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Il rapido sviluppo dell’intelligenza artificiale richiede urgentemente una tecnologia di archiviazione non volatile ad alta velocità. L'attuale velocità di programmazione della memoria flash non volatile tradizionale è generalmente dell'ordine di centinaia di microsecondi, il che non può supportare i requisiti dell'applicazione. Una ricerca preliminare condotta dal team di Zhou Peng-Liu Chunsen presso l'Università di Fudan ha dimostrato che la struttura bidimensionale del semiconduttore può aumentare la sua velocità di oltre mille volte, ottenendo una dirompente tecnologia di memoria flash di archiviazione ultraveloce a livello di nanosecondi. Tuttavia, come raggiungere un’integrazione su larga scala e passare ad applicazioni pratiche reali è ancora molto impegnativo.

Partendo dall'ingegneria dell'interfaccia, il team ha ottenuto per la prima volta al mondo la più grande verifica integrata di un array di memoria flash ultraveloce da 1Kb di nanosecondi e ha dimostrato che le sue caratteristiche ultraveloci possono essere estese a dimensioni inferiori a 10 nanometri. Nel pomeriggio del 12 agosto, ora di Pechino, i risultati rilevanti sono stati pubblicati su Nature Electronics con il titolo "Un processo di integrazione scalabile per memorie flash bidimensionali ultraveloci".

Processo di integrazione della memoria flash ultraveloce e prestazioni statistiche Foto per gentile concessione dell'Università di Fudan

Il giornalista del Paper ha appreso dall'Università di Fudan che il team ha sviluppato una tecnologia di ingegneria della super-interfaccia e ha realizzato un'interfaccia eterogenea con planarità a livello atomico in una memoria flash bidimensionale su larga scala. Combinata con una tecnologia di caratterizzazione ad alta precisione, mostra che il processo di integrazione è significativamente migliore rispetto al livello internazionale. Attraverso rigorosi test sulle prestazioni della finestra di archiviazione CC e della memorizzazione degli impulsi CA, è stato confermato che il nuovo meccanismo di memoria flash bidimensionale nella scala di archiviazione da 1 Kb ha un tasso di rendimento fino al 98% a una velocità di programmazione non volatile di nanosecondi, che è superiore a quello di International Semiconductor La Roadmap tecnologica internazionale per i semiconduttori prevede un requisito di rendimento dell'89,5% per la produzione di memorie flash.