समाचारं

अस्माकं संवाददाता ली युयाङ्गः शाङ्घाईतः वृत्तान्तं दत्तवान्

तरङ्गदैर्घ्यं १९३nm (नैनोमीटर्), रिजोल्यूशनं ≤६५nm, ओवरले च ≤८nm... अधुना उद्योगसूचनाप्रौद्योगिकीमन्त्रालयस्य एकेन दस्तावेजेन पुनः घरेलुशिलालेखनयन्त्राणि जनदृष्टौ धकेलितानि, तथा च अस्ति अपि च घरेलु duv लिथोग्राफी यन्त्राणि 8nm प्रक्रियां भग्नवन्तः इति निवेदितवान् breaking news”.

९ सितम्बर् दिनाङ्के उद्योगसूचनाप्रौद्योगिकीमन्त्रालयस्य अन्तर्गतं wechat सार्वजनिकलेखेन "उद्योगः wechat news" इत्यनेन उद्योगसूचनाप्रौद्योगिकीमन्त्रालयेन २ सितम्बर् दिनाङ्के जारीकृतं सूचनादस्तावेजं "प्रचारस्य अनुप्रयोगस्य च मार्गदर्शनसूची" इत्यस्य निर्गमनस्य विषये धक्कायितम् of the first (set) of major technical equipment (2024 edition)". अधिसूचनादस्तावेजे "इलेक्ट्रॉनिकविशेषसाधनस्य" प्रथमः मदः "इण्टीग्रेटेड् सर्किट् उत्पादनसाधनम्" अस्ति, यस्मिन् क्रिप्टनफ्लोराइड् (krf) लिथोग्राफी इत्यस्य तकनीकीसूचकानाम् स्पष्टतया उल्लेखः अस्ति यन्त्राणि तथा आर्गन फ्लोराइड (arf) लिथोग्राफी यन्त्राणि, विशेषतः फ्लोरीन लिथोग्राफी यन्त्राणि, दस्तावेजं सूचयति यत् तस्य ओवरले सटीकता ≤8nm अस्ति ।

"चाइना बिजनेस न्यूज" इत्यस्य एकः संवाददाता अवलोकितवान् यत् दस्तावेजस्य प्रकाशनानन्तरं घरेलुशिलालेखनयन्त्राणां महतीं सफलतायाः विषये बहु चर्चा अभवत्, केचन जनाः "ओवरले ≤ 8nm" इति 8nm लिथोग्राफीयन्त्राणां कृते भ्रान्ताः अभवन् वस्तुतः, आच्छादनसटीकता प्रत्येकस्य प्रकाशशिलालेखस्तरस्य मध्ये संरेखणसटीकतां निर्दिशति, तथा च ≤8nm इत्यस्य आच्छादनसटीकतायाः अर्थः अनिवार्यतया न भवति यत् 8nm प्रक्रियायुक्तानि चिप्स् निर्मातुं शक्यन्ते

"लिथोग्राफी-यन्त्रस्य आच्छादनं ८ नैनोमीटर्-तः न्यूनं भवति, तथा च तार्किक-अनुरूप-परिधिः अपि परिपक्व-परिधिं, अथवा तस्मात् अपि अधिकं प्राप्तुं शक्नोति। परन्तु एतत् अपेक्षां मा कुरुत यत् एतत् मोबाईल-फोनेषु प्रयुक्तं प्रोसेसर-प्रौद्योगिकीम् आच्छादयिष्यति। मुख्यतया एतत् लक्षितम् अस्ति the mature range." वरिष्ठः अर्धचालक-उद्योगः पर्यवेक्षकः वाङ्ग रुचेन् पत्रकारैः अवदत् यत् उद्योग-सूचना-प्रौद्योगिकी-मन्त्रालयस्य दस्तावेजेषु न केवलं आर्गन-फ्लोराइड्-लिथोग्राफी-यन्त्राणि सन्ति, अपितु सहायक-उपकरणाः अपि सन्ति । एतत् लघु-पारिस्थितिकीतन्त्रम् अस्ति । "प्रक्रिया-नोड्-इत्येतत् दृष्ट्वा ते सर्वे परिपक्वपरिधिषु विशेषतः २८ नैनोमीटर् इत्यत्र ध्यानं ददातु।"

लघुरेखाविस्तारयुक्तानि चिप्स् निर्मातुं उपायाः

ज्ञातव्यं यत् २० जूनदिनाङ्के एव उद्योगसूचनाप्रौद्योगिकीमन्त्रालयेन "मुख्यतकनीकीसाधनानाम् प्रथमस्य (समूहस्य) प्रचारार्थं अनुप्रयोगाय च मार्गदर्शनसूची (२०२४ संस्करणम्)" इति स्तम्भे प्रकाशितम् एकीकृत-सर्किट-उत्पादन-उपकरणम्", अत्र फ्लोरीनयुक्तं क्रिप्टन्-लिथोग्राफी-यन्त्रं, आर्गन-फ्लोराइड्-लिथोग्राफी-यन्त्रं च अस्ति ।

ततः सेप्टेम्बरमासे उद्योगसूचनाप्रौद्योगिकीमन्त्रालयेन अन्यत् अधिसूचनादस्तावेजं जारीकृतम्, यत् आधिकारिकतया बहिः जगति घोषितम् । विभिन्नप्रकाशस्रोतानां अनुसारं शिलालेखनयन्त्राणि त्रयः प्रकाराः विभक्तुं शक्यन्ते : uv (अतिबैंगनी), duv (गहन पराबैंगनी) तथा euv (अत्यन्त पराबैंगनी) अधिसूचनादस्तावेजे क्रिप्टन् फ्लोराइड् लिथोग्राफी यन्त्रं आर्गन फ्लोराइड् लिथोग्राफी यन्त्रं च चतुर्थपीढीयाः डीयूवी लिथोग्राफी यन्त्राणि सन्ति ।

सम्प्रति शिलालेखनयन्त्राणां विकासस्य पञ्च पीढयः अभवत् ।

शिलालेखयन्त्रस्य कार्यप्रदर्शनस्य द्वौ कीलौ स्तः - एकं शिलालेखयन्त्रस्य तरङ्गदैर्घ्यं, अपरं च उद्देश्यचक्षुप्रणाल्याः संख्यात्मकरन्ध्रम् (na) सुप्रसिद्धसूत्र-रेले-मापदण्डानुसारं अर्थात् cd=k1*λ/na इति । cd रेखाविस्तारं प्रतिनिधियति, यत् न्यूनतमं विशेषता आकारं भवति यत् चिप् प्राप्तुं शक्नोति; प्रकाशं संग्रहयति इति लेन्सस्य कोणीयपरिधिः k1 गुणांकः अस्ति, चिपनिर्माणप्रक्रियायाः अनेककारकाणां उपरि निर्भरं भवति;

अस्य सूत्रस्य अनुसारं यदि भवान् लघुरेखाविस्तारयुक्तं चिप् निर्मातुम् इच्छति अर्थात् cd मूल्यं यथा लघु भवति तर्हि लघुतरङ्गदैर्घ्यस्य प्रकाशस्रोतस्य, बृहत्तरस्य संख्यात्मकस्य रन्ध्रस्य उद्देश्यलेन्सस्य उपयोगं कर्तुं, k1 मूल्यं न्यूनीकर्तुं च शक्नोति

यथा, डच्-अर्धचालक-उपकरणनिर्मातृसंस्थायाः asml इत्यस्य ईयूवी-लिथोग्राफी-यन्त्रस्य प्रकाश-स्रोत-तरङ्गदैर्घ्यं केवलं १३.५nm अस्ति ।

शिलालेखयन्त्रस्य उद्देश्यचक्षुषः वेफरस्य च मध्ये अतिशुद्धजलं योजयित्वा, जलस्य माध्यमरूपेण उपयोगेन, न केवलं वेषेण प्रकाशस्रोतस्य तरङ्गदैर्घ्यं लघु भवति, अपितु वेषेण na मूल्यं अपि वर्धते एतादृशं शिलालेखनयन्त्रं यत् अतिशुद्धं जलं योजयति तत् विसर्जनशिलालेखनयन्त्रम् इति कथ्यते, अतः duv लिथोग्राफीयन्त्रं प्रकाशीयसंकल्पस्य छतम् अपि प्राप्तुं शक्नोति

परन्तु विसर्जनशिलालेखनयन्त्रं सिद्धान्ततः सुलभं भवति, परन्तु अभियांत्रिकीकार्यन्वयनं तु अत्यन्तं कष्टप्रदम् अस्ति । "विसर्जन-लिथोग्राफी-यन्त्राणां पिता" इति नाम्ना प्रसिद्धः लिन् बेन्जियान् टीएसएमसी-संस्थायां कार्यकाले केवलं एकस्मिन् विसर्जन-प्रणाल्यां सफलतां प्राप्तुं दलस्य २ वर्षाणि ७-८ संशोधनानि च अभवन् उद्योगस्य अन्तःस्थजनाः वदन्ति यत् विसर्जनशिलालेखनयन्त्राणां विकासः एतावत् कठिनः यत् चन्द्रे बन्दुकेन पृथिव्यां लक्ष्यं निपातयितुं तुल्यम् अस्ति इति

≤ 65nm तथा आच्छादनस्य स्तरः ≤ 8nm किम्?

उपर्युक्तपद्धतीनां अतिरिक्तं बहुविधसंपर्कः अपि प्रकाशशिलालेखनयन्त्राणां निर्माणप्रक्रियायां सुधारं कर्तुं प्रौद्योगिकी अस्ति । उदाहरणार्थं, asml विसर्जन duv लिथोग्राफी मशीन nxt: 1980 इत्यस्य रिजोल्यूशनं ≤38nm अस्ति, परन्तु बहुविध-एक्सपोजर-प्रौद्योगिक्याः उपरि निर्भरं tsmc इत्यस्य प्रथम-पीढीयाः 7nm प्रक्रियायाः उत्पादनस्य समर्थनं कर्तुं शक्नोति

लिथोग्राफी-यन्त्राणां महत्त्वपूर्णः तकनीकीसूचकः इति नाम्ना, आच्छादन-सटीकता प्रायः "बहु-उद्घाटनेन प्राप्ता उच्चतम-सटीकता" इति निर्दिशति . यथा यथा प्रक्रियानोड् 14nm, 10nm, 7nm यावत् स्केल कुर्वन्ति तथा बहुविधाः एक्सपोजराः आवश्यकाः अभवन् ।

अतः, सूचनादस्तावेजे arf लिथोग्राफीयन्त्रं (प्रकाशस्रोततरङ्गदैर्घ्यम् 193nm, रिजोल्यूशन ≤ 65nm, ओवरले ≤ 8nm) कति नैनोमीटर् प्रक्रियाः प्राप्तुं शक्नोति? कस्मिन् स्तरे ? अत्यन्तपरिधिः कति नैनोमीटर् यावत् प्राप्तुं शक्नोति ?

एकत्र गृहीत्वा, अस्य विनिर्देशस्य घरेलु arf लिथोग्राफी मशीनानां प्रदर्शनं 2015 तमस्य वर्षस्य द्वितीयत्रिमासे asml द्वारा निर्यातितस्य arf lithography machine twinscan xt: 1460k इत्यस्य तुल्यकालिकरूपेण समीपे अस्ति (रिजोल्यूशन ≤65nm, ओवरले सटीकता <5nm) ओवरले सटीकतायां सामूहिकनिर्माणप्रक्रियायाः च १:३ सम्बन्धानुसारं एतत् प्रकाशशिलालेखनयन्त्रं सैद्धान्तिकरूपेण २८nm प्रक्रियायाः उपयोगेन चिप्सस्य सामूहिकरूपेण उत्पादनं कर्तुं शक्नोति ।

परन्तु उद्योगस्य अन्तःस्थजनानाम् मतं यत् बृहत्तर-ओवरले-सटीकता-दोषादिकारणात् घरेलु-arf-लिथोग्राफी-यन्त्रं "28nm-लिथोग्राफी-यन्त्रस्य" रिजोल्यूशन-आवश्यकतानां पूर्तिं न कर्तुं शक्नोति सामान्यतया, अस्मिन् समये उजागरितं घरेलु-duv-लिथोग्राफी-यन्त्रं पूर्वस्य 90nm-संकल्पस्य घरेलु-लिथोग्राफी-यन्त्रस्य उन्नतसंस्करणं भवितुमर्हति, यस्य उपयोगः 55-65nm-परिपक्व-प्रक्रिया-चिप्-निर्माण-आवश्यकतानां कृते कर्तुं शक्यते

"उद्योग-सूचना-प्रौद्योगिकी-मन्त्रालयस्य सूचीयां न केवलं आर्गन-फ्लोराइड-लिथोग्राफी-यन्त्राणि अपि सन्ति, अपितु सहायक-उपकरणाः अपि सन्ति । एतत् लघु-पारिस्थितिकीतन्त्रम् अस्ति । प्रक्रिया-नोड्-इत्येतत् दृष्ट्वा ते सर्वे परिपक्व-परिधिषु विशेषतः २८ नैनोमीटर्-मध्ये केन्द्रीभवन्ति रुचेन् इत्यनेन उक्तं यत् यदि बृहत्परिमाणे प्रचारः क्रियते तर्हि fab (वेफर-कारखाना) सफलः भविष्यति जन-उत्पादनस्य दृष्ट्या, मोबाईल-फोन-आदि-परिदृश्यान् विहाय, चीन-देशस्य अधिका वा सत्या स्वायत्तता अस्ति "अधिकांशस्य नागरिकस्य, औद्योगिकस्य, तथा च... राष्ट्ररक्षा परिदृश्यानि।"

घरेलुशिलालेखनयन्त्राणि लघुपदं अग्रे गतवन्तः

अर्धचालकनिर्माणस्य मूलसाधनत्वेन प्रकाशशिलालेखनयन्त्रस्य तकनीकीस्तरः प्रत्यक्षतया चिप्सस्य कार्यक्षमतां गुणवत्तां च निर्धारयति चिरकालात् अस्माकं देशः शिलालेखनयन्त्रक्षेत्रे अन्यैः नियन्त्रितः अस्ति, उच्चस्तरीयाः उपकरणाः मुख्यतया आयातस्य उपरि अवलम्बन्ते ।

पूर्वं ९०nm रिजोल्यूशनयुक्तानां घरेलुशिलालेखनयन्त्राणां तुलने नूतनेन ६५nm रिजोल्यूशनेन निश्चिता प्रगतिः अभवत् । अवश्यं अद्यापि अस्माभिः स्वदेशीयशिलालेखनयन्त्राणां विदेशीय उन्नतस्तरस्य च अन्तरस्य विषये स्पष्टतया अवगतं भवितुम् आवश्यकम् ।

इदं ज्ञातव्यं यत् सूचनादस्तावेजे प्रकटितं arf लिथोग्राफी यन्त्रम् अद्यापि शुष्कं duv लिथोग्राफी यन्त्रम् अस्ति, न तु अधिकं उन्नतं विसर्जन duv लिथोग्राफी यन्त्रं (arfi लिथोग्राफी यन्त्रम् इति अपि ज्ञायते)

घरेलुशिलालेखनयन्त्रनिर्मातृणां कृते अद्यापि शुष्कडीयूवीतः विसर्जनडीयूवीपर्यन्तं परिवर्तनस्य प्रक्रियायां बहवः समस्याः समाधानं कर्तव्याः सन्ति, न केवलं प्रौद्योगिक्याः दृष्ट्या। यद्यपि एएसएमएल इत्यनेन २००६ तमे वर्षे प्रथमं सामूहिकरूपेण निर्मितं विसर्जन-डीयूवी-लिथोग्राफी-यन्त्रं xt: १७००i इति प्रक्षेपणं कृतम्, तथापि २०१० तमे वर्षे एव तत्कालीन-लिथोग्राफी-यन्त्राणां दिग्गजद्वयं कैनन्-निकोन-इत्येतत् पराजयितुं विसर्जन-डीयूवी-लिथोग्राफी-यन्त्रे एव अवलम्बितम् स्वस्य आधिपत्यं स्थापितवान् अस्ति।

एएसएमएल-संस्थायाः वित्तीयप्रतिवेदने दर्शितं यत् चीनदेशः २०२३ तमे वर्षे कम्पनीयाः द्वितीयः बृहत्तमः विपण्यः भविष्यति । २०२४ तमे वर्षे प्रथमे द्वितीये च त्रैमासिके चीनदेशे एएसएमएल-संस्थायाः विक्रयः ४९% अभवत् ।

वस्तुतः asml इत्यस्य अत्यन्तं उन्नतानि euv लिथोग्राफी यन्त्राणि चीनदेशं प्रति निर्यातं कर्तुं पूर्णतया प्रतिषिद्धानि सन्ति, गतवर्षस्य अक्टोबर् मासे अमेरिकादेशेन उन्नतचिपनिर्माणप्रौद्योगिक्याः विषये स्वस्य निर्यातनियन्त्रणानि अद्यतनं कृत्वा लिथोग्राफीयन्त्राणां व्याप्तिः विस्तारिता, येषां निर्यातं प्रतिबन्धितम् अस्ति चीन अर्थात् बहुविधसंपर्कस्य उपयोगाय उन्नतप्रक्रियाक्षमतां साधयति इति शिलालेखयन्त्रम् ।

६ सितम्बर् दिनाङ्के डच्-सर्वकारेण घोषितं यत् सः लिथोग्राफी-यन्त्राणां निर्यात-नियन्त्रण-व्याप्तेः विस्तारं कृत्वा गभीर-पराबैंगनी-लिथोग्राफी-उपकरणानाम् विस्तारं करिष्यति, यत् संयुक्तराज्ये नियन्त्रणैः सह "संरेखणं" करिष्यति यदि asml twinscan nxt: 1970i तथा 1980i मॉडल-विसर्जनं निर्यातयितुम् इच्छति duv lithography equipment to china, प्रणालीं उत्कीर्णयितुं प्रथमं डच्-सर्वकारात् निर्यात-अनुज्ञापत्रार्थं आवेदनं कर्तव्यम् ।

उद्योगस्य अन्तःस्थानां मतं यत् एएसएमएल-संस्थायाः उन्नत-डीयूवी-निर्यातस्य अधिकं कसनं नवीनतम-घरेलु-लिथोग्राफी-यन्त्राणां सूचना-विमोचनं चालयति इति कारकेषु अन्यतमम् अस्ति अस्मिन् विषये वाङ्ग रुचेन् अवदत् यत् - "अमेरिकादेशेन डच्-सर्वकारं निर्यात-अनुज्ञापत्रं योजयितुं बाध्यं कृत्वा एएसएमएल-संस्थायाः सहकार्यं कृत्वा वक्तुं पार्श्व-प्रति-आक्रमणम् आसीत्

शेनवान होङ्गयुआन् सिक्योरिटीजस्य मतं यत् कोर-उपकरणानाम् प्रगतेः आधिकारिक-प्रकाशनेन मार्केट-विश्वासः वर्धितः, घरेलु-लिथोग्राफी-यन्त्र-सम्बद्ध-उद्योग-शृङ्खलायाः लाभः अभवत्, घरेलु-वेफर-फैब-विस्तारस्य स्वतन्त्रतया नियन्त्रणं कर्तुं शक्यते, समग्र-घरेलु-अर्धचालक-उपकरणानाम् अपि लाभः अभवत् smic, northern huachuang, china microelectronics corporation, tuojing technology, microconductor nano, shanghai microelectronics इत्यादीनां औद्योगिकशृङ्खलाकम्पनीनां सर्वेषां विकासस्य अवसराः घरेलुरूपेण उत्पादितानां 65nm arf लिथोग्राफीयन्त्राणां प्राप्ताः भविष्यन्ति

(सम्पादक: वू किंग समीक्षा: ली झेन्घाओ प्रूफरीडर: यान युक्सिया)