2024-09-18
한어Русский языкEnglishFrançaisIndonesianSanskrit日本語DeutschPortuguêsΕλληνικάespañolItalianoSuomalainenLatina
author leslie wu, former tsmc fab construction expert
editor su yang
documentum e ministerio industry et information technologiae investigationem et progressionem machinarum lithographiae domesticae in oculos publicos iterum iterum attulit.
die 9 septembris, "industria et information wechat news" ratio sub ministerio industry ac information technologiae notitiam documenti a ministerio industry et information technologiae editae die 2 septembris die editae "guidance catalogue promotionis et applicationis" patefecit. primae (set) maioris equipment technical (2024 edition) (ut infra patebit)).
primum documentum "electronicarum specialium instrumentorum" in notificatione documenti est "integrae ambitus instrumenti productionis", quae clare commemorat indices technicos de krypton fluoride (krf) machinis lithographiae et machinis argonis fluoride (arf) machinis lithographiae, praesertiminstrumentum lithographiae argon fluoride, documentum indicat suum esse 193nm, resolutio ≤65nm et obduces ≤8nm., hoc etiam ab extra mundum intellegitur ut maior perruptio pro machinis domesticis duv lithographiae, et rumores etiam sunt machinis lithographiae domesticae duv processum 8nm perrupisse.
quid igitur significant technici indices machinis lithographiae domesticae, de quibus in hac notatione ex ministerio industry et information technologiae actu repraesentant?
ob rationes speciales sicut imperium exportationis, machinis lithographiae saepe ante biennium memoratae sunt, et turba scientifica et technologica certam habet intelligentiam machinis lithographiae.
in una sententia, machina photolithographia speciali processu utitur ad recusandum exemplar, illud in laganum pii proiiciunt et ambitum transistoris notant, per quod assequendum fabricam chip.
machinae lithographiae in tria genera dividi possunt: uv, duv et euv secundum diversos fontes lucis.
uniuscuiusque lucis origo etiam distinguitur secundum modum quo lumen generat.
*tabula 1, nucleus indicibus technicis respondens lithographiae machinis luminum diversorum generum
duo instrumenti, de quibus in ministerio industry et notitia technologiae observatio respondent duo genera machinarum lithographiae duv, krf et arf siccae, quae luce profundo ultraviolaceo utuntur. sed documenta officialia cum characteribus sinensibus krypton fluoride et argon fluoride notantur.
diversi luminis fontes lithographiae machinarum diversorum aequalitatum habebunt.exempli gratia, krypton fluoride apparatus lithographiae 248nm luminis fontem utitur ad productionem solutionis astularum 0.11μm-0.8μm sustinendam, dum 193nm argonis fluoride arida machina lithographia sicca altiorem resolutionem 65nm-0.11μm consequi potest.
alia clavis est apertura numeralis (na) systematis lens objecti. causa quare haec duo indicia critica sunt, ex formula notissima — criterium rayleigh, id est, cd = k1*λ/na.
cd est latitudo linea, quae est magnitudo minima quae perfici potest. λ est necem luminis principium, quo usus est machina lithographia de lentis quae lucem colligit.
secundum formulam, si fabricatio chippis vult consequi latitudinem minorem lineam, id est minorem valorem cd, maxime perbreviore utere adsum fontem lucis、lentes obiectiva cum foraminibus maioribus numeralibus (na)et invenire viasinferius k1。
exempli gratia, hodierna euv machina extrema ultraviolacea lithographia luminis necem tantum 13.5nm fontem habet. eodem tempore asml constanter euv machinis lithographiae cum superioribus foraminibus numeralibus ad fabricandum 7nm vel processum altiorem astularum emittit. sed vide,chiprum 3nm circiter centum strata ab imo ad summum habet, et solutionis requisita etiam ab alto ad imum sunt. euv apparatus lithographia solum pro fundo 20 stratis responsabilis est, et reliqua machina lithographia duv coordinata est.
secundum quod ex industria scimus, apparatus photolithographia de qua in ministry industrie et notitia technologiae notitiam consequi potest valorem k1 0.25. secundum criterium rayleigh, 65=0.25 ×193/na, colligi potest aperturam numeralem machinae lithographiae domesticae esse 0.75.
*tabula 2, indicibus technicis principalibus asml machinis lithographiae cum diversis fontibus lucis, fonte datarum: investigatio semiconductoris
apertura numeralis est relative humilis, quod placet primo generationi productorum.
sed etiam initerare foramen numerale super fontem luminis arf existentis machinae lithographiae, ab 0,75 usque ad gradum 0.93, resolutio tantum emendatur ab currenti 65nm ad 52nm futurum, quod est longe minus quam machina lithographia sic dicta "28nm".
ergo iteratur in via foraminis numeralisbeneficia sunt, sed non satis est. nos etiam opus est ut plures breakthroughs in immersione machinis lithographiae tentare ut in duobus cruribus ambulando perficiat.
essentia lucis immersi arf fons lucis non mutatur, adhuc 193nm est (potestas luminis fons est nucleus machinae productionis massae), sed aqua ultrapura additur inter lens obiectivam machinae photolithographiae et laganum, ac index refractivus augetur ad 1.44, quae est forma fucata.
quid hoc est?
ut ante dictum est, iudicium rayleighid est cd = k1*λ/na.propter additionem aquae refractionis, possumus facere modificationem ei;cd = k1*λ/nsinθ, ubi n est index refractivus aquae, sinθ est sinus anguli inter lens machina lithographiam et superficiem imaginans, et nsinθ aequatur foramine numerali na.
* figura 2: schematica diagramma lucis tendens et imaginans per lens systema, n est index refractivus medii, θ angulus lentis positus est.
asml 2100i de quo in tabula 2 est machina lithographia immersio est, ergo n est 1.44, sinθ valor lentis obiectivi est 0.93, et valor k1 huius instrumenti est 0.28.
secundum deformem formulam, cd 2100i apparatus lithographiae = (0.28×193)/ (1.44×0.93) = 54.04/1.3392 ≈40nm.
machinae lithographiae domesticae directe upgraded ad machinis immersionem. quomodo facit sine meliori foramine numerali?
formulam adhibere continuans, eius cd=(0.25×193)/(1.44×0.75)=48.25/1.08=44nm, quae adhuc requisitis solutionis "28nm machinae lithographiae" occurrere non possunt.
itaque redeamus ad ea quae prius diximusnon solum in investigationibus et progressu machinis lithographiae immersionis collocandae sumus, sed etiam opus est ut in lentibus ruptionibus augeatur sinθ valor lentis obiectivi et foraminis numeralis augere.
bonus nuntius estiam societates laborant in immersione systemata lentis obiectiva cum apertura numerali 0,85.. si investigatio proficit, resolutio machinae lithographiae nostrae 39.41um attingere expectatur, vere per 40nm resolutio quae per "28nm processum" requirit.
in hoc ministerio industry et information technologiae documentum, apertura numeralis ad lens obiectivum relata non detecta est, quae attentionem meretur sequitur.
scire debes primam immersionem machinis lithographiae generationem necesse esse evolvere ex arido specie. aliquid.
ut iam dictum est, principium immersionis lithographiae est ponere aquam ultrapuram inter fundum lentis et laganum.
primum est ut bullae aeris in aqua ultrapura omnino eliminantur. secundo, necessarium est ad problema superficiei liquidae inaequalis, quae causatur per differentiam temperatus inter aream levis transmittentes et in area protegendo. difficultas machinalis difficilis est habere aquam ultrapuram cito sine vortices generante.
figura iii, demonstratio immersionis lithographiae machinae lens systematis a lin benjian elaboratum
sola enim ratio immersionis, lin benjian et turmas 2 annorum et 7-8 emendationes ad perficiendum interregnum accepit in officina tsmc nanke asml area dicata.
in scaena beta, postquam machina alphabetica completa est, ingens pubis lagana in officina lagana innumera ad vastandum officinas primigenias millia defectuum ad centena, justo et tandem ad nihilum redigenda est.
si resolutio 65nm tantum est, num aliae sunt modi ut meliorem illam meliorem efficiant? habent.
ruili regula supra memorata est;cd = k1* λ/na.
reducendo k1 est summa prioritas processus lithographiae fabrum in lagano fabs. machinarii multas technologias mirabiles creaverunt ad reducendum k1, inter personas phase-shift, exemplar proximitatis optici effectus correctionis, super-etching, et inversionis lithographiae, etc.
secundum lin benjian introductio in auditorio "microcosmi optical ic una decies centena millia", reducere k1 oportet, primum "anti-vibrationis", sicut anti-quatio, cum imagines in telephono mobili accipientes, inter vibrationem relativam reducere conantur. laganum et larva in nuditate, ita ut exemplar axioma accuratius redderet, restituens solutionem ex vibratione amissam. proximus gradus est reducere "ineptam meditationem" in liquida superficie per detectionem.
duo superius emendando, k1 basically reduci potest ad gradum 0.65.
ad k1 demittere et solutionem meliorem facere, etiam duplicem trabem imaginandi modos uti potes, incluso axi off-axo et larvarum mutatione phase.
axis nuditatis est angulum incidenti luminis accommodare ut lux oblique larvam intrat. aptans angulum, duo lumina inter se impediunt ut imaginem effingant, animum augendo et altitudinem campi augendo. phase variabilis larva aliquibus strophis utitur in persona ad differentiam 180 graduum ad efficiendam differentiam in luce transeunte per areas adiacentes lucis transmittentes.
ambae modi k1 per medium reducere possunt et in compositione adhiberi non possunt.
redigo k1 ad 0.28 finis fere est eorum quae omnes praedictae technologiae consequi possunt. si vis ulterius minuere, pluribus duabus personis in expositione uti debes, quae nota multiplex expositio est (ut infra patebit).
figura 4: lux per foramen album translucet et apparet in photoresist lagani, ostendens punctis flavis.
in popularibus terminis, exemplaria densa in duas vel plures personas dividit cum laxioribus exemplaribus, quae in lagano expositae vicissim ad emendationem solutionis consequendam.
tamen, quia numerus expositionum duplicatur, efficientia laganum per medium reducitur, dum wph (laganum per horam perput) immutatum manet, et una magis detectio deducet etiam ad reductionem in cede.
per duplicem expositionem k1 reduci potest ab 0.28 ad 0.14, vel etiam 0.07 cum expositione quadruplicata.
m100i machinam lithographiae sumamus in exemplum correspondens processus 2nm est. in verbis hominum, "28nm machina photolithographia facit 2nm".
cum multiplex detectio tam facilis ad usum sit, potestne resolutio machinae lithographiae domesticae 65nm per multiplicem expositionem emendari? nondum.
multiplex detectio est medium technicum, quod multis condicionibus operandis occurrit, ut accurationem obducis. simplex intellectus est error causatus expositionis inter varias disseminationis stratas.
nunc, fenestra moderatio accurationis unius expositionis obducto circiter 20%-25% resolutionis est, ideo producta cum 65nm solutionis accurationem saltem 13nm laminis requirit .
attamen notandum est 8nm esse vexillum officinam et schedae vexillum effectus esse. ob errores variis processibus in lagano processus causatis, linea productio multo humilior erit quam vexillum fabricae asml vel nikon hoc idem. aliis verbis, signum 8nm index instrumentorum domesticorum circiter 11-12nm in ipsa producta cadit.
pro duplici expositione, operimentorum accuratio per medium ab 13nm ad 6.5nm reduci debet, ex resolutione 20%-25%.
ideo ad solutionem meliorandam per multiplices expositiones huius domestici instrumenti, operimen accuratio in futuris iterationibus ulterius emendandum est.
colligunt et ordinant notitias recentissimas nuntios et liberam fac omnibus reprimendam.
