nuntium

한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina

auctor丨 leslie wu (ratio publica: zihao tanxin)

documentum e ministerio industry et information technologiae investigationem et progressionem machinarum lithographiae domesticae in oculos publicos iterum iterum attulit.

die 9 septembris, "industria et information wechat news" ratio sub ministerio industry ac information technologiae notitiam documenti a ministerio industry ac information technologiae editam die 2 septembris de "guidance catalogue promotionis et applicatione primi. maioris technicae artis (2024 edition)" (ut infra) .

primum documentum "electronicarum specialium instrumentorum" in notificatione documenti est "integrae ambitus instrumenti productionis", quod clare commemorat indices technicos de krypton fluoride (krf) machinis lithographiae et machinis argonis fluoride (arf) machinis lithographiae.praesertim pro machina argonis fluoride lithographia, documentum indicat suum esse 193nm, resolutio ≤65nm et obducere ≤8nm.hoc etiam ab extra mundum intellegitur quasi maior perruptio pro machinis domesticis duv lithographiae, et etiam rumores sunt machinis domesticis duv lithographiae processum 8nm perrumpisse.

quid igitur significant technici indices machinis lithographiae domesticae, de quibus in hac notatione ex ministerio industry et information technologiae actu repraesentant?

ob rationes speciales sicut imperium exportationis, machinis lithographiae saepe ante biennium memoratae sunt, et turba scientifica et technologica certam habet intelligentiam machinis lithographiae.

in una sententia, machina photolithographia speciali processu utitur ad recusandum exemplar, illud in laganum pii proiiciunt et ambitum transistoris notant, per quod assequendum fabricam chip.

machinae lithographiae in tria genera dividi possunt: ​​uv, duv et euv secundum diversos fontes lucis.

uniuscuiusque lucis origo etiam distinguitur secundum modum quo lumen generat.

*tabula 1, nucleus indicibus technicis respondens lithographiae machinis luminum diversorum generum

duo instrumenti, de quibus in ministerio industry et notitia technologiae observatio respondent duo genera machinarum lithographiae duv, krf et arf siccae, quae luce profundo ultraviolaceo utuntur. sed documenta officialia cum characteribus sinensibus krypton fluoride et argon fluoride notantur.

diversi luminis fontes lithographiae machinarum diversorum aequalitatum habebunt. exempli gratia, krypton fluoride apparatus lithographiae 248nm luminis fons utitur et productionem solutionis astularum 0.11μm-0.8µm sustinet, dum 193nm argon fluoride siccum lithographiae machinae superiores resolutiones 65nm-0.11μm consequi potest.

alia clavis est apertura numeralis (na) systematis lentis obiectivi. causa quare haec duo indicia clavis sunt, ob notissimam formulam -rayleigh criterium, id est, cd=k1*λ/na.

cd est latitudo linea, quae est magnitudo minima quae perfici potest. λ est necem luminis principium, quo usus est machina lithographia de lentis quae lucem colligit.

secundum formulam, si fabricatio chippis volet consequi latitudinis minorem lineam, id est valorem minorem cd;maxime utendo fonte luminis adsum breviore, lens obiectiva cum foramine maiori numerico (na), et vias inveniendo ad k1. reducendum.

exempli gratia, hodierna euv machina extrema ultraviolacea lithographia luminis necem tantum 13.5nm fontem habet. eodem tempore asml constanter euv machinis lithographiae cum superioribus foraminibus numeralibus ad fabricandum 7nm vel processum altiorem astularum emittit. sed vide,chiprum 3nm circiter centum strata ab imo ad summum habet, et solutionis requisita etiam ab alto ad imum sunt. euv apparatus lithographia solum pro fundo 20 stratis responsabilis est, et reliqua machina lithographia duv coordinata est.

secundum quod ex industria scimus, apparatus photolithographia de qua in ministry industrie et notitia technologiae notitiam consequi potest valorem k1 0.25. secundum criterium rayleigh, 65=0.25×193/na, colligi potest aperturam numericam machinae lithographiae domesticae esse 0.75.

*tabula 2, indicibus technicis principalibus asml machinis lithographiae cum diversis fontibus lucis;

data fonte: semiconductor research institute

apertura numeralis est relative humilis, quod placet primo generationi productorum.

sed etiam initerare foramen numerale super fontem arf luminis existentis machinae lithographiae;ab 0,75 usque ad gradum 0.93, resolutio tantum emendatur a currenti 65nm ad 52nm futurum, quod longe minus est quam sic dictum "28nm apparatus lithographiae".

beneficia igitur sunt quae iterantur in via foraminis numeralis, sed non satis est.

essentia immersionis arf luminis fons non mutatur, adhuc 193nm est (potestas luminis fons est nucleus apparatus productionis massae), sed aqua ultrapura additur inter lentis obiectivam machinae photolithographiae et lagani; index refractivus augetur ad 1.44, quae est forma fucata.

quid hoc est?

ut supra dictum est, regula est rayleighcd=k1*λ/na。propter additionem aquae refractionis, possumus facere modificationem ei;cd=k1*λ/nsinθ, ubi n est index refractivus aquae, sinθ est sinus anguli inter lens machinam lithographiam et superficiem imaginantem, et nsinθ aequatur foramine numerali na.

*figura 2: schematica diagramma luminis tendens et imaginandi per lens systema;

n est index refractivus medii, θ est angulus lentis positus

asml 2100i de quo in tabula 2 est machina lithographia immersio est, ergo n est 1.44, sinθ valor lentis obiectivi est 0.93, et valor k1 huius instrumenti est 0.28.

secundum deformem formulam, cd 2100i apparatus lithographiae = (0.28×193)/ (1.44×0.93) = 54.04/1.3392 ≈40nm.

machinae lithographiae domesticae directe upgraded ad machinis immersionem. quomodo facit sine meliori foramine numerali?

formulam adhibere continuans, eius cd=(0.25×193)/(1.44×0.75)=48.25/1.08=44nm, quae adhuc requisitis solutionis "28nm machinae lithographiae" occurrere non possunt.

sic redeo ad id quod supra dixi;non solum in investigationibus et progressu machinis lithographiae immersionis collocandae sumus, sed etiam opus est ut in lentibus breakthroughs, sinθ valorem lentis obiectivi emendare ac numerum foraminis augere.

bonus nuntius estiam societates laborant in immersione systemata lentis obiectiva cum apertura numerali 0,85.si investigatio proficiat, resolutio machinae lithographiae nostrae expectatur ut 39.41nm perveniatur, vere per 28nm perrumpens.

in hoc ministerio industry et information technologiae documentum, apertura numeralis ad lens obiectivum relata non detecta est, quae attentionem meretur sequitur.

scire debes primam immersionem machinis lithographiae generationem necesse esse evolvere ex arido specie. aliquid.

ut iam dictum est, principium immersionis lithographiae est ponere aquam ultrapuram inter fundum lentis et laganum.

primum est ut bullae aeris in aqua ultrapura omnino eliminantur. secundo, necessarium est ad problema superficiei liquidae inaequalis, quae causatur per differentiam temperatus inter aream levis transmittentes et in area protegendo. difficultas machinalis difficilis est habere aquam ultrapuram cito sine vortices generante.

figura iii: demonstratio immersionis lithographiae machinae lens systematis a lin benjian elaboratum

sola enim ratio immersionis, lin benjian et turmas 2 annorum et 7-8 emendationes ad perficiendum interregnum accepit in officina tsmc nanke asml area dicata.

in scaena beta, postquam machina alphabetica completa est, ingens pubis lagana in officina lagana innumera ad vastandum officinas primigenias millia defectuum ad centena, justo et tandem ad nihilum redigenda est.

si resolutio 65nm tantum est, num aliae sunt modi ut meliorem illam meliorem efficiant? habent.

ruili regula supra memorata est;cd=k1* λ/na.

reducendo k1 est summa prioritas processus lithographiae fabrum in lagano fabs. machinarii multas technologias mirabiles creaverunt ad reducendum k1, inter personas phase-shift, exemplar proximitatis optici effectus correctionis, super-etching, et inversionis lithographiae, etc.

secundum lin benjian introductio in auditorio "microcosmi optical ic una decies centena millia", reducere k1 oportet, primum "anti-vibrationis", sicut anti-quatio, cum imagines in telephono mobili accipientes, inter vibrationem relativam reducere conantur. laganum et larva in nuditate, ita ut exemplar axioma accuratius redderet, restituens solutionem ex vibratione amissam. proximus gradus est reducere "ineptam meditationem" in liquida superficie per detectionem.

duo superius emendando, k1 basically reduci potest ad gradum 0.65.

ad k1 demittere et solutionem meliorem facere, etiam duplicem trabem imaginandi modos uti potes, incluso axi off-axo et larvarum mutatione phase.

axis nuditatis est angulum incidenti luminis accommodare ut lux oblique larvam intrat. aptans angulum, duo lumina inter se impediunt ut imaginem effingant, animum augendo et altitudinem campi augendo. phase variabilis larva aliquibus strophis utitur in persona ad differentiam 180 graduum ad efficiendam differentiam in luce transeunte per areas adiacentes lucis transmittentes.

ambae modi k1 per medium reducere possunt et in compositione adhiberi non possunt.

redigo k1 ad 0.28 finis fere est eorum quae omnes praedictae technologiae consequi possunt. si vis ulterius minuere, pluribus duabus personis in expositione uti debes, quae nota multiplex expositio est (ut infra patebit).

figure 4: lux lucet per foramen album in photoresist laganum

apparens sicut punctis flavis, utere 2 personis ad bis exponere.

consequi resolutio melius

in popularibus terminis, exemplaria densa in duas vel plures personas dividit cum laxioribus exemplaribus, quae in lagano expositae vicissim ad emendationem solutionis consequendam.

tamen, quia numerus expositionum duplicatur, efficientia laganum per dimidium reducitur dum wph (laganum output per horam) immutatum manet, et una magis detectio deducet etiam ad reductionem in cede.

per duplicem expositionem k1 reduci potest ab 0.28 ad 0.14, vel etiam 0.07 cum expositione quadruplicata.

2100i apparatus lithographiae exemplum capiamus. postquam omnia genera buffs reponuntur, theoricae cd=(0.07×193)/ (1.44×0.93) = 13.51/1.3392≈10nm. "28nm lithographia apparatus 2nm" creat.

cum multiplex detectio tam facilis ad usum sit, potestne resolutio machinae lithographiae domesticae 65nm per multiplicem expositionem emendari? nondum.

multiplex detectio est medium technicum, quod multis condicionibus operandis occurrit, ut accurationem obducis. simplex intellectus est error causatus expositionis inter varias disseminationis stratas.

nunc, fenestra moderatio accurationis unius expositionis obducto circiter 20%-25% resolutionis est, ideo producta cum 65nm solutionis accurationem saltem 13nm laminis requirit .

attamen notandum est 8nm esse vexillum officinam et schedae vexillum effectus esse. ob errores variis processibus in lagano processus causatis, linea productio multo humilior erit quam vexillum fabricae asml vel nikon hoc idem. aliis verbis, signum 8nm index instrumentorum domesticorum circiter 11-12nm in ipsa producta cadit.

pro duplici expositione, operimentorum accuratio per medium ab 13nm ad 6.5nm reduci debet, ex resolutione 20%-25%.

ideo ad solutionem meliorandam per multiplices expositiones huius domestici instrumenti, operimen accuratio in futuris iterationibus ulterius emendandum est.