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Die rasante Entwicklung der künstlichen Intelligenz erfordert dringend eine nichtflüchtige Hochgeschwindigkeitsspeichertechnologie. Die aktuelle Programmiergeschwindigkeit gängiger nichtflüchtiger Flash-Speicher liegt im Allgemeinen im Bereich von Hunderten von Mikrosekunden, wodurch die Anwendungsanforderungen nicht unterstützt werden können. Vorläufige Untersuchungen des Zhou Peng-Liu Chunsen-Teams an der Fudan-Universität haben gezeigt, dass die zweidimensionale Halbleiterstruktur ihre Geschwindigkeit um mehr als das Tausendfache steigern kann und so eine bahnbrechende ultraschnelle Flash-Speichertechnologie im Nanosekundenbereich ermöglicht. Es ist jedoch immer noch eine große Herausforderung, eine umfassende Integration zu erreichen und zu echten praktischen Anwendungen zu gelangen.

Ausgehend von der Schnittstellentechnik gelang dem Team zum ersten Mal weltweit die größte integrierte Verifizierung eines ultraschnellen 1-Kb-Nanosekunden-Flash-Speicher-Arrays und bewies, dass seine ultraschnellen Eigenschaften auf unter 10 Nanometer erweitert werden können. Am Nachmittag des 12. August, Pekinger Zeit, wurden die entsprechenden Ergebnisse in Nature Electronics unter dem Titel „Ein skalierbarer Integrationsprozess für ultraschnelle zweidimensionale Flash-Speicher“ veröffentlicht.

Ultraschneller Flash-Speicher-Integrationsprozess und statistische Leistung. Foto mit freundlicher Genehmigung der Fudan University

Der Paper-Reporter erfuhr von der Fudan-Universität, dass das Team eine Super-Interface-Engineering-Technologie entwickelt und eine heterogene Schnittstelle mit atomarer Ebenheit in einem großen zweidimensionalen Flash-Speicher realisiert hat. Dies zeigt, dass der Integrationsprozess ist deutlich besser als das internationale Niveau. Durch strenge DC-Speicherfenster- und AC-Pulsspeicherleistungstests wurde bestätigt, dass der neue Flash-Speicher mit zweidimensionalem Mechanismus im 1-KB-Speichermaßstab eine Ausbeute von bis zu 98 % bei nichtflüchtiger Programmiergeschwindigkeit im Nanosekundenbereich aufweist, was höher ist als die von International Semiconductor Die International Technology Roadmap for Semiconductors sieht eine Ausbeuteanforderung von 89,5 % für die Herstellung von Flash-Speichern vor.