2024-08-01
한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina
Xinxi इत्यनेन ३१ जुलै दिनाङ्के ज्ञापितं यत् ऑप्टिकलफाइबरसञ्चारसम्मेलनं (OFC) विश्वस्य ऑप्टिकलसञ्चारक्षेत्रे उच्चतम-मानक-बृहत्तम-अन्तर्राष्ट्रीय-कार्यक्रमत्वेन मान्यतां प्राप्नोति, तथा च अत्याधुनिक-ऑप्टिकल-सञ्चार-प्रौद्योगिकीनां विकासाय फलकम् अस्ति अस्मिन् वर्षे ऑप्टिकल फाइबर संचारसम्मेलने इन्टेल् इत्यस्य सिलिकॉन् फोटोनिक्स इन्टीग्रेटेड् सॉल्यूशन्स् (IPS) दलेन उच्च-बैण्डविड्थ-अन्तर-संयोजन-प्रौद्योगिक्यां नवीनतां प्रवर्धयितुं स्वस्य सफलता-प्रगतिः साझा कृता -उद्योगस्य अग्रणी, पूर्णतया एकीकृतः OCI (Optical Computing Interconnect) वास्तविकदत्तांशं चालयितुं Intel CPUs इत्यनेन सह पैकेज्ड् कृत्वा मृतः भवति。
डाटा सेण्टर् तथा उच्च-प्रदर्शन-कम्प्यूटिङ्ग् (HPC) अनुप्रयोगानाम् कृते, Intel द्वारा निर्मितः OCI कोरः ऑप्टिकल I/O सह-पैकेजस्य साक्षात्कारं करोति तथा च 100 मीटर् यावत् दीर्घतायां ऑप्टिकल फाइबर्स् इत्यत्र 64 32Gbps चैनल्स् समर्थयितुं शक्नोति एआइ आधारभूतसंरचनायाः वर्धमानमागधा अधिकबैण्डविड्थस्य, न्यूनविद्युत्-उपभोगस्य, दीर्घसंचरणदूरस्य च वर्धमानमागधा ।
इन्टेल् इत्यनेन ओसीआई-गोलानां सटीकपरिमाणं न प्रकाशितम्, परन्तु सद्यः प्रकाशितेषु छायाचित्रेषु मानक-क्रमाङ्कस्य २ पेन्सिलस्य अन्ते इरेजरस्य तुलने ओसीआइ-गोलानि दृश्यन्ते
ओसीआई कोर चिप्स् इत्यस्य अधिकतकनीकीविवरणानां विषये इन्टेल् रिसर्च इन्स्टिट्यूट् इत्यस्य उपाध्यक्षः इन्टेल् चाइना रिसर्च इन्स्टिट्यूट् इत्यस्य निदेशकः च सोङ्ग जिकियाङ्ग इत्यनेन अद्यैव कोर मीडिया इत्यादिभिः माध्यमैः सह गहनं आदानप्रदानं कृतम्सोङ्ग जिकियाङ्ग इत्यनेन सिलिकॉन् फोटोनिक एकीकरणस्य कृते इन्टेल् इत्यस्य भविष्यस्य नवीनतामार्गचित्रं साझां कृतम् रेखादरं, प्रतितन्तुतरङ्गदैर्घ्यस्य संख्यां, तन्तुनां संख्यां, ध्रुवीकरणविधिं च वर्धयित्वा, इदं ओसीआई कोरस्य भविष्यत्पीढीनां प्रदर्शनं विस्तारयिष्यति तथा च एकं... पर्यन्तस्य बैण्डविड्थः३२Tbps इतिउपकरणम्।
इन्टेल् विभिन्नेभ्यः आन्तरिकबाह्यग्राहकेभ्यः OCI चिप्स् आपूर्तिं कुर्वन् अस्ति । विशिष्टग्राहकअनुप्रयोगाः उत्पादस्य आवश्यकताः च एतेषां विस्तारकार्यक्रमानाम् क्रमं समयं च निर्धारयिष्यन्ति।
यथा यथा जननात्मक-AI-विकासः त्वरितः भवति तथा तथा बृहत्-माडल-मध्ये उच्च-गणना-घनत्वं, बृहत्-स्मृति-क्षमता, बैण्डविड्थ-इत्येतयोः आवश्यकता भवति, तथा च एकस्मिन् सर्वर-नोड्-मध्ये परिनियोजनं कठिनं भवति, अतः क्रॉस्-रैक्-संयोजनानां आवश्यकता भवति बृहत् कम्प्यूटिङ्ग् क्लस्टरस्य अर्थः दीर्घतरं संचरणदूरता, अधिकानि I/O बैण्डविड्थ् आवश्यकता च ।
सोङ्ग जिकिआङ्ग् इत्यनेन उक्तं यत् एआइ-अनुप्रयोगाः भण्डारणस्य गणना-अनुपातस्य च दृष्ट्या नूतन-स्तरं प्राप्तवन्तः, तथा च स्मृति-प्रवेशस्य आवश्यकता प्रायः भवति अतः स्मृति-चैनेल्-विलम्बः च भविष्ये बृहत्-परिमाणे अनुप्रयोग-सेवाः कथं प्रदातव्याः इति प्रभावितं करिष्यन्ति एतदर्थं केचन नूतनाः पद्धतयः अन्वेष्टव्याः,गणनाशक्तिं भण्डारणघनत्वं च वर्धयन् विद्युत्-उपभोगं न्यूनीकरोति, आकारं च संकुचति, तस्मात् अधिकं गणना-भण्डारणं (चिप्स्) सीमितस्थाने स्थापयति。
पूर्वं विद्युत् I/O चिप्स् मध्ये अन्तरसंयोजनं पूर्णं कर्तुं ताम्रतारानाम् उपयोगं करोति स्मप्रायः १ मीटर्。
यदि भवान् सम्पूर्णे दत्तांशकेन्द्रे समूहं निर्माति तर्हि दीर्घदूरसञ्चारार्थं बृहत् क्लस्टरक्षेत्रस्य, दीर्घकेबलस्य, उच्चशक्ति-उपभोगस्य च समस्यानां सामनां करिष्यति, येन उच्च-गणना-शक्तिः, ऊर्जा-बचनां च प्राप्तुं कठिनं भवति एकस्मिन् दत्तांशकेन्द्रे बहवः सर्वर-नोड्-स्थानानि स्थापितानि सन्ति, तथा च, यस्याः शक्तिः आपूर्तिः कर्तुं शक्यते, तस्य उपरितन-सीमा अस्ति, चिप्स्-इत्यस्य अतिरिक्तं, I/O इत्यादयः स्थानानि अपि सन्ति ये रैक् मध्ये शक्तिं उपभोगयन्ति प्रत्येकं चिप् कृते आवंटितः उपभोगः अतीव सीमितः भवति ।
सोङ्ग जिकियाङ्ग इत्यस्य मते विगत २० तः ३० वर्षेषु सम्पूर्णे कम्प्यूटिङ्ग् उद्योगे I/O इत्यस्य अधिकाधिकं शक्तिः आवश्यकी अस्ति यदि वर्तमानप्रौद्योगिक्याः उपयोगः भवति तथा च वर्तमानपरिमाणस्य उपयोगः वर्धते तर्हि तत् सर्वान् शक्तिं खादिष्यति to the rack.फलतः कम्प्यूटिंग्-भण्डारण-चिप्स-मध्ये पठन-लेखन-कार्यक्रमं कर्तुं पर्याप्तं विद्युत् नास्ति, अतःI/O भागे प्रयुक्तां शक्तिं दमनार्थं नूतनानां तकनीकीसमाधानानाम् उपयोगः अवश्यं करणीयः ।。
इन्टेल् पारम्परिकविद्युत् I/O अश्ववाहनेन सह तुलनां करोति, यत्र सीमितसंचरणवेगः दूरी च भवति;१०० मीटर् अन्तःउच्चतरघनत्वं अधिकं लचीलं च आँकडासंचरणं प्राप्तुं सिलिकॉन-फोटोनिक-एकीकरण-विधिः हल्के मोटरसाइकिलस्य इव भवति, या द्रुतगतिः, लचीला, प्रभावी, ऊर्जा-बचना च भवति१०० मीटर् अधिकंदीर्घदूरस्य संचरणस्य कृते प्लग-करणीयस्य ऑप्टिकल्-ट्रांससीवरस्य उपयोगः बृहत्तरक्षमतायुक्तं पर्याप्तवेगयुक्तं च कारं प्रतिस्थापयितुं इव भवति ।
ऑप्टिकल I/O तथा प्लगेबल ऑप्टिकल ट्रांसीवरः सन्तिसिलिकॉन फोटोनिक इंटरकनेक्टसमाधानस्य लाभः न्यूनशक्ति-उपभोगः भवति, दीर्घदूर-सञ्चारार्थं उपयुक्तः च अस्ति ।
प्लग करने योग्य ऑप्टिकल ट्रांसीवरसमाधानं तुल्यकालिकरूपेण परिपक्वं भवति तथा च इलेक्ट्रॉनिक-इण्टीग्रेटेड-सर्किट् (EIC) अन्तरफलकेन सह प्रत्यक्षतया सम्बद्धं कर्तुं शक्यते, यत् संचरण-दूरं वर्धयितुं शक्नोति तथापि तस्य आकारः अधिकः भवति तथा च सामान्यतया उच्च-गति-सीरियलाइजर् तथा डिसीरियलाइजर् (SerDes) अथवा डिजिटल-संकेत-प्रक्रियाकरणस्य आवश्यकता भवति (DSP) प्रौद्योगिकी अतः कार्यक्षमता सीमितं भवति, बैण्डविड्थघनत्वं न्यूनं भवति, विलम्बः च अधिकः भवति ।
प्रयुज्य चसिलिकॉन प्रकाशविज्ञान एकीकरणप्रौद्योगिकी, ऑप्टिकल I/O एआइ विस्तारस्य आवश्यकतां पूरयितुं न्यूनशक्ति-उपभोगेन, उच्च-बैण्डविड्थ-घनत्वेन, न्यून-विलम्बेन, दीर्घ-संचरण-दूरेण च बहु-Tbps-बैण्डविड्थं प्राप्तुं शक्नोति
ओसीआई कोर कण(अथवा कोऽपि ऑप्टिकल I/O समाधानः) CPU, GPU अथवा SoC इत्यनेन सह सह-सीलीकृतः I/O बैण्डविड्थघनत्वं, कुल ऊर्जा-दक्षतां, विलम्बः, मूल्यं च अनुकूलितुं सुधारयितुं च शक्नोति, तथा च नूतन-आर्किटेक्चर-माध्यमेन यत् HBM इत्यादि-संसाधन-विभाजनस्य समर्थनं करोति अथवा CXL मेमोरी पूलिंग्) अधिकं कुशलं संसाधनस्य उपयोगं प्राप्तुं ।
भविष्ये इन्टेल् भिन्न-भिन्न-संचरण-दूराणां कृते भिन्न-भिन्न-समाधानं प्रदास्यति, यत्र OCI ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक-सह-पैकेजिंग्, प्लग-करणीय-समाधानं च सन्ति ।
Intel OCI die एकं सम्पूर्णं भौतिकस्तरस्य ऑप्टिकल I/O उपकरणम् अस्ति, यत्र ऑन-चिप् सघनतरङ्गदैर्घ्यविभागः मल्टीप्लेक्सिंग् लेसरः अर्धचालक ऑप्टिकल एम्पलीफायर् च सह सिलिकॉन फोटोनिक्स एकीकृतपरिपथः (PIC) अस्ति, तथा च PIC नियन्त्रयितुं मेजबानेन सह सम्बद्धं कर्तुं च EIC अस्ति .
EIC इत्यस्य कार्यं विशिष्टसंकेतानां उपयोगः कथं भवति तथा च के के भागाः तया सह सम्बद्धाः इति निकटतरं भवति एतत् प्रोटोकॉलमध्ये रूपान्तरण-अनुकूलन-स्तरः भविष्यति । PIC प्रकाशस्य स्थिरसञ्चारस्य समस्यायाः समाधानं, संकेतानां उन्नयनं प्रेषणं च, तथा च स्थायिविकासस्य विषये अधिकं वर्तते, यथा ढांकता-विद्युत्-आप्टिकल्-माध्यमानां मध्ये उत्तमं रूपान्तरणं कथं पूर्णं कर्तव्यम् इति
EIC मानक CMOS प्रक्रिया नोड् इत्यस्य उपयोगं करोति, तथा च PIC इत्यनेन 300mm सिलिकॉन वेफर इत्यस्य आधारेण Intel इत्यस्य सिलिकॉन् फोटोनिक्स निर्माणप्रक्रियायाः उपयोगः भवति । सामान्यतया EIC समर्थितस्य मुख्यचिपस्य समीपे वा संरेखितुं वा तुल्यकालिकरूपेण उन्नतप्रक्रियायाः उपयोगं करोति, यदा तु PIC अधिकपरिपक्वप्रक्रियायाः उपयोगं करोति ।
यतो हि प्लग-करणीय-विधिः नास्ति, अतः एतादृशानां कम्प्यूटिङ्ग्-घटकानाम् एव शक्तिः न्यूना भवति
इन्टेल् इत्यस्य पूर्णतया एकीकृतः OCI चिप् द्विदिशा-दत्तांश-सञ्चार-गतिम् पर्यन्तं सक्षमं करोति४Tbps इति, सह सङ्गतम् चPCIe 5 वी पीढी, एकदिशा समर्थनम्३२जीबीपीएस इत्यस्य ६४ लेन्स्(गीत जिकियाङ्ग इत्यनेन उक्तं यत् वर्तमानदत्तांशकेन्द्रेषु एतत् पर्याप्तम् अस्ति), यस्य संचरणदूरता पर्यन्तं भवति१०० मीटर्(संचरणविलम्बस्य कारणात् वास्तविकप्रयोगेषु दूरं दशमीटर्पर्यन्तं सीमितं भवितुम् अर्हति)।
अस्मिन् ८ प्रकाशीयतन्तुयुग्मानि उपयुज्यन्ते, प्रत्येकं सघनतरङ्गदैर्घ्यविभागस्य बहुलीकरणस्य (DWDM) ८ तरङ्गदैर्घ्यं भवति, तथा च विद्युत्-उपभोगः केवलं भवतिप्रति बिट् ५pJ(picojoules), केवलं प्लग-करणीय-ऑप्टिकल-ट्रांससीवर-मॉड्यूल-विद्युत्-उपभोगः1/3。
सोङ्ग जिकियाङ्ग इत्यस्य मते इन्टेल् इत्यस्य विश्वासः अस्ति यत् उपकरणस्य पैकेजिंग् डिजाइनस्य, निर्माणप्रक्रियाणां, बैण्डविड्थविस्तारस्य च विविधसुधारद्वारा तदनन्तरं उत्पादानाम् ऊर्जादक्षतां १०% यावत् न्यूनीकरिष्यतिप्रति बिट् ३.५पीजेनिम्नलिखितम् ।
२०२४ तमे वर्षे ऑप्टिकल् फाइबरसञ्चारसम्मेलने इन्टेल् इत्यनेन लाइव् ऑप्टिकल् लिङ्क् प्रदर्शनं कृतम्, यत्र एकल-मोड् फाइबर (SMF) जम्पर् इत्यस्य माध्यमेन द्वयोः डाटा सेण्टर CPU प्लेटफॉर्मयोः मध्ये ट्रांसमीटर् रिसीवर च अन्तरसंयोजनं दर्शितम्
CPU बिट् त्रुटिदरं जनयति, मापयति च । द्वे दत्तांशकेन्द्रे CPU परस्परं दत्तांशं प्रेषयन्ति, प्राप्नुवन्ति च नोड्स् अथवा सिस्टम्स् मध्ये अग्रे पश्चात्।
यथा चित्रे दर्शितं, उभयतः प्रणाली-होस्ट्-मध्ये विद्युत्-संकेताः सन्ति, ये प्रकाश-विद्युत्-रूपान्तरण-चिप्-द्वारा प्रकाशे परिणमन्ति संप्रेषकस्य कुलम् 1.6THz स्पेक्ट्रम् अस्ति, यत्र एकस्मिन् तन्तुमध्ये 200GHz मध्ये 8 तरङ्गदैर्घ्यं भवति, तथा च 32Gbps संप्रेषकनेत्रचित्रं प्रबलसंकेतगुणवत्तां सूचयति
वर्णयुक्तः भागः प्रकाशः भवति, भिन्नाः वर्णाः भिन्नतरङ्गदैर्घ्यस्य प्रकाशं प्रतिनिधियन्ति, आवृत्तौ पर्याप्तान्तराणि सन्ति येन ते मॉड्यूलेशन-विमोड्यूलेशनयोः समये परस्परं बाधां न कुर्वन्ति एतानि प्रकाशानि एकत्र संयोजयित्वा एकस्मिन् प्रकाशीयतन्तुके प्रसारयितुं शक्यन्ते, अर्थात् एकस्मिन् प्रकाशीयतन्तुके बहुविधपट्टिकाः "बहुविध" कर्तुं शक्यन्ते, यत् अतारसञ्चारक्षेत्रे आवृत्तिविभागस्य बहुविधीकरणं समानम् अस्ति
यतः प्रकाशस्य पट्टिकाविस्तारः अतीव विशालः भवति, अतः भवन्तः तुल्यकालिकं स्थिरं पट्टिकाविस्तारं चित्वा बहुविधतरङ्गपट्टिकासु छित्त्वा, ये मानवनेत्रे भिन्नवर्णप्रकाशरूपेण दृश्यन्ते वस्तुतः ते भिन्न-आवृत्ति-पट्टिकाः सन्ति, प्रसारणीयः संकेतः च प्रत्येकस्मिन् पट्टिकायां स्थिररूपेण संयोजितुं शक्यते । प्रकाशविद्युत् मॉडुलेशनस्य अनन्तरं संकेतः प्रकाशीयतन्तुद्वारा प्रसारितः भवति ।
Song Jiqiang इत्यनेन Intel OCI चिप्स् इत्यस्य प्रदर्शनविकासस्य रोडमैपं साझां कृतम् प्रौद्योगिकी पुनरावृत्तेः कृते मुख्यानि त्रीणि दिशानि सन्ति ।प्रकाशतरङ्गानाम् तरङ्गदैर्घ्यस्य संख्या, प्रकाशीयतन्तुनां संचरणस्य गतिः, प्रकाशीयतन्तुनां संख्या च ।
एकं ऑप्टिकल फाइबरं संचरणार्थं भिन्न-भिन्न-बैण्ड्-मध्ये विभक्तुं शक्यते वर्तमानकाले 8-बैण्ड्-इत्येतत् स्थिर-सञ्चारं सुनिश्चितं कर्तुं शक्यते परस्परं प्रभावं विना इति 8. सम्यक्। त्रयाणां गुणितं कृत्वा एकदिशायाः दत्तांशसञ्चारवेगः २Tbps यावत् भवति, द्विपक्षीयवेगः च ४Tbps भवति ।
भविष्ये यदि ८-बैण्ड्-बैण्ड् अपरिवर्तितः भवति तथा च फाइबर-सञ्चार-दरः ६४Gbps यावत् वर्धितः भवति तर्हि एकदिशा-दत्तांश-सञ्चार-वेगः ४Tbps यावत् दुगुणः भविष्यति पश्चात् यदि १६-बैण्ड् भवति तर्हि संचरण-वेगः भविष्यति 8Tbps यावत् वर्धितम्। भविष्ये अपि अस्य विकासः निरन्तरं भवति, क्रमेण च बैण्डविड्थ् वर्धयितुं शक्यते ।
पृथक् पृथक् प्लग्-इन् समाधानैः सह तुलने,यदा OCI चिप् तथा CPU एकत्र सह-सीलीकरणं भवति तदा तापप्रबन्धनस्य समग्ररूपेण विचारः करणीयः भवति, तथा च पैकेजिंगस्तरस्य संकेतसंचरणघनत्वं संचरणस्य आवृत्तिः च सुनिश्चिता भवितुमर्हति . इन्टेल् इत्यस्य वर्तमानप्रौद्योगिकी एतासां आवश्यकतानां पूर्तये पूर्वमेव समर्था अस्ति ।
भविष्ये OCI चिप्स् इत्यस्य उपयोगः संचारस्य कार्यान्वयनार्थं कर्तुं शक्यते तथा च CPU, GPU, IPU इत्यादिभिः कम्प्यूटिङ्ग् चिप्स् इत्यनेन सह अपि एकीकृत्य स्थापयितुं शक्यते ।सिलिकॉन् फोटोनिक्स एकीकरणस्य उन्नतपैकेजिंगप्रौद्योगिक्याः च माध्यमेन इन्टेल् उच्चघनत्वयुक्तानि I/O चिप्स् प्राप्तुं शक्नोति, ततः अन्यैः xPU इत्यनेन सह तान् संयोजयित्वा भविष्ये चिप्स् इत्यस्य आधारेण अनेकविभिन्नप्रकारस्य कम्प्यूटिंग् तथा अन्तरसंयोजनचिप्स् निर्मातुम् अर्हति, यत्र आशाजनकाः अनुप्रयोगसंभावनाः सन्ति
सोङ्ग जिकियाङ्ग इत्यनेन अग्रे व्याख्यातं यत् अन्यप्रकारस्य चिप्स् इत्यनेन सह तदनन्तरं एकीकरणस्य आव्हानं तकनीकीस्तरस्य नास्ति, अपितु कार्यान्वयनस्तरस्य अस्ति, यत् ध्यानं दातव्यं तत् अस्तिबैण्डविड्थ घनत्व , उदाहरणार्थं यदा प्रकाशविद्युत्-अन्तरफलकानां मध्ये दूरं सीमितं भवति तदा एतेषु प्रकाशविद्युत्-रूपान्तरण-अन्तरफलकेषु कथं स्थापयितव्यम् ? किं साध्यं बैण्डविड्थघनत्वं निश्चित आकारपरिधिमध्ये पर्याप्तम् अस्ति?
तस्य मते ओसीआई चिप् अधिकं लचीलं कर्तुं एकीकरणप्रक्रियायां कार्यभारं न्यूनीकर्तुं चसामान्यतया कश्चन होस्ट् xPU तथा I/O इत्येतयोः मध्ये विद्युत्-अन्तरफलकस्य उपयोगं विचारयिष्यति यत् एकस्य सुदृढस्य IP पारिस्थितिकीतन्त्रस्य माध्यमेन मानकीकृतम् अस्ति, यथा UCIe, PCIe, Ethernet इत्यादि。
सः इन्टेल्-समाधानस्य विभेदकलाभानां विषये अपि कथितवान् ।
प्रथमं, इन्टेल् वेफरस्तरस्य अत्यन्तं एकीकृतलेसरस्य सामूहिकरूपेण उत्पादनं कर्तुं शक्नोति, यत्र अधिकं उत्पादनं विश्वसनीयता च भवति तथा च कुलव्ययः न्यूनः भवति । सिद्धान्तं उच्च-उत्पादन-उत्पादने परिणतुं अनन्तरमेव औद्योगिकीकरण-क्षमतानां निर्माणं कर्तुं शक्यते ।
विद्यमानबाह्यलेजरसमाधानस्य कृते विशेषप्रकाशतन्तुनां उपयोगः आवश्यकः भवति, ये महत्त्वपूर्णाः भवन्ति, तेषां बृहत्परिमाणेन परिनियोजनप्रकरणाः नास्ति ।ऑन-चिप् लेजरस्य लाभः अस्ति यत् साधारणप्रकाशतन्तुनाम् उपयोगेन तेषां प्रसारणं कर्तुं शक्यते यतः बाह्यप्रकाशस्रोतस्य आवश्यकता नास्ति, अतः ध्रुवीकरणं निर्वाहयन्तः तन्तुनां आवश्यकता नास्ति(PMF, बाह्यप्रकाशस्रोतानां निष्क्रियसिलिकॉन-फोटोनिक-एकीकृत-परिपथैः सह संयोजनाय आवश्यकः विशेषः प्रकाशीय-तन्तुः) ।
लेजर-संप्रेषकं निर्माय पृथक् यन्त्रस्य निर्माणं तुल्यकालिकरूपेण सरलं भवति । वेफर-उपरि लेजर-निर्माणार्थं तान्त्रिक-दहलीजः भवति प्रकाशस्रोताः, मॉड्यूलेटराः, प्रवर्धकाः, प्रकाशीयतरङ्गमार्गदर्शकाः, डिटेक्टर् इत्यादीनि च समाविष्टानि प्रकाशीययन्त्राणि वेफरस्तरस्य कार्यान्विताः भवेयुः ।
द्वितीयं, इन्टेल् इत्यस्य उच्चमात्रायां, सिद्धाः मञ्चाः, उद्योगस्य अग्रणीविश्वसनीयतायुक्ताः उपकरणाः च सन्ति ।
Intel OCI चिप्स् एकस्मिन् आन्तरिके, उत्पादन-सिद्धे सिलिकॉन-फोटोनिक्स-एकीकरण-मञ्चे निर्मिताः सन्ति यत् 2015 तः अतिपरिमाण-आँकडा-केन्द्रेषु 100% अधिकं संयोजक-अनुप्रयोगं वितरितवान् अस्ति८ मिलियनऑप्टिकल ट्रांसीवर मॉड्यूल्स (अधिकं सहित...८ मिलियनसिलिकॉन फोटोनिक्स एकीकृत परिपथाः ततः परं च३२ मिलियनएकीकृतलेजर), 100Gbps, 200Gbps, 400Gbps पर्यन्तं संचरणदरस्य आवश्यकतां विद्यमानानाम् अनुप्रयोगानाम् कृते उपयुज्यते ।
अस्य विश्वसनीयता कोटिषु उपकरणेषु सत्यापिता अस्ति, तथा च दत्तांशैः ज्ञायते यत् लेजरस्य समयमूलविफलतायाः दरः (FIT) तः न्यूनः अस्ति0.1, यत् १० कोटिघण्टासु एकवारमेव विफलता भवितुम् अर्हति इति वक्तुं तुल्यम् ।
तदतिरिक्तं, पृथक् पृथक् चिप्-द्वये (सिलिकॉन-फोटोनिक्स-इन्टीग्रेटेड्-सर्किट् तथा इलेक्ट्रॉनिक-इण्टीग्रेटेड्-सर्किट्) फोटोनिक-सीएमओएस-परिपथयोः निर्माणेन मापनीयता, कार्यक्षमता-अनुकूलनं च सुनिश्चितं भवति, एकस्मिन् चिप्-मध्ये द्वयोः विशाल-विभिन्न-प्रौद्योगिकीयोः संयोजनाय आवश्यकानां सम्झौतानां, व्यापार-सम्बन्धानां च विना ।
इन्टेल् इत्यस्य उन्नतपैकेजिंग्, सिस्टम्, प्लेटफॉर्म इत्यादीनां सञ्चयः अपि ऑप्टिकल् I/O समाधानस्य अनुकूलनं कर्तुं समर्थयति ।इन्टेल् अग्रणी-उपकरण-प्रदर्शन-सुधारं, उच्च-घनत्वं, उत्तम-युग्मनं, उच्चतर-आर्थिक-लाभान् च प्राप्तुं नूतन-सिलिकॉन-फोटॉनिक्स-निर्माण-प्रक्रिया-नोड्-इत्यस्य अनुसन्धानं विकासं च कुर्वन् अस्ति .विश्वसनीयता च ।
सिलिकॉन् फोटोनिक्सस्य क्षेत्रे इन्टेल् रिसर्च इन्स्टिट्यूट् २५ वर्षाणाम् अधिकं कालात् सिलिकॉन् फोटोनिक्स् इत्यस्मिन् गहनतया संलग्नः अस्ति तथा च सिलिकॉन् फोटोनिक्स् एकीकरणस्य अग्रणीः अग्रणी च अस्ति इन्टेल् उद्योगे प्रथमः अस्ति यः बृहत् मेघसेवाप्रदातृभ्यः सिलिकॉन-फोटोनिक-संपर्क-उपकरणानाम् विकासं कृत्वा परिमाणेन वितरति, तथा च ग्राहकैः सह OCI-चिप्-प्रौद्योगिकी-प्रोटोटाइप्-रूपेण स्केल-करणीय-व्यापारिक-समाधानयोः परिवर्तनार्थं कार्यं कुर्वन् अस्ति
व्ययस्य दृष्ट्या इन्टेल् इत्यस्य मतं यत् कालान्तरेण तथा यथा यथा मात्राः वर्धन्ते तथा तथा ऑप्टिकल I/O कृते प्रति बिट् कुल अन्तरसंयोजनव्ययः प्रणालीस्तरस्य विद्युत् I/O इत्यनेन सह तुलनीयः भविष्यति सशक्ततरं ऑप्टिकल् I/O प्रदर्शनं प्रणालीस्तरस्य कार्यक्षमतां सुधारयितुम् अपि सहायकं भवति ।
एतत् लक्ष्यं प्राप्तुं सम्प्रति इन्टेल् द्वितीय-पीढीयाः सिलिकॉन-फोटोनिक्स-निर्माण-प्रक्रिया-नोड्-विकासं कुर्वन् अस्ति, यत् चिप-क्षेत्रं ४०% अधिकं न्यूनीकरोति, विद्युत्-उपभोगं च १५% अधिकं न्यूनीकरिष्यति, अतः आर्थिक-लाभेषु सुधारः, ऑप्टिकल्-युग्मन-दक्षता च सुधारः भविष्यति, लेजरशक्ति इत्यादयः प्रगतिम् कुर्वन्ति।
नवीनतमवार्तासूचनाः संग्रह्य व्यवस्थित्य सर्वेषां कृते निःशुल्कं पश्यन्तु।
