2024-09-25
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yao xiao, unser sonderkorrespondent in pakistan
laut bloomberg gab das weiße haus am 23. september bekannt, dass die vereinigten staaten mit indien beim bau einer halbleiterfabrik zusammenarbeiten werden. die nachricht erfolgte nach einem treffen von modi mit us-präsident joe biden während seines besuchs in den vereinigten staaten. das weiße haus bezeichnete die zusammenarbeit in einer gemeinsamen erklärung als „wendepunkt“. beide seiten erklärten außerdem, dass sie die zusammenarbeit und forschung zwischen den vereinigten staaten und indien in bereichen wie der halbleitertechnologie stärken würden.
die dieses mal errichtete fabrik dient hauptsächlich der herstellung von halbleiterprodukten, die zur emission von infrarotstrahlen erforderlich sind, sowie von galliumnitrid- und siliziumkarbid-halbleitermaterialien mit stärkeren entstörungsfähigkeiten, die für militärische elektronische produkte geeignet sind. diese materialien unterscheiden sich von der traditionellen halbleiterindustrie, die siliziumwafer als rohstoffe verwendet. sie befinden sich in einem frühen entwicklungsstadium. die aktuellen anwendungsszenarien sind relativ einzigartig und haben ein gewisses entwicklungspotenzial. das projekt wird von der indian semiconductor initiative unterstützt und ist teil einer strategischen technologiekooperation zwischen dem indischen startup bharat semi, dem indischen bildsensorunternehmen 3rditech und der us space force.
laut dem indischen bericht „economic times“ ist dies das erste mal, dass das us-militär eine solche fabrik in indien errichtet, und es wird indiens erste fabrik sein, die sich auf den bedarf an halbleiterausrüstung im militärischen bereich konzentriert. berichten zufolge können indiens junge chip-ingenieure dem us-militär dabei helfen, die herstellungskosten solcher produkte deutlich zu senken. der technologietransfer von den usa nach indien hat indien auch zu einem der wenigen länder der welt gemacht, das solche produkte herstellen kann.