, अपेक्षा अस्ति यत् बैटरी-दक्षतायां 0.5% अधिकं सुधारः कर्तुं शक्यते घटकानां दृष्ट्या, द्रव्यमानस्य आधारेण। produced batteries and component boms, hjt component batches उप-सरासरी-शक्तिः ७४४.३w यावत् अभवत्, तथा च एकस्य मॉड्यूलस्य अधिकतमशक्तिः ७४८.१w आसीत् ।

भविष्यं प्रति पश्यन् जियांग फाङ्गदानस्य मतं यत् विषमसंयोगस्य औद्योगीकरणमार्गाः अनिवार्यतया पृथक् भविष्यन्ति: एकः दक्षता-उन्मुखः भविष्यति, यस्य उच्चशक्तिः 20w अधिकः भविष्यति, यत् पीढी-अन्तरं निर्मास्यति, येन क समानशक्तिखण्डेषु अन्यप्रौद्योगिकीनां कृते व्ययः लाभाः।