uutiset

한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina

"jiufengshan laboratoryn" virallisten uutisten mukaan laboratorio saavutti syyskuussa 2024 virstanpylvään piifotoniikan integroinnin alalla - sytytti onnistuneesti laservalolähteen, joka on integroitu piipohjaiseen siruun. ensimmäinen onnistunut toteutus maassa.

laajamittaisten tekoälymallien sekä autonomisen ajamisen kaltaisten teknologioiden kehittymisen myötä sirujen laskentatehon kysyntä kasvaa edelleen. kehittyneet puolijohteiden valmistusprosessit ovat kuitenkin yhä lähempänä fyysistä rajaa transistorin tiheyden lisääminen yhdellä sirulla edellyttää, että polku on yhä vaikeampaa, ja jokaisen prosessiparannuksen tuoma suorituskyvyn parantaminen tai virrankulutuksen vähentäminen on yhä rajallisempaa kustannuksia, mikä tarkoittaa myös sitä, että mooren laki ei voi jatkaa toimintaansa. tästä syystä monet puolijohdevalmistajat ovat kiinnittäneet huomionsa kehittyneeseen pakkaustekniikkaan, joka on transistorien määrän lisääminen pakkaamalla useita siruja samalle alustalle, mikä parantaa suorituskykyä.

kuitenkin, mitä enemmän ytimiä on yhdessä paketissa, sitä enemmän niiden välillä on yhteyksiä ja sitä pitempi tiedonsiirtoetäisyys perinteistä sähköistä liitäntätekniikkaa on pikaisesti kehitettävä ja päivitettävä. sähköisiin signaaleihin verrattuna optinen siirto on nopeampaa, siinä on vähemmän häviötä ja vähemmän viivettä, ja sitä pidetään keskeisenä teknologiana seuraavan sukupolven tietotekniikan vallankumouksen edistämisessä, ja sitä pidetään myös läpimurtona integroidussa teknologiassa. mooren jälkeisen aikakauden piirit ihanteellinen ratkaisu tekniikan kehityksen aiheuttamiin pullonkauloihin, kuten virrankulutukseen, kaistanleveyteen ja latenssiin.

tällä hetkellä alan vaikein haaste täysin integroidun piin fotonialustan kehittämisessä on piifotonisirun "sydämen" eli piisubstraatilla olevan valonlähteen kehittäminen ja integrointi, joka voi lähettää valoa korkea hyötysuhde. tämä tekniikka on yksi harvoista jäljellä olevista tyhjistä linkeistä kotimaani optoelektroniikan alalla kansainvälisesti.

tällä kertaa jiufengshan laboratoryn piifotoniikan prosessitiimi teki yhteistyötä kumppaneiden kanssa ratkaistakseen keskeisen ongelman ja heterosidoi menestyksekkäästi iii-v-lasermateriaalin epitaksiaalisia rakeita 8 tuuman piin fotonikiekkoon ja suoritti sitten cmos-yhteensopivan sirulaitteen valmistuksen. prosessi, ratkaisi onnistuneesti iii-v materiaalirakenteen suunnittelun ja kasvun, alhaisen materiaalin ja kiekon sidostuoton sekä heterogeenisen integroidun kiekon kuviointi- ja syövytysohjauksen. lähes kymmenen vuoden etsinnän ja tutkimuksen jälkeen onnistuimme vihdoin valaisemaan sirulla olevan laserin ja saavuttamaan "sirun valoemission".

verrattuna perinteisiin erillispakkattuihin ulkoisiin valonlähteisiin ja fc-mikrokokoonpanovalonlähteisiin, jiufengshan laboratoryn on-chip-valolähdeteknologia voi tehokkaasti ratkaista perinteisten piin fotonisirujen prosessiongelmat riittämättömällä kytkentätehokkuudella, pitkällä kohdistussäätöajalla ja riittämättömällä kohdistustarkkuudella. se murtaa massatuotannon pullonkaulojen, kuten korkeiden tuotantokustannusten, suuren koon ja laajamittaisen integroinnin vaikeuden.

tietojen mukaan hubei jiufengshan laboratory keskittyy pääasiassa yhdistepuolijohteiden tutkimukseen ja kehittämiseen sekä innovaatioihin, ja se otetaan virallisesti käyttöön maaliskuussa 2023. puolentoista vuoden aikana perustamisestaan ​​jiufengshan laboratory on houkutellut lähelle lähes 30 puolijohdeketjuyritystä, joiden kokonaisarvo on yli 10 miljardia yuania, ja se on kasvattanut yli 30 000 osaajaa puolijohdealalla. tämän vuoden aikana jiufengshan laboratory toteutti myös 8 tuuman pilottilinjan toiminnan, ja ensimmäinen erä kiekkoja (korkean tarkkuuden ritilät) rullasi onnistuneesti pois tuotantolinjalta ja täytti kotimarkkinat korkean lineaarisen tiheyden ja erittäin korkean taitekertoimen ansiosta. indeksi ja ei-jaksollinen aihio korkean tarkkuuden ritilän tuotantoteknologiassa.

jiufengshan laboratory ilmoitti 20. helmikuuta 2024, että maailman ensimmäinen 8 tuuman piifotoniinen ohutkalvo litiumniobaatti optoelektroninen integroitu kiekko päästettiin onnistuneesti ulos laboratoriosta. tämä saavutus käyttää 8 tuuman soi-pii-fotonikiekkoa, joka on liitetty 8 tuuman litiumniobaattikiekkoon valosähköisten lähetin-vastaanottimen toimintojen integroimiseksi monoliittisesti. se on tällä hetkellä maailman edistyksellisin teknologia piipohjaiseen aurinkosähköintegraatioon. tämä saavutus voi toteuttaa korkealaatuisten optisten sirujen laajamittaisen valmistuksen erittäin pienellä häviöllä ja erittäin suurella kaistanleveydellä, mikä tekee siitä optoelektronisen integroidun sirun, jolla on paras kokonaissuorituskyky maailmassa.

omien jatkuvan innovaationsa ja läpimurtojensa lisäksi jiufengshan laboratory on yksi harvoista julkisista, avoimista, neutraaleista ja jaetuista tieteellisistä tutkimusalustoista kiinassa, ja se tekee myös yhteistyötä alan ketjun johtavien yritysten kanssa yhteisten "käyttö"-suuntautuneiden teknologioiden kehittämiseksi. . edistää kotimaisten puolijohdemateriaalien ja -laitteiden todentamista ja rakentaa yhdistepuolijohdepilottialustaa.

jiufengshanin laboratoriossa on käynnissä satoja projekteja samaan aikaan 9 000 neliömetrin puhdastilassa:

shanghai bangxin semiconductor technology co., ltd.:n kehittämä etsaus- ja ohutkalvopinnoituslaitteisto on saavuttanut useiden laitteiden massatuotannon jiufengshan laboratoryn avulla.

wuhan yitiannuo technology co., ltd. ja jiufengshan laboratory kehittivät yhdessä piifotoniikkaa ja kolmannen sukupolven puolijohdekiekkotason, sirutason ja laitetason pakkaus- ja testauslaitteita, joiden testitarkkuus oli mikronitason.

ensimmäinen huagong technologyn kehittämä huippuluokan puolijohdelaserleikkaussarjan laitesarja läpäisi pilottitestin tarkastuksen jiufengshanin laboratorioalustan avulla, ja testiraportin saaneet laitteet on otettu onnistuneesti käyttöön loppupään yrityksissä.

yitiannuo technology co., ltd.:n puheenjohtaja shan na sanoi, että jiufengshan laboratory platformin käyttöönoton myötä yritys on laajentanut useita uusia asiakkaita ja saanut useita tilauksia. seuraava askel on asettua jiufengshanin tiede-ja teknologiapuisto laajentaa toimintaansa edelleen.

jiufengshan laboratoryn vastuuhenkilö totesi aiemmin tiedotusvälineiden haastattelussa, että toivomme saavamme työskennellä useampien kumppaneiden kanssa sytyttääksemme yhdistelmäpuolijohdealustojen, -teknologioiden ja teollisuudenalojen "majakan" ja suorittaaksemme huippuluokan teknistä tutkimusta ja tutkimusta. seuraavan 3–10 vuoden aikana teknologinen tutkimus murtaa "murtopisteet" koko teollisessa ketjussa, kurottaa umpeen teollisuuden, tiedemaailman ja tutkimuksen integroidun kehityksen ja johtaa maailmanlaajuisen yhdistepuolijohdeteknologian kehittymiseen.

tällä hetkellä jiufengshan laboratoryn ympärille on kokoontunut lähes 30 johtavaa yhdistelmäpuolijohdeyritystä ja innovatiivista pientä ja keskisuuria yritystä varastointi , yhdistepuolijohteet, anturit, kehittyneet pakkaukset ja muut jaetut alueet luoda useita innovatiivisia tuotteita yhdisteen puolijohdeteollisuuden ekosysteemin muodostamiseksi.

toimittaja: core intelligence - rurouni sword

lähde: jiufengshan laboratory, optics valley media center